【課題】潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量を抑制する。
【解決手段】以下の本体部２１０とボンド層２２２とフリー層２２１とを備えた磁気ディスク２００を製造する。本体部２１０は、円板形状を有し情報を記憶するものである。ボンド層２２２は、潤滑剤で形成され、本体部２１０の表裏両面に結合したものである。フリー層２２１は、ボンド層２２２を覆う、このボンド層２２２を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたものである。そして、このボンド層２２２におけるボンド率の分布が、最外周から中央に向かう途中において極大となっている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルに起因した傷付きに対する耐久性を安定して評価することができる耐久性評価方法を提供する。
【解決手段】まず、懸濁液の滴下／乾燥処理（ステップＳ１０２）で、パーティクル１１０をフッ素系溶剤１２０に分散させた懸濁液１００がディスク表面に滴下される。その後、懸濁液１００が自然乾燥されてディスク表面にパーティクルが付着する。さらに、シーク処理（ステップＳ１０４）で、パーティクルが付着したディスク表面に対し評価用ヘッドスライダ５２０によるシーク動作が行なわれる。そして、傷の観察／評価処理（ステップＳ１０５）で、そのシーク動作後のディスク表面に許容以上の多数の傷が付いているか否かの判定に基づいて磁気ディスクの耐久性が評価される。 （もっと読む）

【課題】複数の流路が並列状に形成された並列流路部分の幅方向の流速分布を均一化しうる液冷式冷却装置を提供する。
【解決手段】液冷式冷却装置１は、右側壁６および左側壁７を備えた周壁５を有するケーシング２を備えている。右側壁６の前端部に冷却液入口１１を、後端部に冷却液出口12を形成する。ケーシング２内における両側壁6,7間でかつ冷却液入口11と冷却液出口12との間の位置に複数の流路15からなる並列流路部分16を設ける。ケーシング２内における並列流路部分16よりも上流側の部分を入口ヘッダ部21、下流側の部分を出口ヘッダ部22とする。並列流路部分16に、複数の流路15からなりかつ通路抵抗の異なる複数の流路群17A,17Bを、並列流路部分16の幅方向に並んで設ける。右側壁６側の流路群17Aの通路抵抗を、左側壁７側の流路群17Bの通路抵抗よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】凸部が形成された透光性を有する基板１０１上に、少なくともバッファー層１０２、ｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５を有するＧａＮ系半導体発光素子を製造する方法であり、前記凸部は、底面の直径あるいは対角線の長さが０．１〜２μｍの範囲であるとともに、高さが０．１〜２μｍの範囲であり、バッファー層１０２をスパッタ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】板状体を折り曲げて製作する扁平多穴型の熱交換器用チューブの製造において、熱交換媒体通路が狭小でろう付雰囲気に置換しにくい場合においても良好なろう付を達成する。
【解決手段】 平板部（11）の一方の面に長手方向に沿って仕切壁形成部（15）が隆起し、曲げ加工してチューブを成形するとともに前記仕切壁形成部（15）をろう付することにより、複数の熱交換媒体通路に仕切られた扁平多穴型のアルミニウム製チューブを製造するためのろう付用板状体（10）であって、前記板状体（11）は心材（10a）の一方の面にろう材（10b）を有し、前記心材（10a）を構成するアルミニウム中のＭｇ濃度が０．０１質量％以下であり、前記ろう材（10b）が、Ｓｉ濃度：５〜１２質量％、Ｓｒ濃度：０．００３〜０．０３質量％、Ｍｇ濃度：０．００５質量％以下、Ｃａ濃度：０．００２質量％以下であり、残部がＡｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク及びその製造方法において、パーティクルの発生の抑制及び安定した基板の支持を両立させる。
【解決手段】基板１１上に少なくとも磁気記録層１１−１，１１−２が設けられた磁気ディスク１０において、基板の外周端面１２から基板の中心に向かって形成された案内溝を有し、案内溝は曲面で形成されており、前記案内溝を有する基板を支持部材で支持する工程を含み、前記基板は前記支持部材の支持部が前記案内溝に挿入されることで支持される。 （もっと読む）

本発明は、高い電池容量を示し、充放電サイクル特性が良好で、かつ充電特性に優れた二次電池負極用として有用な複合黒鉛粒子、並びにこの複合黒鉛を用いた負極用ペースト、負極及びリチウム二次電池を提供する。
本発明の複合黒鉛粒子は、ｄ（００２）面の層間距離（ｄ値）が０．３３７ｎｍ以下の黒鉛であり、かつラマン分光スペクトルで測定される１３００〜１４００ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_D）と１５８０〜１６２０ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_G）との強度比Ｉ_D／Ｉ_G（Ｒ値）が０．０１以上０．１以下である芯材と、ラマン分光スペクトルで測定される１３００〜１４００ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_D）と１５８０〜１６２０ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_G）との強度比Ｉ_D／Ｉ_G（Ｒ値）が０．２以上である炭素質表層とからなり、バインダーと混合して１．５５〜１．６５ｇ／ｃｍ³の密度に加圧成形したものをＸＲＤ測定したとき、黒鉛結晶の（１１０）面のピーク強度（Ｉ₁₁₀）と（００４）面のピーク強度（Ｉ₀₀₄）の比Ｉ₁₁₀／Ｉ₀₀₄が０．２以上である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子の製造方法において、ウェハーの反りを調整することにより、各素子への分割をより容易にする方法を提供する。
【解決手段】厚さ２５０〜１０００μｍのサファイア基板１上に膜厚が５μｍ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層３を積層した化合物半導体素子ウェハーに、レーザー照射で割溝５０を形成して素子に分離する化合物半導体発光素子の製造方法であって、基板にＩＩＩ族窒化物半導体層がある状態で、半導体層側からウェハーにレーザーを照射して割溝を形成し、次に基板を１５０μｍ以下の厚さに研磨して薄板化する。研磨で基板背面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を０．００１μｍ以上２μｍ以下とすることでウェハーは反りのない平坦状態になり、その後、ウェハーを素子に分離する。 （もっと読む）

【課題】被接合部材がパイプに接合された状態においてパイプの周壁部の外周面の周方向の全体がその軸方向に分断されるのを防止することができるパイプと被接合部材との接合構造体を提供する。
【解決手段】被接合部材（ブラケット）20の外挿部22の周方向の一部には、第１切欠き部23が外挿部22の軸方向に延びて形成されている。パイプ（サポートビーム本体）10が被接合部材20の外挿部22の挿通孔21に挿通されている。パイプ10が拡管加工されることにより、被接合部材20がパイプ10に接合固定されている。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）