基板処理システム及び基板搬送方法
【課題】基板の処理効率を向上させることができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０のロードロックモジュール１３では、該ロードロックモジュール１３の内部において上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３が互いに独立して上下動し、上部基板搬送機構２２では、昇降ベース２６に配された４つのガイドレール２５に対して４つのガイドアーム２７がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム２７に対して４つのピック２８がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、下部基板搬送機構２３では、昇降ベース３０に配された４つのガイドレール２９に対して４つのガイドアーム３１がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム３１に対して４つのピック３２がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動する。
【解決手段】基板処理システム１０のロードロックモジュール１３では、該ロードロックモジュール１３の内部において上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３が互いに独立して上下動し、上部基板搬送機構２２では、昇降ベース２６に配された４つのガイドレール２５に対して４つのガイドアーム２７がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム２７に対して４つのピック２８がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、下部基板搬送機構２３では、昇降ベース３０に配された４つのガイドレール２９に対して４つのガイドアーム３１がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム３１に対して４つのピック３２がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイパネル用の基板を処理する基板処理システム、及び該基板処理システムにおける基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等に用いられるガラス基板には、該ガラス基板上に微細な配線等を構成するために、プラズマエッチング処理が施される。通常、ガラス基板へのプラズマエッチング処理は基板処理システムで行われる。
【０００３】
第６世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板にプラズマエッチング処理を施す基板処理システムは、プロセスチャンバ（処理室）及び該プロセスチャンバへのガラス基板の搬出入を行うロードロックモジュールを備える。この基板処理システムでは、プロセスチャンバ内において、基板載置台上にてガラス基板を上昇又は下降させる第１のリフターピンとは別の第２リフターピンを使用した基板入替え方式が用いられ、第２のリフターピンはガラス基板の端を数カ所において保持して該ガラス基板を上昇又は下降させるので、ガラス基板の搬出入を行うロードロックモジュール内の搬送アームの構造を簡素化、具体的には、シングルアーム型・上下回転軸レス型の省スペース且つシンプルな構造とすることができ、もって、装置の製造コストとフラットパネルディスプレイの生産性とを両立することができる。
【０００４】
ところが、第７世代以降のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムでは、ガラス基板のサイズの大型化により、基板支持位置が制限される第２リフターピンを使用した基板入替えの際、第２リフターピンがガラス基板の適切な箇所を保持することができず、ガラス基板のたわみが大きく成り過ぎて基板割れにより搬送が不可能となることがある。そこで、これに対応して、現状は第２リフターピンを廃し、ロードロックモジュール内の搬送アームとしてダブルアーム型の搬送アームを採用し、該搬送アームによって基板入替えを行うことにより、ガラス基板のたわみの発生を防止している。
【０００５】
図１１は、第７世代以降のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【０００６】
図１１において、この基板処理システム１１０は、カセット１１３に収容された未処理のガラス基板を大気系搬送アーム１１４を介してトランスファモジュール１１２へ搬送するロードロックモジュール１１５を備える。該ロードロックモジュール１１５は処理済みガラス基板をトランスファモジュール１１２から大気系搬送アーム１１４を介してカセット１１６へ搬送する。プロセスチャンバ１１１やトランスファモジュール１１２の内部状態はほぼ真空に維持されているため、ロードロックモジュール１１５は内部状態を大気／真空に切替可能に構成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
また、基板処理システム１１０のトランスファモジュール１１２の内部には基板搬送ユニットとしてのスカラ型や直動型の搬送アーム（図示しない）が配置され、該搬送アームはトランスファモジュール１１２の内部においてガラス基板を載置したまま回転する。したがって、トランスファモジュール１１２の内部容積を大きくする必要があった。
【０００８】
近年、製造が開始されている第１０世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板は一辺が約３ｍ弱の長方形を呈するため、トランスファモジュール１１２の内部容積をさらに大きくする必要があり、その結果、トランスファモジュール１１２が巨大化する。また、基板処理システム１１０ではトランスファモジュール１１２及びロードロックモジュール１１５の間に真空断絶可能なゲートバルブ１１７が配置されるが、該ゲートバルブ１１７もトランスファモジュール１１２の巨大化に伴って巨大化するため、トランスファモジュール１１２やゲートバルブ１１７の製造コストが上昇するという問題が生じた。
【０００９】
近い将来に製造が開始される第１１世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板（一辺が約３ｍ超の長方形を呈する）では、上述したトランスファモジュール１１２等の製造コストの上昇がより顕著となる。そこで、トランスファモジュール１１２等の製造コストを削減するため、図１２に示すような、１つのプロセスチャンバ１２１と、該プロセスチャンバ１２１に接続された１つのロードロックモジュール１２２とを備える、第６世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板を処理する基板処理システムと似た構成を有する基板処理システム１２０が検討されている。
【００１０】
ところで、基板処理システム１２０は、プロセスチャンバ１２１を１つしか備えないので、ロードロックモジュール１２２がガラス基板の搬出入を行う間、他のガラス基板にプラズマエッチング処理を施すことができない。したがって、フラットパネルディスプレイの製造効率を向上させるためには、ロードロックモジュール１２２によるガラス基板の搬出入を短時間で行う必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２０８２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、ロードロックモジュール１２２が備える基板搬送ユニットとして一般的なスカラ型や直動式のダブルアーム型の搬送アームを用いた場合、該搬送アームの動作可能領域をロードロックモジュール１２２の内部に確保する必要があるため、ロードロックモジュール１２２の内部容積を大きくする必要がある。一方、ロードロックモジュール１２２は内部状態を大気／真空へ切替可能に構成される必要があるため、ロードロックモジュール１２２の内部容積が大きいと、ガラス基板の搬出入時の内部状態の大気／真空の切替に時間を要し、結果として、フラットパネルディスプレイの製造効率を向上させることができないという問題がある。
【００１３】
本発明の目的は、基板の処理効率を向上させることができる基板処理システム及び基板搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理システムは、真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置を有し、前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置することを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の基板処理システムは、請求項１記載の基板処理システムにおいて、前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の基板処理システムは、請求項１又は２記載の基板処理システムにおいて、前記基板は矩形を呈し、一辺の長さは１．８ｍ以上であることを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の基板処理システムは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材と各前記第１の上部摺動部材とは同期して摺動し、前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材と各前記第２の上部摺動部材とは同期して摺動することを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の基板処理システムは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする。
【００１９】
請求項６記載の基板処理システムは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記上部基板搬送機構において各前記第１の上部摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の上部摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項７記載の基板搬送方法は、真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置、並びに前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を有し、前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置する基板処理システムにおける基板搬送方法であって、前記第２の基板搬送装置が搬入する未処理の基板を前記上部基板搬送機構が受け取る第１の受け取りステップと、前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を上昇させる第１の上昇ステップと、前記下部基板搬送機構が前記第２の中間摺動部材及び前記第２の上部摺動部材を摺動させて処理済みの基板を前記基板処理装置から搬出する搬出ステップと、前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を下降させる下降ステップと、前記上部基板搬送機構が前記第１の中間摺動部材及び前記第１の上部摺動部材を摺動させて前記未処理の基板を前記基板処理装置に搬入する搬入ステップと、前記上部基板搬送機構のみが上昇する第２の上昇ステップと、前記複数のピン状部材が突出して前記処理済みの基板を前記下部基板搬送機構から離間させて上昇させる第３の上昇ステップと、前記第２の基板搬送装置が前記上昇した前記処理済みの基板を受け取る第２の受け取りステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１の基板搬送装置における上部基板搬送機構は、第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有するので、基板を基板処理装置に対して搬出入するとき以外、第１のガイド、第１の中間摺動部材及び第１の上部摺動部材を重ねることによって上部基板搬送機構を小さくすることができる。また、第１の基板搬送装置における下部基板搬送機構は、第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有するので、基板を基板処理装置に対して搬出入するとき以外、第２のガイド、第２の中間摺動部材及び第２の上部摺動部材を重ねることによって下部基板搬送機構を小さくすることができる。
【００２２】
さらに、第１の基板搬送装置は１つの基板処理装置にしか接続されていないため、第１の基板搬送装置は１つの基板処理装置に対する基板の搬出入を行えばよい。また、上部基板搬送機構は上昇することによって下部基板搬送機構による基板の搬出入や受け渡しを阻害することがなく、下部基板搬送機構は下降することによって上部基板搬送機構による基板の搬出入や受け渡しを阻害することがない。したがって、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構は回転する必要がなく、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構の構成を簡素化することができ、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構をより小さくすることができる。
【００２３】
その結果、第１の基板搬送装置の内部容積を小さくすることができ、もって、第１の基板搬送装置の内部状態の大気／真空の切替に時間を要することがない。これにより、基板の処理効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】従来の基板処理システムで用いられる基板搬送ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。
【図３】図１における線Ａ−Ａに関する断面図である。
【図４】図３における上部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図４（Ａ）は上部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における線Ｂ−Ｂに関する断面図である。
【図５】ガイドレール、ガイドアーム及びピックの位置関係を説明するための拡大断面図である。
【図６】図３における下部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図６（Ａ）は下部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）における線Ｃ−Ｃに関する断面図である。
【図７】本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスを説明するための工程図である。
【図８】本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスを説明するための工程図である。
【図９】上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構の変形例を示す図であり、図９（Ａ）は水平断面図であり、図９（Ｂ）は縦断面図である。
【図１０】上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構におけるピックの変形例を示す拡大断面図である。
【図１１】第７世代以降のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【図１２】第１１世代のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。この基板処理システムは、一辺の長さが１．８ｍ以上の矩形のガラス基板、特に、第１１世代以降のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板に枚葉でプラズマエッチング処理を施す。なお、図１では、基板処理システムの構成の理解を容易にするために、後述のロードロックモジュール１３やプロセスチャンバ１１は水平断面図を用いて示している。
【００２７】
図１において、基板処理システム１０は、筐体状のプロセスチャンバ１１（基板処理装置）と、該プロセスチャンバ１１とゲートバルブ１２を介して接続される筐体状のロードロックモジュール１３（第１の基板搬送装置）と、該ロードロックモジュール１３に接続されてプロセスチャンバ１１とロードロックモジュール１３を挟んで対向するように配置される大気系搬送装置１４（第２の基板搬送装置）と、該大気系搬送装置１４と接続されて該大気系搬送装置１４に関してロードロックモジュール１３から図中時計回り及び反時計回りに約９０°回転移動した位置に配置されるカセット１５（基板供給装置）及びカセット１６（基板収容装置）とを備える。また、ロードロックモジュール１３の大気系搬送装置１４に対向する側面にはゲートバルブ１７が設けられている。
【００２８】
プロセスチャンバ１１は真空に維持された内部にガラス基板Ｇを収容し、該内部において生じたプラズマを用いてガラス基板Ｇにプラズマエッチング処理を施す。また、プロセスチャンバ１１は内部にガラス基板Ｇを載置する基板載置台１８を有する。
【００２９】
ロードロックモジュール１３は内部に後述する上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３を有し、不図示の排気装置や圧力制御バルブによって内部状態を大気／真空へ切替可能に構成されている。
【００３０】
カセット１５は複数の未処理のガラス基板Ｇをストックする枠体からなり、カセット１５において複数の未処理のガラス基板Ｇは互いに平行且つ所定の間隔を保って重ねられる。また、カセット１６は複数の処理済みのガラス基板Ｇをストックする枠体からなり、カセット１６において複数の処理済みのガラス基板Ｇは互いに平行且つ所定の間隔を保って重ねられる。
【００３１】
大気系搬送装置１４は搬送アーム機構１９を有する。該搬送アーム機構１９は大気に暴露され、ガラス基板Ｇを載置する櫛状のピック２０と、該ピック２０を支え且つ伸縮自在なスカラアーム（図示しない）と、該スカラアームを支え且つ回転自在な回転ベース２１とを有する。搬送アーム機構１９はスカラアームを伸縮し、回転ベース２１を回転させることにより、未処理のガラス基板Ｇをカセット１５から搬出してロードロックモジュール１３の上部基板搬送機構２２へ渡し、処理済みのガラス基板Ｇをロードロックモジュール１３の下部基板搬送機構２３から受け取ってカセット１６へ収容する。
【００３２】
ゲートバルブ１２は、プロセスチャンバ１１によるガラス基板Ｇのプラズマエッチング処理時には閉弁してプロセスチャンバ１１の内部及びロードロックモジュール１３の内部を仕切り、上部基板搬送機構２２による未処理のガラス基板Ｇのプロセスチャンバ１１への搬入時や下部基板搬送機構２３による処理済みのガラス基板Ｇのプロセスチャンバ１１からの搬出時には開弁してプロセスチャンバ１１の内部及びロードロックモジュール１３の内部を連通させる。また、ゲートバルブ１７は、ロードロックモジュール１３の内部状態が大気の場合、開弁して搬送アーム機構１９のピック２０が該内部へ進入可能なようにロードロックモジュール１３の側面に開口部を形成し、ロードロックモジュール１３の内部状態が真空の場合、閉弁してロードロックモジュール１３の内部を外部から仕切る。
【００３３】
ところで、従来の基板処理システムで用いられる基板搬送ユニット２００は、図２に示すように、回転軸（図示しない）に支持された略直方体のスライドベース２０１と、該スライドベース２０１に取り付けられてスライドベース２０１の長手方向（以下、単に「長手方向」という。）にスライド可能な下部ピックベース２０２と、スライドベース２０１に取り付けられてスライドベース２０１の長手方向にスライド可能な上部ピックベース２０３とを備える。下部ピックベース２０２及び上部ピックベース２０３からはそれぞれ４つの長棒状のピック２０４，２０５が長手方向に延出しており、下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３がスライドすることにより、各ピック２０４，２０５がプロセスチャンバの内部へ進入してガラス基板Ｇを搬送する。
【００３４】
この基板搬送ユニット２００では、下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３が各ピック２０４，２０５のスライドベース２０１に対する取り付け剛性を確保するため、上下方向に厚く構成される。
【００３５】
従来の基板処理システムにおいてロードロックモジュールに基板搬送ユニット２００を配置した場合、ゲートバルブがプロセスチャンバの側面に開口部を形成してプロセスチャンバの内部及びロードロックモジュールの内部を連通させても、基板搬送ユニット２００の下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３が厚く構成されるため、該下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３は開口部を通過することができず、プロセスチャンバの内部へ進入することができない。したがって、各ピック２０４，２０５の長さをできるだけ長く構成することによってガラス基板Ｇの搬送可能距離を稼ぐ必要がある。
【００３６】
各ピック２０４，２０５の長さを長くすれば長くするほど、ガラス基板Ｇの搬送時に各ピック２０４，２０５の振れが大きくなり、且つ各ピック２０４，２０５の重量も重くなる。したがって、各ピック２０４，２０５の振れを防ぎ、各ピック２０４，２０５を安定的に支持するために各ピック２０４，２０５のスライドベース２０１に対する取り付け剛性をより高くする必要がある。各ピック２０４，２０５の取り付け剛性をより高くするには、下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３の静的剛性だけでなくスライドベース２０１の静的剛性を高くする必要があるため、スライドベース２０１の厚さも大きくする必要がある。
【００３７】
また、基板搬送ユニット２００では、スライドベース２０１が回転することによって該基板搬送ユニット２００全体が回転するが、回転時に慣性力によってスライドベース２０１が撓むのを防止するためにスライドベース２０１の静的剛性をより高くする必要があり、その結果、スライドベース２０１の厚さをより大きくする必要がある。
【００３８】
ところが、スライドベース２０１の厚さを大きくすると、基板搬送ユニット２００が大型化する。また、上述したように、基板搬送ユニット２００では各ピック２０４，２０５ができるだけ長く構成されるので、各ピック２０４，２０５を収容する場合、すなわち、各ピック２０４，２０５をスライドベース２０１へ重ねた場合であっても、基板搬送ユニット２００はさほど小さくならない。したがって、結果として基板搬送ユニット２００が大型化する。これにより、ロードロックモジュールの内部容積を大きくする必要がある。
【００３９】
さらに、基板搬送ユニット２００は回転するために、ロードロックモジュール１３の内部に回転可能な領域を確保する必要があり、ロードロックモジュールの内部容積をより大きくする必要がある。
【００４０】
ロードロックモジュールの内部容積が大きくなると、内部状態の大気／真空の切替に時間を要し、フラットパネルディスプレイの製造効率を向上させることができない。
【００４１】
本実施の形態では、これに対応して、基板搬送ユニットを小型化し、且つ基板搬送ユニットの回転を不要にする。具体的には、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構を小型化し、さらに、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構が一方向にのみガラス基板Ｇを搬送するだけでロードロックモジュール及びプロセスチャンバの間のガラス基板Ｇの入れ替えを実行できるように基板搬送ユニットを構成する。
【００４２】
図３は、図１における線Ａ−Ａに関する断面図であり、本実施の形態に係る基板処理システムにおける第１の基板搬送装置としてのロードロックモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
【００４３】
図３において、ロードロックモジュール１３は、該ロードロックモジュール１３の内部において図中上下に重なるように配置される上部基板搬送機構２２及下部基板搬送機構２３を備え、さらに、ロードロックモジュール１３の内部Ｓ（以下、単に「内部Ｓ」という。）において底部から図中上方へ向けて突出し、上下動自在な複数のバッファーピン２４（ピン状部材）と、ロードロックモジュール１３の内部の状態を大気/真空へ切り換える排気装置や圧力制御バルブ（図示しない）とを備える。
【００４４】
上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３は互いに独立して上下動する。具体的には、上部基板搬送機構２２は、搬送アーム機構１９のピック２０から未処理のガラス基板Ｇを受け取る位置、若しくは、未処理のガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１へ搬入する位置である基板受け渡し位置と、下部基板搬送機構２３がガラス基板Ｇの受け渡しを行う際、下部基板搬送機構２３の作業空間を確保するために上部基板搬送機構２２が退避する退避先である上部退避位置との間を昇降する。内部Ｓにおいて上部退避位置は基板受け渡し位置よりも上方に位置する。
【００４５】
また、下部基板搬送機構２３は、処理済みのガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１から搬出する位置、若しくは、搬送アーム機構１９のピック２０へ処理済みのガラス基板Ｇを渡す位置である基板受け渡し位置と、上部基板搬送機構２２がガラス基板Ｇの受け渡しを行う際、上部基板搬送機構２２の作業空間を確保するために下部基板搬送機構２３が退避する退避先である下部退避空間との間を昇降する。内部Ｓにおいて下部退避位置は基板受け渡し位置よりも下方に位置する。なお、上部基板搬送機構２２の基板受け渡し位置と下部基板搬送機構２３の基板受け渡し位置とは同じである。
【００４６】
図４は、図３における上部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図４（Ａ）は上部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における線Ｂ−Ｂに関する断面図である。
【００４７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）において、上部基板搬送機構２２は、互いに平行且つプロセスチャンバ１１へ（図中右方へ）向けて延伸された４つのガイドレール２５（第１のガイド）が配された板状の昇降ベース２６（第１の基部）と、各ガイドレール２５に対応して設けられた長細の角柱状を呈するガイドアーム２７（第１の中間摺動部材）と、各ガイドアーム２７に対応して設けられた長細の薄板体からなるピック２８（第１の上部摺動部材）とを有する。上部基板搬送機構２２では、４つのピック２８が協働して１枚の未処理のガラス基板Ｇを載置する。
【００４８】
上部基板搬送機構２２では、図５に示すように、昇降ベース２６において、下方からガイドレール２５、ガイドアーム２７及びピック２８の順で重ねられる。ガイドアーム２７は全長に亘って下面に設けられたガイド溝２７ａを有し、該ガイド溝２７ａを介してガイドレール２５と遊嵌する。また、ピック２８は薄板体を断面Ｕの字状に折り曲げて形成され、Ｕの字で形成される内部空間にガイドアーム２７を収容することによってガイドアーム２７と遊嵌する。
【００４９】
上部基板搬送機構２２は不図示の駆動源を有し、該駆動源が付与する駆動力により、ガイドアーム２７はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドレール２５に対して相対的に摺動し、且つピック２８はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドアーム２７に対して相対的に摺動する。このとき、４つのガイドアーム２７は互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動し、４つのピック２８も互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動する。また、各ガイドアーム２７と各ピック２８とは同期して摺動するので、ガイドアーム２７及びピック２８のいずれか一方の摺動中に他方が停止して上部基板搬送機構２２において衝撃が生じるのを防止することができる。これにより、ピック２８に載置された未処理のガラス基板Ｇの位置ずれが発生するのを防止することができ、未処理のガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１の基板載置台１８における所定の位置に正確に載置することができる。
【００５０】
上部基板搬送機構２２では、ガイドアーム２７及びピック２８がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す状態）、ピック２８に載置された未処理のガラス基板Ｇが基板載置台１８の上方に到達するように、ガイドアーム２７及びピック２８の長さ、並びに摺動可能範囲が設定される。
【００５１】
また、上部基板搬送機構２２では、プロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したガイドアーム２７及びピック２８は、駆動源が付与する駆動力により、大気系搬送装置１４へ向けて摺動し、昇降ベース２６と重ねられる（図３に示す状態）。
【００５２】
以下、ガイドアーム２７及びピック２８がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す状態）を「伸長状態」といい、ガイドアーム２７及びピック２８が大気系搬送装置１４側へ最大限摺動したとき（図３に示す状態）を「短縮状態」という。なお、上部基板搬送機構２２は基板受け渡し位置に位置する場合のみ、短縮状態から伸長状態、及び伸長状態から短縮状態へ遷移可能であり、上部退避位置に位置する場合は短縮状態のままである。
【００５３】
図６は、図３における下部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図６（Ａ）は下部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）における線Ｃ−Ｃに関する断面図である。
【００５４】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）において、下部基板搬送機構２３は、互いに平行且つプロセスチャンバ１１へ（図中右方へ）向けて延伸された４つのガイドレール２９（第２のガイド）が配された板状の昇降ベース３０（第２の基部）と、各ガイドレール２９に対応して設けられた長細の角柱状を呈するガイドアーム３１（第２の中間摺動部材）と、各ガイドアーム３１に対応して設けられた長細の薄板体からなるピック３２（第２の上部摺動部材）とを有する。下部基板搬送機構２３では、４つのピック３２が協働して１枚の処理済みのガラス基板Ｇを載置する。
【００５５】
下部基板搬送機構２３では、図５に示すように、昇降ベース３０において、下方からガイドレール２９、ガイドアーム３１及びピック３２の順で重ねられる。ガイドアーム３１は全長に亘って下面に設けられたガイド溝３１ａを有し、該ガイド溝３１ａを介してガイドレール２９と遊嵌する。また、ピック３２は薄板体を断面Ｕの字状に折り曲げて形成され、 Ｕの字で形成される内部空間にガイドアーム３１を収容することによってガイドアーム３１と遊嵌する。
【００５６】
下部基板搬送機構２３は不図示の駆動源を有し、該駆動源が付与する駆動力により、ガイドアーム３１はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドレール２９に対して相対的に摺動し、且つピック３２はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドアーム３１に対して相対的に摺動する。このとき、４つのガイドアーム３１は互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動し、４つのピック３２も互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動する。また、各ガイドアーム３１と各ピック３２とは同期して摺動するので、ガイドアーム３１及びピック３２のいずれか一方の摺動中に他方が停止して下部基板搬送機構２３において衝撃が生じるのを防止することができる。これにより、ピック３２に載置された処理済みのガラス基板Ｇの位置ずれが発生するのを防止することができる。
【００５７】
下部基板搬送機構２３では、ガイドアーム３１及びピック３２がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す状態）、ピック３２が基板載置台１８の上方に到達するように、ガイドアーム３１及びピック３２の長さ、並びに摺動可能範囲が設定される。
【００５８】
また、下部基板搬送機構２３では、プロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したガイドアーム３１及びピック３２は、駆動源が付与する駆動力により、大気系搬送装置１４へ向けて摺動し、昇降ベース３０と重ねられる（図３に示す状態）。
【００５９】
以下、ガイドアーム３１及びピック３２がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す状態）を「伸長状態」といい、ガイドアーム３１及びピック３２が大気系搬送装置１４側へ最大限摺動したとき（図３に示す状態）を「短縮状態」という。なお、下部基板搬送機構２３は基板受け渡し位置に位置する場合のみ、短縮状態から伸長状態、及び伸長状態から短縮状態へ遷移可能であり、下部退避位置に位置する場合は短縮状態のままである。
【００６０】
上部基板搬送機構２２では、昇降ベース２６において複数のバッファーピン２４に対応した位置に貫通孔（図示しない）が設けられ、各バッファーピン２４は各貫通孔と遊嵌する。また、下部基板搬送機構２３では、昇降ベース３０において複数のバッファーピン２４に対応した位置に貫通孔（図示しない）が設けられ、各バッファーピン２４は各貫通孔と遊嵌する。したがって、上部基板搬送機構２２の位置や下部基板搬送機構２３の位置にかかわらず、複数のバッファーピン２４は自在に上下動することができる。また、複数のバッファーピン２４は駆動源（図示しない）からの駆動力により、同期して上下動するので、複数のバッファーピン２４が協働してガラス基板Ｇを支えながら上下動する際、支えられたガラス基板Ｇは傾くことがない。その結果、ガラス基板Ｇの位置ずれが発生するのを防止することができる。
【００６１】
また、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３は、後述するように回転する必要がないため、各構成部材に回転による慣性力が作用することがなく、撓みを防止するために各構成部材の取り付け剛性を、従来の基板搬送ユニット２００における上部基板搬送機構２０３及び下部基板搬送機構２０４の各構成部材の取り付け剛性ほど確保する必要はない。したがって、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３では、各ガイドアーム２７は互いに連結する必要がなく、各ガイドアーム３１も互いに連結する必要がない。さらに、各ピック２８は互いに連結する必要がなく、各ピック３２も互いに連結する必要がない。したがって、従来の基板搬送ユニット２００におけるピックベース２０７のような連結部材は必要ない。
【００６２】
本実施の形態に係る基板処理システム１０によれば、ロードロックモジュール１３における上部基板搬送機構２２は、昇降ベース２６のガイドレール２５に対して相対的に摺動する４つのガイドアーム２７と、ガイドアーム２７に対して相対的に摺動する４つのピック２８とを有するので、短縮状態において昇降ベース２６、ガイドアーム２７及びピック２８を重ねることによって上部基板搬送機構２２を小さくすることができる。また、ロードロックモジュール１３における下部基板搬送機構２３は、昇降ベース３０のガイドレール２９に対して相対的に摺動する４つのガイドアーム３１と、ガイドアーム３１に対して相対的に摺動する４つのピック３２とを有するので、短縮状態において昇降ベース３０、ガイドアーム３１及びピック３２を重ねることによって下部基板搬送機構２３を小さくすることができる。その結果、ロードロックモジュール１３の内部容積を小さくすることができ、もって、ロードロックモジュール１３の内部状態の大気／真空の切替に時間を要することがない。これにより、ガラス基板Ｇの処理効率を向上させることができる。
【００６３】
上述した基板処理システム１０では、上部基板搬送機構２２において各ガイドアーム２７は互いに連結されず、且つ各ピック２８も互いに連結されない。また、下部基板搬送機構２３において各ガイドアーム３１は互いに連結されず、且つ各ピック３２も互いに連結されない。これにより、ガイドアーム２７、ピック２８、ガイドアーム３１並びに、ピック３２の連結部材が不要となり、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３をより小さくすることができる。
【００６４】
なお、上記の実施の形態では、基板処理システムの基板搬送ユニットがガイドレール、ガイドアーム及びピックをそれぞれ４つずつ備える場合について説明したが、ガイドレール、ガイドアーム及びピックの数は、ガラス基板Ｇを支持及び搬送が可能な数であれば、特に限られることはない。
【００６５】
次に、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。
【００６６】
図７及び図８は、本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスを説明するための工程図である。本搬送シーケンスは基板処理システム１０におけるロードロックモジュール１３が主に実行する。なお、図７（Ａ）、図７（Ｃ）、図７（Ｅ）、図７（Ｇ）、図８（Ａ）、図８（Ｃ）、図８（Ｅ）及び図８（Ｇ）は図１における線Ａ−Ａに関する断面図であり、図７（Ｂ）、図７（Ｄ）、図７（Ｆ）、図７（Ｈ）、図８（Ｂ）、図８（Ｄ）、図８（Ｆ）及び図８（Ｈ）は図１における線Ａ−Ａに関する断面図である。
【００６７】
まず、上部基板搬送機構２２が基板受け渡し位置に位置し、下部基板搬送機構２３が下部退避位置に位置する。また、複数のバッファーピン２４が昇降ベース３０の各貫通孔を通過して上昇し、所定の位置で待機する。その後、ゲートバルブ１７（図示しない）が開弁して未処理のガラス基板Ｇを載置するピック２０が内部Ｓへ進入してガラス基板Ｇを上部基板搬送機構２２の直上まで搬送する（図７（Ａ）、図７（Ｂ））。
【００６８】
次いで、ピック２０が下降してガラス基板Ｇの下面を各バッファーピン２４に接触させ、その後、ピック２０はさらに下降する。これにより、ガラス基板Ｇはピック２０から離間し、各バッファーピン２４はガラス基板Ｇを支持する。（図７（Ｃ）、図７（Ｄ））。
【００６９】
次いで、ピック２０は内部Ｓから退出し、ゲートバルブ１７が閉弁し、排気装置や圧力制御バルブがロードロックモジュール１３の内部状態を真空へ切り替える。さらに、２つのポジショナ（pisitioner）３３が未処理のガラス基板Ｇの縁に当接することによって未処理のガラス基板Ｇの位置を調整する（図７（Ｅ）、図７（Ｆ））。
【００７０】
なお、ガイドアーム２７，３１やピック２８，３２の摺動方向（ガラス基板Ｇの搬送方向）に関するガラス基板Ｇの位置補正については、例えば、ガラス基板Ｇが搬送アーム機構１９のピック２０に保持された状態において別途設けられるズレ量センサ（図示しない）でガラス基板Ｇの伸縮方向のズレを検出し、該検出されたズレに基づいてピック２０を支持するスカラアームで位置補正を行うことにより、ガラス基板Ｇにポジショナ３３を接触させることなく位置補正を行うこともできる。
【００７１】
次いで、上部基板搬送機構２２が上昇し、ピック２８がガラス基板Ｇの下面に当接した後も上部基板搬送機構２２は上部退避位置まで上昇する（第１の上昇ステップ）。これにより、上部基板搬送機構２２は未処理のガラス基板Ｇを受け取る。その後、複数のバッファーピン２４は下降し、下部基板搬送機構２３が基板受け渡し位置まで上昇し（第１の上昇ステップ）、ゲートバルブ１２が開弁する。
【００７２】
次いで、下部基板搬送機構２３は、ガイドアーム３１及びピック３２をプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動させ、プロセスチャンバ１１の基板載置台１８から複数のプッシャーピン（図示しない）によって持ち上げられた処理済みのガラス基板Ｇをピック３２へ受け取り（図７（Ｇ）、図７（Ｈ））、さらに、ガイドアーム３１及びピック３２を大気系搬送装置１４側へ最大限摺動させて処理済みのガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１から搬出し、下部基板搬送機構２３の直上まで搬送する（搬出ステップ）。
【００７３】
次いで、処理済みのガラス基板Ｇを載置した下部基板搬送機構２３が下部退避位置まで下降し、上部基板搬送機構２２が基板受け渡し位置まで下降する（下降ステップ）。その後、上部基板搬送機構２２は、ガイドアーム２７及びピック２８をプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動させ、プロセスチャンバ１１の基板載置台１８から突出する複数のプッシャーピン（図示しない）へ未処理のガラス基板Ｇを受け渡す（図８（Ａ）、図８（Ｂ））（搬入ステップ）。
【００７４】
次いで、上部基板搬送機構２２は、ガイドアーム２７及びピック２８を大気系搬送装置１４側へ最大限摺動させて短縮状態へ遷移し、上部退避位置まで上昇する（第２の上昇ステップ）。その後、複数のバッファーピン２４が上昇し、下部基板搬送機構２３のピック３２に載置された処理済みのガラス基板Ｇをピック３２から離間させた後も上昇を継続し、処理済みのガラス基板Ｇを所定の位置まで上昇させる（第３の上昇ステップ）。さらに、２つのポジショナ３３が処理済みのガラス基板Ｇの縁に当接することによって処理済みのガラス基板Ｇの位置を調整する（図８（Ｃ）、図８（Ｄ））。
【００７５】
なお、ガラス基板Ｇの搬送方向に関する位置補正については、前述した大気系搬送装置１４からロードロックモジュール１３へガラス基板Ｇを搬入した場合（図７（Ａ）〜図７（Ｆ））と同様に、例えば、ピック２０を支持するスカラアームで位置補正を行うことにより、ガラス基板Ｇにポジショナ３３を接触させることなく位置補正を行うこともできる。
【００７６】
次いで、ゲートバルブ１２が閉弁し、排気装置や圧力制御バルブがロードロックモジュール１３の内部状態を大気へ切り替える。その後、ゲートバルブ１７が開弁し、ピック２０が内部Ｓへ進入して処理済みのガラス基板Ｇの直下に位置する（図８（Ｅ）、図８（Ｆ））。
【００７７】
次いで、ピック２０が上昇し、処理済みのガラス基板Ｇの下面に当接した後も所定の位置まで上昇して処理済みのガラス基板Ｇを複数のバッファーピン２４から離間させる。これにより、ピック２０は処理済みのガラス基板Ｇを受け取る（図８（Ｇ）、図８（Ｈ））（第２の受け取りステップ）。
【００７８】
次いで、処理済みのガラス基板Ｇを載置したピック２０が内部Ｓから退出し、本搬送シーケンスを終了する。
【００７９】
本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスによれば、ロードロックモジュール１３は１つのプロセスチャンバ１１にしか接続されていないため、ロードロックモジュール１３は１つのプロセスチャンバ１１に対するガラス基板Ｇの搬出入を行えばよい。また、上部基板搬送機構２２は上昇することによって下部基板搬送機構２３によるガラス基板Ｇの搬出入や受け渡しを阻害することがなく、下部基板搬送機構２３は下降することによって上部基板搬送機構２２によるガラス基板Ｇの搬出入や受け渡しを阻害することがない。したがって、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３は回転する必要がない。
【００８０】
上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３が回転しないならば、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３の各構成部材に回転による慣性力が作用することがなく、慣性力による撓みを防止するために各構成部材の静的剛性を、従来の基板搬送ユニット２００における上部基板搬送機構２０３及び下部基板搬送機構２０４の各構成部材の静的剛性ほど高くする必要はない。その結果、昇降ベース２６，３０、ガイドアーム２７，３１やピック２８，３２を薄く構成する、例えば、厚さ１００ｍｍ以下に構成することができ、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３をより小さくすることができる。
【００８１】
また、ガイドアーム２７，３１を薄く構成できるので、伸長状態においてガイドアーム２７，３１はプロセスチャンバ１１の側面の開口部を通過することができる。その結果、ピック２８，３２をさほど長く構成しなくても、ガラス基板Ｇの搬送可能距離を所望値以上に確保することができる。すなわち、ピック２８，３２を短く構成できるので、ピック２８，３２の振れを防ぐためにピック２８，３２の取り付け剛性を高くする必要がない。その結果、ピック２８，３２が取り付けられるガイドアーム２７，３１や、該ガイドアーム２７，３１が取り付けられる昇降ベース２６，３０の静的剛性を高くする必要がなく、これにより、ガイドアーム２７，３１や昇降ベース２６，３０をより薄く構成することができる。その結果、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３をさらに小さくすることができる。
【００８２】
以上より、ロードロックモジュール１３の内部容積を小さくすることができ、もって、ロードロックモジュール１３の内部状態の大気／真空の切替に時間を要することがない。これにより、ガラス基板Ｇの処理効率を向上させることができる。
【００８３】
上述した基板処理システム１０では、各ガイドアーム２７、各ピック２８、各ガイドアーム３１、並びに各ピック３２はそれぞれ互いに連結されないが、連結部材によって互いに連結されてもよい。例えば、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、各ガイドアーム２７が連結部材としてのアームベース３４によって互いに連結され、各ガイドアーム３１がアームベース３５によって連結されてもよい。
【００８４】
上述した基板処理システム１０では、ピック２８やピック３２は薄板体を断面Ｕの字状に折り曲げて形成されたが、図１０に示すように、単なる長細薄板体によって形成してもよい。この場合、ガイドアーム２７，３１の上面にスリットを設け、ピック２８，３２の下面にピン等のガイドを設け、スリットにピンを遊嵌させるのが好ましい。
【００８５】
また、上述した基板処理システム１０では、上部基板搬送機構２２が未処理のガラス基板Ｇを搬送し、下部基板搬送機構２３が処理済みのガラス基板Ｇを搬送したが、上部基板搬送機構２２が処理済みのガラス基板Ｇを搬送し、下部基板搬送機構２３が未処理のガラス基板Ｇを搬送してもよい。
【００８６】
また、上述した基板処理システム１０では、バッファーピン２４及びピック２０の間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う際、ピック２０が昇降して受け渡しを行ったが、バッファ２４が昇降して受け渡しを行ってもよい。
【００８７】
以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８８】
Ｇ ガラス基板
１０ 基板処理システム
１１ プロセスチャンバ
１３ ロードロックモジュール
２２ 上部基板搬送機構
２３ 下部基板搬送機構
２４ バッファーピン
２５，２９ ガイドレール
２６，３０ 昇降ベース
２７，３１ ガイドアーム
２８，３２ ピック
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイパネル用の基板を処理する基板処理システム、及び該基板処理システムにおける基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等に用いられるガラス基板には、該ガラス基板上に微細な配線等を構成するために、プラズマエッチング処理が施される。通常、ガラス基板へのプラズマエッチング処理は基板処理システムで行われる。
【０００３】
第６世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板にプラズマエッチング処理を施す基板処理システムは、プロセスチャンバ（処理室）及び該プロセスチャンバへのガラス基板の搬出入を行うロードロックモジュールを備える。この基板処理システムでは、プロセスチャンバ内において、基板載置台上にてガラス基板を上昇又は下降させる第１のリフターピンとは別の第２リフターピンを使用した基板入替え方式が用いられ、第２のリフターピンはガラス基板の端を数カ所において保持して該ガラス基板を上昇又は下降させるので、ガラス基板の搬出入を行うロードロックモジュール内の搬送アームの構造を簡素化、具体的には、シングルアーム型・上下回転軸レス型の省スペース且つシンプルな構造とすることができ、もって、装置の製造コストとフラットパネルディスプレイの生産性とを両立することができる。
【０００４】
ところが、第７世代以降のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムでは、ガラス基板のサイズの大型化により、基板支持位置が制限される第２リフターピンを使用した基板入替えの際、第２リフターピンがガラス基板の適切な箇所を保持することができず、ガラス基板のたわみが大きく成り過ぎて基板割れにより搬送が不可能となることがある。そこで、これに対応して、現状は第２リフターピンを廃し、ロードロックモジュール内の搬送アームとしてダブルアーム型の搬送アームを採用し、該搬送アームによって基板入替えを行うことにより、ガラス基板のたわみの発生を防止している。
【０００５】
図１１は、第７世代以降のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【０００６】
図１１において、この基板処理システム１１０は、カセット１１３に収容された未処理のガラス基板を大気系搬送アーム１１４を介してトランスファモジュール１１２へ搬送するロードロックモジュール１１５を備える。該ロードロックモジュール１１５は処理済みガラス基板をトランスファモジュール１１２から大気系搬送アーム１１４を介してカセット１１６へ搬送する。プロセスチャンバ１１１やトランスファモジュール１１２の内部状態はほぼ真空に維持されているため、ロードロックモジュール１１５は内部状態を大気／真空に切替可能に構成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
また、基板処理システム１１０のトランスファモジュール１１２の内部には基板搬送ユニットとしてのスカラ型や直動型の搬送アーム（図示しない）が配置され、該搬送アームはトランスファモジュール１１２の内部においてガラス基板を載置したまま回転する。したがって、トランスファモジュール１１２の内部容積を大きくする必要があった。
【０００８】
近年、製造が開始されている第１０世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板は一辺が約３ｍ弱の長方形を呈するため、トランスファモジュール１１２の内部容積をさらに大きくする必要があり、その結果、トランスファモジュール１１２が巨大化する。また、基板処理システム１１０ではトランスファモジュール１１２及びロードロックモジュール１１５の間に真空断絶可能なゲートバルブ１１７が配置されるが、該ゲートバルブ１１７もトランスファモジュール１１２の巨大化に伴って巨大化するため、トランスファモジュール１１２やゲートバルブ１１７の製造コストが上昇するという問題が生じた。
【０００９】
近い将来に製造が開始される第１１世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板（一辺が約３ｍ超の長方形を呈する）では、上述したトランスファモジュール１１２等の製造コストの上昇がより顕著となる。そこで、トランスファモジュール１１２等の製造コストを削減するため、図１２に示すような、１つのプロセスチャンバ１２１と、該プロセスチャンバ１２１に接続された１つのロードロックモジュール１２２とを備える、第６世代のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板を処理する基板処理システムと似た構成を有する基板処理システム１２０が検討されている。
【００１０】
ところで、基板処理システム１２０は、プロセスチャンバ１２１を１つしか備えないので、ロードロックモジュール１２２がガラス基板の搬出入を行う間、他のガラス基板にプラズマエッチング処理を施すことができない。したがって、フラットパネルディスプレイの製造効率を向上させるためには、ロードロックモジュール１２２によるガラス基板の搬出入を短時間で行う必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２０８２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、ロードロックモジュール１２２が備える基板搬送ユニットとして一般的なスカラ型や直動式のダブルアーム型の搬送アームを用いた場合、該搬送アームの動作可能領域をロードロックモジュール１２２の内部に確保する必要があるため、ロードロックモジュール１２２の内部容積を大きくする必要がある。一方、ロードロックモジュール１２２は内部状態を大気／真空へ切替可能に構成される必要があるため、ロードロックモジュール１２２の内部容積が大きいと、ガラス基板の搬出入時の内部状態の大気／真空の切替に時間を要し、結果として、フラットパネルディスプレイの製造効率を向上させることができないという問題がある。
【００１３】
本発明の目的は、基板の処理効率を向上させることができる基板処理システム及び基板搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理システムは、真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置を有し、前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置することを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の基板処理システムは、請求項１記載の基板処理システムにおいて、前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の基板処理システムは、請求項１又は２記載の基板処理システムにおいて、前記基板は矩形を呈し、一辺の長さは１．８ｍ以上であることを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の基板処理システムは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材と各前記第１の上部摺動部材とは同期して摺動し、前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材と各前記第２の上部摺動部材とは同期して摺動することを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の基板処理システムは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする。
【００１９】
請求項６記載の基板処理システムは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記上部基板搬送機構において各前記第１の上部摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の上部摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項７記載の基板搬送方法は、真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置、並びに前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を有し、前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置する基板処理システムにおける基板搬送方法であって、前記第２の基板搬送装置が搬入する未処理の基板を前記上部基板搬送機構が受け取る第１の受け取りステップと、前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を上昇させる第１の上昇ステップと、前記下部基板搬送機構が前記第２の中間摺動部材及び前記第２の上部摺動部材を摺動させて処理済みの基板を前記基板処理装置から搬出する搬出ステップと、前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を下降させる下降ステップと、前記上部基板搬送機構が前記第１の中間摺動部材及び前記第１の上部摺動部材を摺動させて前記未処理の基板を前記基板処理装置に搬入する搬入ステップと、前記上部基板搬送機構のみが上昇する第２の上昇ステップと、前記複数のピン状部材が突出して前記処理済みの基板を前記下部基板搬送機構から離間させて上昇させる第３の上昇ステップと、前記第２の基板搬送装置が前記上昇した前記処理済みの基板を受け取る第２の受け取りステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１の基板搬送装置における上部基板搬送機構は、第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有するので、基板を基板処理装置に対して搬出入するとき以外、第１のガイド、第１の中間摺動部材及び第１の上部摺動部材を重ねることによって上部基板搬送機構を小さくすることができる。また、第１の基板搬送装置における下部基板搬送機構は、第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有するので、基板を基板処理装置に対して搬出入するとき以外、第２のガイド、第２の中間摺動部材及び第２の上部摺動部材を重ねることによって下部基板搬送機構を小さくすることができる。
【００２２】
さらに、第１の基板搬送装置は１つの基板処理装置にしか接続されていないため、第１の基板搬送装置は１つの基板処理装置に対する基板の搬出入を行えばよい。また、上部基板搬送機構は上昇することによって下部基板搬送機構による基板の搬出入や受け渡しを阻害することがなく、下部基板搬送機構は下降することによって上部基板搬送機構による基板の搬出入や受け渡しを阻害することがない。したがって、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構は回転する必要がなく、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構の構成を簡素化することができ、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構をより小さくすることができる。
【００２３】
その結果、第１の基板搬送装置の内部容積を小さくすることができ、もって、第１の基板搬送装置の内部状態の大気／真空の切替に時間を要することがない。これにより、基板の処理効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】従来の基板処理システムで用いられる基板搬送ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。
【図３】図１における線Ａ−Ａに関する断面図である。
【図４】図３における上部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図４（Ａ）は上部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における線Ｂ−Ｂに関する断面図である。
【図５】ガイドレール、ガイドアーム及びピックの位置関係を説明するための拡大断面図である。
【図６】図３における下部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図６（Ａ）は下部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）における線Ｃ−Ｃに関する断面図である。
【図７】本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスを説明するための工程図である。
【図８】本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスを説明するための工程図である。
【図９】上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構の変形例を示す図であり、図９（Ａ）は水平断面図であり、図９（Ｂ）は縦断面図である。
【図１０】上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構におけるピックの変形例を示す拡大断面図である。
【図１１】第７世代以降のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【図１２】第１１世代のフラットパネルディスプレイにプラズマエッチング処理を施す基板処理システムの構成を概略的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。この基板処理システムは、一辺の長さが１．８ｍ以上の矩形のガラス基板、特に、第１１世代以降のフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板に枚葉でプラズマエッチング処理を施す。なお、図１では、基板処理システムの構成の理解を容易にするために、後述のロードロックモジュール１３やプロセスチャンバ１１は水平断面図を用いて示している。
【００２７】
図１において、基板処理システム１０は、筐体状のプロセスチャンバ１１（基板処理装置）と、該プロセスチャンバ１１とゲートバルブ１２を介して接続される筐体状のロードロックモジュール１３（第１の基板搬送装置）と、該ロードロックモジュール１３に接続されてプロセスチャンバ１１とロードロックモジュール１３を挟んで対向するように配置される大気系搬送装置１４（第２の基板搬送装置）と、該大気系搬送装置１４と接続されて該大気系搬送装置１４に関してロードロックモジュール１３から図中時計回り及び反時計回りに約９０°回転移動した位置に配置されるカセット１５（基板供給装置）及びカセット１６（基板収容装置）とを備える。また、ロードロックモジュール１３の大気系搬送装置１４に対向する側面にはゲートバルブ１７が設けられている。
【００２８】
プロセスチャンバ１１は真空に維持された内部にガラス基板Ｇを収容し、該内部において生じたプラズマを用いてガラス基板Ｇにプラズマエッチング処理を施す。また、プロセスチャンバ１１は内部にガラス基板Ｇを載置する基板載置台１８を有する。
【００２９】
ロードロックモジュール１３は内部に後述する上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３を有し、不図示の排気装置や圧力制御バルブによって内部状態を大気／真空へ切替可能に構成されている。
【００３０】
カセット１５は複数の未処理のガラス基板Ｇをストックする枠体からなり、カセット１５において複数の未処理のガラス基板Ｇは互いに平行且つ所定の間隔を保って重ねられる。また、カセット１６は複数の処理済みのガラス基板Ｇをストックする枠体からなり、カセット１６において複数の処理済みのガラス基板Ｇは互いに平行且つ所定の間隔を保って重ねられる。
【００３１】
大気系搬送装置１４は搬送アーム機構１９を有する。該搬送アーム機構１９は大気に暴露され、ガラス基板Ｇを載置する櫛状のピック２０と、該ピック２０を支え且つ伸縮自在なスカラアーム（図示しない）と、該スカラアームを支え且つ回転自在な回転ベース２１とを有する。搬送アーム機構１９はスカラアームを伸縮し、回転ベース２１を回転させることにより、未処理のガラス基板Ｇをカセット１５から搬出してロードロックモジュール１３の上部基板搬送機構２２へ渡し、処理済みのガラス基板Ｇをロードロックモジュール１３の下部基板搬送機構２３から受け取ってカセット１６へ収容する。
【００３２】
ゲートバルブ１２は、プロセスチャンバ１１によるガラス基板Ｇのプラズマエッチング処理時には閉弁してプロセスチャンバ１１の内部及びロードロックモジュール１３の内部を仕切り、上部基板搬送機構２２による未処理のガラス基板Ｇのプロセスチャンバ１１への搬入時や下部基板搬送機構２３による処理済みのガラス基板Ｇのプロセスチャンバ１１からの搬出時には開弁してプロセスチャンバ１１の内部及びロードロックモジュール１３の内部を連通させる。また、ゲートバルブ１７は、ロードロックモジュール１３の内部状態が大気の場合、開弁して搬送アーム機構１９のピック２０が該内部へ進入可能なようにロードロックモジュール１３の側面に開口部を形成し、ロードロックモジュール１３の内部状態が真空の場合、閉弁してロードロックモジュール１３の内部を外部から仕切る。
【００３３】
ところで、従来の基板処理システムで用いられる基板搬送ユニット２００は、図２に示すように、回転軸（図示しない）に支持された略直方体のスライドベース２０１と、該スライドベース２０１に取り付けられてスライドベース２０１の長手方向（以下、単に「長手方向」という。）にスライド可能な下部ピックベース２０２と、スライドベース２０１に取り付けられてスライドベース２０１の長手方向にスライド可能な上部ピックベース２０３とを備える。下部ピックベース２０２及び上部ピックベース２０３からはそれぞれ４つの長棒状のピック２０４，２０５が長手方向に延出しており、下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３がスライドすることにより、各ピック２０４，２０５がプロセスチャンバの内部へ進入してガラス基板Ｇを搬送する。
【００３４】
この基板搬送ユニット２００では、下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３が各ピック２０４，２０５のスライドベース２０１に対する取り付け剛性を確保するため、上下方向に厚く構成される。
【００３５】
従来の基板処理システムにおいてロードロックモジュールに基板搬送ユニット２００を配置した場合、ゲートバルブがプロセスチャンバの側面に開口部を形成してプロセスチャンバの内部及びロードロックモジュールの内部を連通させても、基板搬送ユニット２００の下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３が厚く構成されるため、該下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３は開口部を通過することができず、プロセスチャンバの内部へ進入することができない。したがって、各ピック２０４，２０５の長さをできるだけ長く構成することによってガラス基板Ｇの搬送可能距離を稼ぐ必要がある。
【００３６】
各ピック２０４，２０５の長さを長くすれば長くするほど、ガラス基板Ｇの搬送時に各ピック２０４，２０５の振れが大きくなり、且つ各ピック２０４，２０５の重量も重くなる。したがって、各ピック２０４，２０５の振れを防ぎ、各ピック２０４，２０５を安定的に支持するために各ピック２０４，２０５のスライドベース２０１に対する取り付け剛性をより高くする必要がある。各ピック２０４，２０５の取り付け剛性をより高くするには、下部ピックベース２０２や上部ピックベース２０３の静的剛性だけでなくスライドベース２０１の静的剛性を高くする必要があるため、スライドベース２０１の厚さも大きくする必要がある。
【００３７】
また、基板搬送ユニット２００では、スライドベース２０１が回転することによって該基板搬送ユニット２００全体が回転するが、回転時に慣性力によってスライドベース２０１が撓むのを防止するためにスライドベース２０１の静的剛性をより高くする必要があり、その結果、スライドベース２０１の厚さをより大きくする必要がある。
【００３８】
ところが、スライドベース２０１の厚さを大きくすると、基板搬送ユニット２００が大型化する。また、上述したように、基板搬送ユニット２００では各ピック２０４，２０５ができるだけ長く構成されるので、各ピック２０４，２０５を収容する場合、すなわち、各ピック２０４，２０５をスライドベース２０１へ重ねた場合であっても、基板搬送ユニット２００はさほど小さくならない。したがって、結果として基板搬送ユニット２００が大型化する。これにより、ロードロックモジュールの内部容積を大きくする必要がある。
【００３９】
さらに、基板搬送ユニット２００は回転するために、ロードロックモジュール１３の内部に回転可能な領域を確保する必要があり、ロードロックモジュールの内部容積をより大きくする必要がある。
【００４０】
ロードロックモジュールの内部容積が大きくなると、内部状態の大気／真空の切替に時間を要し、フラットパネルディスプレイの製造効率を向上させることができない。
【００４１】
本実施の形態では、これに対応して、基板搬送ユニットを小型化し、且つ基板搬送ユニットの回転を不要にする。具体的には、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構を小型化し、さらに、上部基板搬送機構及び下部基板搬送機構が一方向にのみガラス基板Ｇを搬送するだけでロードロックモジュール及びプロセスチャンバの間のガラス基板Ｇの入れ替えを実行できるように基板搬送ユニットを構成する。
【００４２】
図３は、図１における線Ａ−Ａに関する断面図であり、本実施の形態に係る基板処理システムにおける第１の基板搬送装置としてのロードロックモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
【００４３】
図３において、ロードロックモジュール１３は、該ロードロックモジュール１３の内部において図中上下に重なるように配置される上部基板搬送機構２２及下部基板搬送機構２３を備え、さらに、ロードロックモジュール１３の内部Ｓ（以下、単に「内部Ｓ」という。）において底部から図中上方へ向けて突出し、上下動自在な複数のバッファーピン２４（ピン状部材）と、ロードロックモジュール１３の内部の状態を大気/真空へ切り換える排気装置や圧力制御バルブ（図示しない）とを備える。
【００４４】
上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３は互いに独立して上下動する。具体的には、上部基板搬送機構２２は、搬送アーム機構１９のピック２０から未処理のガラス基板Ｇを受け取る位置、若しくは、未処理のガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１へ搬入する位置である基板受け渡し位置と、下部基板搬送機構２３がガラス基板Ｇの受け渡しを行う際、下部基板搬送機構２３の作業空間を確保するために上部基板搬送機構２２が退避する退避先である上部退避位置との間を昇降する。内部Ｓにおいて上部退避位置は基板受け渡し位置よりも上方に位置する。
【００４５】
また、下部基板搬送機構２３は、処理済みのガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１から搬出する位置、若しくは、搬送アーム機構１９のピック２０へ処理済みのガラス基板Ｇを渡す位置である基板受け渡し位置と、上部基板搬送機構２２がガラス基板Ｇの受け渡しを行う際、上部基板搬送機構２２の作業空間を確保するために下部基板搬送機構２３が退避する退避先である下部退避空間との間を昇降する。内部Ｓにおいて下部退避位置は基板受け渡し位置よりも下方に位置する。なお、上部基板搬送機構２２の基板受け渡し位置と下部基板搬送機構２３の基板受け渡し位置とは同じである。
【００４６】
図４は、図３における上部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図４（Ａ）は上部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における線Ｂ−Ｂに関する断面図である。
【００４７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）において、上部基板搬送機構２２は、互いに平行且つプロセスチャンバ１１へ（図中右方へ）向けて延伸された４つのガイドレール２５（第１のガイド）が配された板状の昇降ベース２６（第１の基部）と、各ガイドレール２５に対応して設けられた長細の角柱状を呈するガイドアーム２７（第１の中間摺動部材）と、各ガイドアーム２７に対応して設けられた長細の薄板体からなるピック２８（第１の上部摺動部材）とを有する。上部基板搬送機構２２では、４つのピック２８が協働して１枚の未処理のガラス基板Ｇを載置する。
【００４８】
上部基板搬送機構２２では、図５に示すように、昇降ベース２６において、下方からガイドレール２５、ガイドアーム２７及びピック２８の順で重ねられる。ガイドアーム２７は全長に亘って下面に設けられたガイド溝２７ａを有し、該ガイド溝２７ａを介してガイドレール２５と遊嵌する。また、ピック２８は薄板体を断面Ｕの字状に折り曲げて形成され、Ｕの字で形成される内部空間にガイドアーム２７を収容することによってガイドアーム２７と遊嵌する。
【００４９】
上部基板搬送機構２２は不図示の駆動源を有し、該駆動源が付与する駆動力により、ガイドアーム２７はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドレール２５に対して相対的に摺動し、且つピック２８はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドアーム２７に対して相対的に摺動する。このとき、４つのガイドアーム２７は互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動し、４つのピック２８も互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動する。また、各ガイドアーム２７と各ピック２８とは同期して摺動するので、ガイドアーム２７及びピック２８のいずれか一方の摺動中に他方が停止して上部基板搬送機構２２において衝撃が生じるのを防止することができる。これにより、ピック２８に載置された未処理のガラス基板Ｇの位置ずれが発生するのを防止することができ、未処理のガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１の基板載置台１８における所定の位置に正確に載置することができる。
【００５０】
上部基板搬送機構２２では、ガイドアーム２７及びピック２８がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す状態）、ピック２８に載置された未処理のガラス基板Ｇが基板載置台１８の上方に到達するように、ガイドアーム２７及びピック２８の長さ、並びに摺動可能範囲が設定される。
【００５１】
また、上部基板搬送機構２２では、プロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したガイドアーム２７及びピック２８は、駆動源が付与する駆動力により、大気系搬送装置１４へ向けて摺動し、昇降ベース２６と重ねられる（図３に示す状態）。
【００５２】
以下、ガイドアーム２７及びピック２８がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す状態）を「伸長状態」といい、ガイドアーム２７及びピック２８が大気系搬送装置１４側へ最大限摺動したとき（図３に示す状態）を「短縮状態」という。なお、上部基板搬送機構２２は基板受け渡し位置に位置する場合のみ、短縮状態から伸長状態、及び伸長状態から短縮状態へ遷移可能であり、上部退避位置に位置する場合は短縮状態のままである。
【００５３】
図６は、図３における下部基板搬送機構の構成を概略的に示す図であり、図６（Ａ）は下部基板搬送機構の構成及び動作を説明するための断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）における線Ｃ−Ｃに関する断面図である。
【００５４】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）において、下部基板搬送機構２３は、互いに平行且つプロセスチャンバ１１へ（図中右方へ）向けて延伸された４つのガイドレール２９（第２のガイド）が配された板状の昇降ベース３０（第２の基部）と、各ガイドレール２９に対応して設けられた長細の角柱状を呈するガイドアーム３１（第２の中間摺動部材）と、各ガイドアーム３１に対応して設けられた長細の薄板体からなるピック３２（第２の上部摺動部材）とを有する。下部基板搬送機構２３では、４つのピック３２が協働して１枚の処理済みのガラス基板Ｇを載置する。
【００５５】
下部基板搬送機構２３では、図５に示すように、昇降ベース３０において、下方からガイドレール２９、ガイドアーム３１及びピック３２の順で重ねられる。ガイドアーム３１は全長に亘って下面に設けられたガイド溝３１ａを有し、該ガイド溝３１ａを介してガイドレール２９と遊嵌する。また、ピック３２は薄板体を断面Ｕの字状に折り曲げて形成され、 Ｕの字で形成される内部空間にガイドアーム３１を収容することによってガイドアーム３１と遊嵌する。
【００５６】
下部基板搬送機構２３は不図示の駆動源を有し、該駆動源が付与する駆動力により、ガイドアーム３１はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドレール２９に対して相対的に摺動し、且つピック３２はプロセスチャンバ１１へ向けてガイドアーム３１に対して相対的に摺動する。このとき、４つのガイドアーム３１は互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動し、４つのピック３２も互いの相対的位置関係を維持しつつ摺動する。また、各ガイドアーム３１と各ピック３２とは同期して摺動するので、ガイドアーム３１及びピック３２のいずれか一方の摺動中に他方が停止して下部基板搬送機構２３において衝撃が生じるのを防止することができる。これにより、ピック３２に載置された処理済みのガラス基板Ｇの位置ずれが発生するのを防止することができる。
【００５７】
下部基板搬送機構２３では、ガイドアーム３１及びピック３２がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す状態）、ピック３２が基板載置台１８の上方に到達するように、ガイドアーム３１及びピック３２の長さ、並びに摺動可能範囲が設定される。
【００５８】
また、下部基板搬送機構２３では、プロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したガイドアーム３１及びピック３２は、駆動源が付与する駆動力により、大気系搬送装置１４へ向けて摺動し、昇降ベース３０と重ねられる（図３に示す状態）。
【００５９】
以下、ガイドアーム３１及びピック３２がプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動したとき（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す状態）を「伸長状態」といい、ガイドアーム３１及びピック３２が大気系搬送装置１４側へ最大限摺動したとき（図３に示す状態）を「短縮状態」という。なお、下部基板搬送機構２３は基板受け渡し位置に位置する場合のみ、短縮状態から伸長状態、及び伸長状態から短縮状態へ遷移可能であり、下部退避位置に位置する場合は短縮状態のままである。
【００６０】
上部基板搬送機構２２では、昇降ベース２６において複数のバッファーピン２４に対応した位置に貫通孔（図示しない）が設けられ、各バッファーピン２４は各貫通孔と遊嵌する。また、下部基板搬送機構２３では、昇降ベース３０において複数のバッファーピン２４に対応した位置に貫通孔（図示しない）が設けられ、各バッファーピン２４は各貫通孔と遊嵌する。したがって、上部基板搬送機構２２の位置や下部基板搬送機構２３の位置にかかわらず、複数のバッファーピン２４は自在に上下動することができる。また、複数のバッファーピン２４は駆動源（図示しない）からの駆動力により、同期して上下動するので、複数のバッファーピン２４が協働してガラス基板Ｇを支えながら上下動する際、支えられたガラス基板Ｇは傾くことがない。その結果、ガラス基板Ｇの位置ずれが発生するのを防止することができる。
【００６１】
また、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３は、後述するように回転する必要がないため、各構成部材に回転による慣性力が作用することがなく、撓みを防止するために各構成部材の取り付け剛性を、従来の基板搬送ユニット２００における上部基板搬送機構２０３及び下部基板搬送機構２０４の各構成部材の取り付け剛性ほど確保する必要はない。したがって、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３では、各ガイドアーム２７は互いに連結する必要がなく、各ガイドアーム３１も互いに連結する必要がない。さらに、各ピック２８は互いに連結する必要がなく、各ピック３２も互いに連結する必要がない。したがって、従来の基板搬送ユニット２００におけるピックベース２０７のような連結部材は必要ない。
【００６２】
本実施の形態に係る基板処理システム１０によれば、ロードロックモジュール１３における上部基板搬送機構２２は、昇降ベース２６のガイドレール２５に対して相対的に摺動する４つのガイドアーム２７と、ガイドアーム２７に対して相対的に摺動する４つのピック２８とを有するので、短縮状態において昇降ベース２６、ガイドアーム２７及びピック２８を重ねることによって上部基板搬送機構２２を小さくすることができる。また、ロードロックモジュール１３における下部基板搬送機構２３は、昇降ベース３０のガイドレール２９に対して相対的に摺動する４つのガイドアーム３１と、ガイドアーム３１に対して相対的に摺動する４つのピック３２とを有するので、短縮状態において昇降ベース３０、ガイドアーム３１及びピック３２を重ねることによって下部基板搬送機構２３を小さくすることができる。その結果、ロードロックモジュール１３の内部容積を小さくすることができ、もって、ロードロックモジュール１３の内部状態の大気／真空の切替に時間を要することがない。これにより、ガラス基板Ｇの処理効率を向上させることができる。
【００６３】
上述した基板処理システム１０では、上部基板搬送機構２２において各ガイドアーム２７は互いに連結されず、且つ各ピック２８も互いに連結されない。また、下部基板搬送機構２３において各ガイドアーム３１は互いに連結されず、且つ各ピック３２も互いに連結されない。これにより、ガイドアーム２７、ピック２８、ガイドアーム３１並びに、ピック３２の連結部材が不要となり、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３をより小さくすることができる。
【００６４】
なお、上記の実施の形態では、基板処理システムの基板搬送ユニットがガイドレール、ガイドアーム及びピックをそれぞれ４つずつ備える場合について説明したが、ガイドレール、ガイドアーム及びピックの数は、ガラス基板Ｇを支持及び搬送が可能な数であれば、特に限られることはない。
【００６５】
次に、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。
【００６６】
図７及び図８は、本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスを説明するための工程図である。本搬送シーケンスは基板処理システム１０におけるロードロックモジュール１３が主に実行する。なお、図７（Ａ）、図７（Ｃ）、図７（Ｅ）、図７（Ｇ）、図８（Ａ）、図８（Ｃ）、図８（Ｅ）及び図８（Ｇ）は図１における線Ａ−Ａに関する断面図であり、図７（Ｂ）、図７（Ｄ）、図７（Ｆ）、図７（Ｈ）、図８（Ｂ）、図８（Ｄ）、図８（Ｆ）及び図８（Ｈ）は図１における線Ａ−Ａに関する断面図である。
【００６７】
まず、上部基板搬送機構２２が基板受け渡し位置に位置し、下部基板搬送機構２３が下部退避位置に位置する。また、複数のバッファーピン２４が昇降ベース３０の各貫通孔を通過して上昇し、所定の位置で待機する。その後、ゲートバルブ１７（図示しない）が開弁して未処理のガラス基板Ｇを載置するピック２０が内部Ｓへ進入してガラス基板Ｇを上部基板搬送機構２２の直上まで搬送する（図７（Ａ）、図７（Ｂ））。
【００６８】
次いで、ピック２０が下降してガラス基板Ｇの下面を各バッファーピン２４に接触させ、その後、ピック２０はさらに下降する。これにより、ガラス基板Ｇはピック２０から離間し、各バッファーピン２４はガラス基板Ｇを支持する。（図７（Ｃ）、図７（Ｄ））。
【００６９】
次いで、ピック２０は内部Ｓから退出し、ゲートバルブ１７が閉弁し、排気装置や圧力制御バルブがロードロックモジュール１３の内部状態を真空へ切り替える。さらに、２つのポジショナ（pisitioner）３３が未処理のガラス基板Ｇの縁に当接することによって未処理のガラス基板Ｇの位置を調整する（図７（Ｅ）、図７（Ｆ））。
【００７０】
なお、ガイドアーム２７，３１やピック２８，３２の摺動方向（ガラス基板Ｇの搬送方向）に関するガラス基板Ｇの位置補正については、例えば、ガラス基板Ｇが搬送アーム機構１９のピック２０に保持された状態において別途設けられるズレ量センサ（図示しない）でガラス基板Ｇの伸縮方向のズレを検出し、該検出されたズレに基づいてピック２０を支持するスカラアームで位置補正を行うことにより、ガラス基板Ｇにポジショナ３３を接触させることなく位置補正を行うこともできる。
【００７１】
次いで、上部基板搬送機構２２が上昇し、ピック２８がガラス基板Ｇの下面に当接した後も上部基板搬送機構２２は上部退避位置まで上昇する（第１の上昇ステップ）。これにより、上部基板搬送機構２２は未処理のガラス基板Ｇを受け取る。その後、複数のバッファーピン２４は下降し、下部基板搬送機構２３が基板受け渡し位置まで上昇し（第１の上昇ステップ）、ゲートバルブ１２が開弁する。
【００７２】
次いで、下部基板搬送機構２３は、ガイドアーム３１及びピック３２をプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動させ、プロセスチャンバ１１の基板載置台１８から複数のプッシャーピン（図示しない）によって持ち上げられた処理済みのガラス基板Ｇをピック３２へ受け取り（図７（Ｇ）、図７（Ｈ））、さらに、ガイドアーム３１及びピック３２を大気系搬送装置１４側へ最大限摺動させて処理済みのガラス基板Ｇをプロセスチャンバ１１から搬出し、下部基板搬送機構２３の直上まで搬送する（搬出ステップ）。
【００７３】
次いで、処理済みのガラス基板Ｇを載置した下部基板搬送機構２３が下部退避位置まで下降し、上部基板搬送機構２２が基板受け渡し位置まで下降する（下降ステップ）。その後、上部基板搬送機構２２は、ガイドアーム２７及びピック２８をプロセスチャンバ１１側へ最大限摺動させ、プロセスチャンバ１１の基板載置台１８から突出する複数のプッシャーピン（図示しない）へ未処理のガラス基板Ｇを受け渡す（図８（Ａ）、図８（Ｂ））（搬入ステップ）。
【００７４】
次いで、上部基板搬送機構２２は、ガイドアーム２７及びピック２８を大気系搬送装置１４側へ最大限摺動させて短縮状態へ遷移し、上部退避位置まで上昇する（第２の上昇ステップ）。その後、複数のバッファーピン２４が上昇し、下部基板搬送機構２３のピック３２に載置された処理済みのガラス基板Ｇをピック３２から離間させた後も上昇を継続し、処理済みのガラス基板Ｇを所定の位置まで上昇させる（第３の上昇ステップ）。さらに、２つのポジショナ３３が処理済みのガラス基板Ｇの縁に当接することによって処理済みのガラス基板Ｇの位置を調整する（図８（Ｃ）、図８（Ｄ））。
【００７５】
なお、ガラス基板Ｇの搬送方向に関する位置補正については、前述した大気系搬送装置１４からロードロックモジュール１３へガラス基板Ｇを搬入した場合（図７（Ａ）〜図７（Ｆ））と同様に、例えば、ピック２０を支持するスカラアームで位置補正を行うことにより、ガラス基板Ｇにポジショナ３３を接触させることなく位置補正を行うこともできる。
【００７６】
次いで、ゲートバルブ１２が閉弁し、排気装置や圧力制御バルブがロードロックモジュール１３の内部状態を大気へ切り替える。その後、ゲートバルブ１７が開弁し、ピック２０が内部Ｓへ進入して処理済みのガラス基板Ｇの直下に位置する（図８（Ｅ）、図８（Ｆ））。
【００７７】
次いで、ピック２０が上昇し、処理済みのガラス基板Ｇの下面に当接した後も所定の位置まで上昇して処理済みのガラス基板Ｇを複数のバッファーピン２４から離間させる。これにより、ピック２０は処理済みのガラス基板Ｇを受け取る（図８（Ｇ）、図８（Ｈ））（第２の受け取りステップ）。
【００７８】
次いで、処理済みのガラス基板Ｇを載置したピック２０が内部Ｓから退出し、本搬送シーケンスを終了する。
【００７９】
本実施の形態に係る基板搬送方法としての搬送シーケンスによれば、ロードロックモジュール１３は１つのプロセスチャンバ１１にしか接続されていないため、ロードロックモジュール１３は１つのプロセスチャンバ１１に対するガラス基板Ｇの搬出入を行えばよい。また、上部基板搬送機構２２は上昇することによって下部基板搬送機構２３によるガラス基板Ｇの搬出入や受け渡しを阻害することがなく、下部基板搬送機構２３は下降することによって上部基板搬送機構２２によるガラス基板Ｇの搬出入や受け渡しを阻害することがない。したがって、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３は回転する必要がない。
【００８０】
上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３が回転しないならば、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３の各構成部材に回転による慣性力が作用することがなく、慣性力による撓みを防止するために各構成部材の静的剛性を、従来の基板搬送ユニット２００における上部基板搬送機構２０３及び下部基板搬送機構２０４の各構成部材の静的剛性ほど高くする必要はない。その結果、昇降ベース２６，３０、ガイドアーム２７，３１やピック２８，３２を薄く構成する、例えば、厚さ１００ｍｍ以下に構成することができ、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３をより小さくすることができる。
【００８１】
また、ガイドアーム２７，３１を薄く構成できるので、伸長状態においてガイドアーム２７，３１はプロセスチャンバ１１の側面の開口部を通過することができる。その結果、ピック２８，３２をさほど長く構成しなくても、ガラス基板Ｇの搬送可能距離を所望値以上に確保することができる。すなわち、ピック２８，３２を短く構成できるので、ピック２８，３２の振れを防ぐためにピック２８，３２の取り付け剛性を高くする必要がない。その結果、ピック２８，３２が取り付けられるガイドアーム２７，３１や、該ガイドアーム２７，３１が取り付けられる昇降ベース２６，３０の静的剛性を高くする必要がなく、これにより、ガイドアーム２７，３１や昇降ベース２６，３０をより薄く構成することができる。その結果、上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３をさらに小さくすることができる。
【００８２】
以上より、ロードロックモジュール１３の内部容積を小さくすることができ、もって、ロードロックモジュール１３の内部状態の大気／真空の切替に時間を要することがない。これにより、ガラス基板Ｇの処理効率を向上させることができる。
【００８３】
上述した基板処理システム１０では、各ガイドアーム２７、各ピック２８、各ガイドアーム３１、並びに各ピック３２はそれぞれ互いに連結されないが、連結部材によって互いに連結されてもよい。例えば、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、各ガイドアーム２７が連結部材としてのアームベース３４によって互いに連結され、各ガイドアーム３１がアームベース３５によって連結されてもよい。
【００８４】
上述した基板処理システム１０では、ピック２８やピック３２は薄板体を断面Ｕの字状に折り曲げて形成されたが、図１０に示すように、単なる長細薄板体によって形成してもよい。この場合、ガイドアーム２７，３１の上面にスリットを設け、ピック２８，３２の下面にピン等のガイドを設け、スリットにピンを遊嵌させるのが好ましい。
【００８５】
また、上述した基板処理システム１０では、上部基板搬送機構２２が未処理のガラス基板Ｇを搬送し、下部基板搬送機構２３が処理済みのガラス基板Ｇを搬送したが、上部基板搬送機構２２が処理済みのガラス基板Ｇを搬送し、下部基板搬送機構２３が未処理のガラス基板Ｇを搬送してもよい。
【００８６】
また、上述した基板処理システム１０では、バッファーピン２４及びピック２０の間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う際、ピック２０が昇降して受け渡しを行ったが、バッファ２４が昇降して受け渡しを行ってもよい。
【００８７】
以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８８】
Ｇ ガラス基板
１０ 基板処理システム
１１ プロセスチャンバ
１３ ロードロックモジュール
２２ 上部基板搬送機構
２３ 下部基板搬送機構
２４ バッファーピン
２５，２９ ガイドレール
２６，３０ 昇降ベース
２７，３１ ガイドアーム
２８，３２ ピック
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、
前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置を有し、
前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、
前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、
複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板は矩形を呈し、一辺の長さは１．８ｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材と各前記第１の上部摺動部材とは同期して摺動し、
前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材と各前記第２の上部摺動部材とは同期して摺動することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記上部基板搬送機構において各前記第１の上部摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の上部摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項７】
真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、
前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置、並びに前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を有し、前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置する基板処理システムにおける基板搬送方法であって、
前記第２の基板搬送装置が搬入する未処理の基板を前記上部基板搬送機構が受け取る第１の受け取りステップと、
前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を上昇させる第１の上昇ステップと、
前記下部基板搬送機構が前記第２の中間摺動部材及び前記第２の上部摺動部材を摺動させて処理済みの基板を前記基板処理装置から搬出する搬出ステップと、
前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を下降させる下降ステップと、
前記上部基板搬送機構が前記第１の中間摺動部材及び前記第１の上部摺動部材を摺動させて前記未処理の基板を前記基板処理装置に搬入する搬入ステップと、
前記上部基板搬送機構のみが上昇する第２の上昇ステップと、
前記複数のピン状部材が突出して前記処理済みの基板を前記下部基板搬送機構から離間させて上昇させる第３の上昇ステップと、
前記第２の基板搬送装置が前記上昇した前記処理済みの基板を受け取る第２の受け取りステップとを有することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１】
真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、
前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置を有し、
前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、
前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、
複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板は矩形を呈し、一辺の長さは１．８ｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材と各前記第１の上部摺動部材とは同期して摺動し、
前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材と各前記第２の上部摺動部材とは同期して摺動することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記上部基板搬送機構において各前記第１の中間摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の中間摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記上部基板搬送機構において各前記第１の上部摺動部材は互いに連結されず、前記下部基板搬送機構において各前記第２の上部摺動部材は互いに連結されないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項７】
真空状態で基板に処理を施す１つの基板処理装置と、該基板処理装置に接続されて内部状態を大気／真空へ切替する第１の基板搬送装置と、該第１の基板搬送装置に接続されて前記基板処理装置と前記第１の基板搬送装置を挟んで対向するように配置される第２の基板搬送装置とを備え、前記第２の基板搬送装置は大気状態において前記第１の基板搬送装置に対する前記基板の搬出入を行い、前記第１の基板搬送装置は前記基板処理装置に対する前記基板の搬出入を行う基板処理システムであって、
前記第１の基板搬送装置は、該第１の基板搬送装置の内部において上下に重なるように配置され、且つ互いに独立して上下動する上部基板搬送機構及び下部基板搬送装置、並びに前記第１の基板搬送装置の内部において下方から上方へ向けて突出自在な複数のピン状部材を有し、前記上部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第１のガイドが配された第１の基部と、各前記第１のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の中間摺動部材と、各前記第１の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第１の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第１の上部摺動部材とを有し、前記下部基板搬送機構は、互いに平行且つ前記基板処理装置へ向けて延伸された複数の第２のガイドが配された第２の基部と、各前記第２のガイドに対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２のガイドに対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の中間摺動部材と、各前記第２の中間摺動部材に対応して設けられ、前記基板処理装置へ向けて前記第２の中間摺動部材に対して相対的に摺動する複数の長細状の第２の上部摺動部材とを有し、複数の前記第１の上部摺動部材及び複数の前記第２の上部摺動部材のそれぞれは前記基板を載置する基板処理システムにおける基板搬送方法であって、
前記第２の基板搬送装置が搬入する未処理の基板を前記上部基板搬送機構が受け取る第１の受け取りステップと、
前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を上昇させる第１の上昇ステップと、
前記下部基板搬送機構が前記第２の中間摺動部材及び前記第２の上部摺動部材を摺動させて処理済みの基板を前記基板処理装置から搬出する搬出ステップと、
前記上部基板搬送機構及び前記下部基板搬送機構を下降させる下降ステップと、
前記上部基板搬送機構が前記第１の中間摺動部材及び前記第１の上部摺動部材を摺動させて前記未処理の基板を前記基板処理装置に搬入する搬入ステップと、
前記上部基板搬送機構のみが上昇する第２の上昇ステップと、
前記複数のピン状部材が突出して前記処理済みの基板を前記下部基板搬送機構から離間させて上昇させる第３の上昇ステップと、
前記第２の基板搬送装置が前記上昇した前記処理済みの基板を受け取る第２の受け取りステップとを有することを特徴とする基板搬送方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−８４７２５（Ｐ２０１２−８４７２５Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３０４６７（Ｐ２０１０−２３０４６７）
【出願日】平成２２年１０月１３日（２０１０．１０．１３）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１３日（２０１０．１０．１３）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]