【課題】製造コストを低減することができるエバポレータを提供する。
【解決手段】エバポレータ１の下側ヘッダタンク３の前後両中間ヘッダ部13,14内における仕切壁23,24よりも下側の空間13b,14bどうしを、第１中間ヘッダ部13のヘッダ部本体19の周壁21の後壁21aおよび第２中間ヘッダ部14のヘッダ部本体20の周壁22の前壁22aに形成された連通穴27,28により通じさせる。各ヘッダ部13,14のヘッダ部本体19,20に位置決め用凸部32が形成し、他方のヘッダ部14,13のヘッダ部本体20,19に位置決め用凸部32が嵌る位置決め用凹部33を形成する。位置決め用凸部32が位置決め用凹部33に嵌った状態で両ヘッダ部13,14のヘッダ部本体19,20どうしを互いにろう付する。両ヘッダ部13,14のヘッダ部本体19,20どうしの間の部分における連通穴27,28からずれた位置に、上下方向にのびる排水路31を貫通状に形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易に製作できる押出用ダイスの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】押出用ダイスの製造方法において、１回目の熱処理を施した一次熱処理済み材料に、少なくとも切削加工を含む加工を施して押出材に対応する形状に成形し、これを一次熱処理ダイスとし、この一次熱処理ダイスで押出材を押出した後に、２回目の熱処理を施して一次熱処理ダイスよりも硬度の高い二次熱処理ダイスとする。 （もっと読む）

【課題】軽量化を図ることができるとともに、コストを安くすることができる熱交換器用接続装置を提供する。
【解決手段】熱交換器用接続装置６は、鍛造品からなる第１接続部材46と、プレス成形品からなる第２接続部材47とよりなる。第１接続部材46は、２つの冷媒通路48,49およびねじ穴51を有する。第２接続部材47は、第１接続部材46にろう付され、かつ第１接続部材46の冷媒通路48,49に通じる２つの冷媒通路54,55および第１接続部材46のねじ穴51の開口端を囲む貫通穴56を有する。第１接続部材46のねじ穴51を、第１接続部材46の両冷媒通路48,49の中心どうしを結ぶ線と直交する方向に間隔をおいて複数形成する。第１接続部材46のねじ穴51を両冷媒通路48,49間の部分に形成し、第２接続部材47の貫通穴56を第２接続部材47の両冷媒通路54,55間に形成する。 （もっと読む）

【課題】ハーネスのサポートビーム本体への保持作業を容易に行うことができるステアリングサポートビームを提供する。
【解決手段】サポートビーム本体10の周壁部12の周方向の一部には、第１切欠き部13が周壁部12の軸方向に延びて形成されている。ブラケット20の外挿部22の周方向の一部には、第２切欠き部23が外挿部22の軸方向に延びて形成されている。サポートビーム本体10の中空部11はハーネス30が収容されるものである。サポートビーム本体10の中空部11が第１切欠き部13と第２切欠き部23とを通じて外挿部20の外側に連通するように、サポートビーム本体10がブラケット20の挿通孔21に挿通されている。サポートビーム本体10が拡管加工されることにより、ブラケット20がサポートビーム本体10に接合固定されている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子の製造方法において、ウェハーの反りを調整することにより、各素子への分割をより容易にする方法を提供する。
【解決手段】厚さ２５０〜１０００μｍのサファイア基板１上に膜厚が５μｍ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層３を積層した化合物半導体素子ウェハーに、レーザー照射で割溝５０を形成して素子に分離する化合物半導体発光素子の製造方法であって、基板にＩＩＩ族窒化物半導体層がある状態で、半導体層側からウェハーにレーザーを照射して割溝を形成し、次に基板を１５０μｍ以下の厚さに研磨して薄板化する。研磨で基板背面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を０．００１μｍ以上２μｍ以下とすることでウェハーは反りのない平坦状態になり、その後、ウェハーを素子に分離する。 （もっと読む）

【課題】被接合部材がパイプに接合された状態においてパイプの周壁部の外周面の周方向の全体がその軸方向に分断されるのを防止することができるパイプと被接合部材との接合構造体を提供する。
【解決手段】被接合部材（ブラケット）20の外挿部22の周方向の一部には、第１切欠き部23が外挿部22の軸方向に延びて形成されている。パイプ（サポートビーム本体）10が被接合部材20の外挿部22の挿通孔21に挿通されている。パイプ10が拡管加工されることにより、被接合部材20がパイプ10に接合固定されている。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】押出用ダイスの製作において、製作の手間を減じて製作時間を短縮し、かつ寸法精度を向上させる。
【解決手段】押出材の形状に応じて専用されるダイス(1)であって、押出方向において複数個の型(21)(31)に分割されている。前記ダイス(1)は中空の押出材の外周部を成形する雌型(10)と内周部を成形する雄型(20)とを組み合わせたポートホールダイスであり、前記雄型(20)が分割されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減および製造された熱交換器の軽量化を図りうる熱交換器の製造方法を提供する。
【解決手段】１対の外面にろう材層を有するアルミニウム製ヘッダタンク2,3と、両ヘッダタンク2,3間に配置されて両端部がヘッダタンク2,3に形成された管挿入穴内に挿入されてヘッダタンク2,3にろう付された複数のアルミニウム製熱交換管４とを備えている熱交換器を製造する方法である。ヘッダタンク2,3への熱交換管４のろう付時に、両ヘッダタンク2,3間における熱交換管４の近傍に、ヘッダタンク2,3の周壁の肉厚の０．７〜１．３倍である板厚を有するアルミニウム板26を配置することによって、熱交換管４の温度が５７０℃に達した時点からろう付最高温度に達するまでのヘッダタンク2,3と熱交換管４との温度差を５℃以内に保持する。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、低吸水性、電気絶縁特性に優れたノルボルネン系共重合体を提供する。
【解決手段】一般式（１）等


（式中、Ｒ¹は炭素数１〜１０のアルキル基を表わし、Ｒ²、はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表わす。）で示されるモノマーユニットを含み、数平均分子量（Ｍｎ）が３００，０００〜２，０００，０００である、極性基を有するノルボルネン化合物の高分子量の付加共重合体、及びその製造方法。 （もっと読む）