【課題】二次元又は三次元に屈曲する曲げ加工部を有するとともに、引張強度が1100MPa超の超高強度を有するサイドメンバーを提供する。
【解決手段】フロントサイドメンバー５３は、先端部５４ａの一部は焼入れ処理が行われない非焼入れ部であるとともに、先端部５４ａの一部を除いた残余の部分は高周波焼入れ処理が行われた高周波焼入れ部であり、傾斜部の全ては、高周波焼入れ処理が行われた高周波焼入れ部であり、さらに、後端部５４ｂの一部は焼入れ処理が行われない非焼入れ部であるとともに、後端部５４ｂの一部を除いた残余の部分は、高周波焼入れ処理が行われた高周波焼入れ部である。 （もっと読む）

【課題】製作及び取扱いが容易で、施工性に優れ、土砂による目詰まりが生じにくい排水機能付矢板および矢板壁を提供する。
【解決手段】Ｕ形、ハット形等の鋼矢板２の内側等に、立体網状構造体からなる排水部材４を取り付ける。立体網状構造体はポリプロピレン等の線状体の接点を溶着したものであり、表面近傍に密な部分４ａ、その内側に粗な部分４ｂを形成し、さらにその内側に中空部４ｃを形成してもよく、全体として略長方形断面等の長尺筒状体に整形する。排水部材４の下端と上端を、それぞれ先端取付部材５と後端取付部材６でＵ形、ハット形等の鋼矢板２のウェブ２ａに取り付けることで鋼矢板２と一体化し、そのまま地盤中に打設できるようにする。表面近傍の密な部分４ａは地震時に土砂の侵入を防止する機能を有し、その内側の粗な部分４ｂと中空部分４ｃで過剰間隙水圧を逸散させ、地盤の液状化を抑止する。 （もっと読む）

【課題】燃料消費量を効果的に低減することが可能な連続式加熱炉の炉温設定方法及び炉温制御システム、連続式加熱炉、並びに金属材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の制御周期毎に少なくとも一の燃焼帯の設定温度を更新する連続式加熱炉の炉温設定方法であって、熱収支方程式により各燃焼帯の炉温変化が加熱炉全体の燃料使用量に与える影響を評価する影響係数を算出し、該影響係数を用いて各燃焼帯の炉温変化量を変数とする評価関数を構成し、炉温変化量に課す制約条件を決定し、該制約条件の下で評価関数を最適化する各燃焼帯の炉温変化量を求め、求めた炉温変化量に基き各燃焼帯の設定温度を更新する炉温設定方法とし、該炉温設定方法により炉温を設定する炉温制御システムとし、該炉温制御システムを備える連続式加熱炉とし、該連続式加熱炉により金属材料を加熱する工程を有する金属材料の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下および工具原単位の悪化の問題を発生させることなく、得られた押出管に生じる偏肉を低減することができる熱間押出管の製造方法を提供する。
【解決手段】中空ビレットを用いて熱間押出製管法により継目無管である熱間押出管を製造する方法であって、中空ビレットを加熱して外周部温度が１０５０〜１３００℃で、かつ内外温度差ΔＴが（１）式を満たす温度にし、当該中空ビレットをコンテナ内に挿入して熱間押出加工することを特徴とする熱間押出管の製造方法である。ただし、内外温度差ΔＴ（℃）、外周部温度Ｔｘ（℃）および内周部温度Ｔｙ（℃）である。本発明は、中空ビレットとして、材質が二相ステンレス鋼であるものを用いるのが好ましい。
ΔＴ＝Ｔｘ―Ｔｙ≧１５０ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】溶接部の疲労き裂発生特性を改善できかつ母材部で疲労き裂進展抵抗特性を発揮することができ、また、高塩化物環境における耐食性も良好な溶接継手を提供する。
【解決手段】質量%で、Ｃ：０．０１〜０．１０％、Ｓｉ：０．０４〜０．６０％、Ｍｎ：０．５０〜２．００％、Ｐ：０．０２５％以下、Ｓ：０．０２０％以下、Ａｌ：０．００３〜０．０６０％、Ｔｉ：０．００１〜０．１００％、Ｓｎ：０．０３〜０．５０％、Ｎ：０．００２０〜０．０１２０%を含有し、残部はＦｅと不純物からなる化学組成を有し、硬質部の素地とこの素地中に分散した軟質部からなる複合組織を有し、硬質部と軟質部の硬度差がビッカース硬度で１５０以上である母材を溶接してなる溶接継手であって、溶接熱影響部の硬度が、母材、溶接金属の各々の硬度と特定の関係式を満たすと共に、溶接熱影響部の加工硬化係数の値が０．１２以下であることを特徴とする溶接継手。 （もっと読む）

【課題】溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ溶液を収容する容器、
該容器内の該ＳｉＣ溶液を適温に維持する温度制御手段、
ＳｉＣ種結晶をその結晶成長面の裏面全体に面接触した状態で保持する保持手段として作用し、且つ、該ＳｉＣ種結晶を冷却する冷却手段として作用する下端部を有する保持軸、および
該結晶成長面にＳｉＣ単結晶が継続的に成長するように、該結晶成長面を該ＳｉＣ溶液に接触させた状態に維持するための該保持軸の位置制御手段、
を備えたＳｉＣ単結晶の製造装置であって、
該保持軸の下端部は、該面接触した該結晶成長面の面内温度分布を均一化するための均熱手段を有することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ＳｉＣ種結晶近傍に炭素を供給しやすいＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１００内の坩堝６は、内径ＩＤＴを有する上部収納室６２１Ａと、上部収納室６２１Ａの下方に配置され、内径ＩＤＴよりも小さい内径ＩＤＢを有する下部収納室６２２Ａとを備える。誘導加熱装置３は、上部収納室６２１Ａの周りに配置される上部コイル部３１１と、下部収納室６２２Ａの周りに配置される下部コイル部３１２とを備える。下部コイル部３１２は、上部コイル部３１１が上部収納室６２１Ａ内のＳｉＣ溶液８に生成する電磁力よりも大きい電磁力を、下部収納室内６２２ＡのＳｉＣ溶液８に生成する。 （もっと読む）

【課題】クロメート処理やクロム酸塩系防錆顔料を利用しないクロムフリー塗装鋼板に見られる端面からの赤錆発生を、耐食性を低下させずに抑制する。
【解決手段】Ｚｎ含有めっき層を有するめっき鋼板からなる塗装基材の両面にそれぞれ１層以上の塗膜が形成されたクロムフリー塗装鋼板において、この塗装鋼鈑を０.５ｃｍ×４.５ｃｍの長方形に切断したサンプル１００個を５０℃のイオン交換水（４μＳ／ｃｍ以下）２００ｍｌに周波数４０ｋＨｚの超音波振動付与下で３０分浸漬した時の浸漬水の電気伝導度が３０μＳ／ｃｍ以上である。最外層の塗膜は、(Ａ)イオン交換水（４μＳ／ｃｍ以下）に０.１質量％濃度で溶解させた時の水の電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以上、および(Ｂ)２００℃までに熱分解を生じない、という要件を満たす化合物（好ましくはアルカリ金属リン酸塩）を１〜３０質量％の量で含有する。 （もっと読む）

【課題】浸炭又は浸炭窒化時に発生するオーステナイト結晶粒粗大化を抑制することが可能で、良好な冷間鍛造性を有して軟化焼鈍省略可能な表面硬化用熱間加工鋼材の提供。
【解決手段】Ｃ：０．１０〜０．３０％、Ｓｉ≦０．５０％、Ｍｎ：０．１５〜１．５％、Ｐ≦０．０４％、Ｓ：０．００５〜０．０７％、Ｃｒ：０．７〜３．０％、Ａｌ：０．０１〜０．０５％、Ｎ：０．００３５〜０．０１０％、Ｔｉ：０．００５〜０．１０％、Ｎｂ：０．０２〜０．０７％、Ｂ：０．０００５〜０．００５０％及びＨ≦０．００００４％を含有し、残部がＦｅ及び不純物からなり、鋼中Ｎｂの内でＮｂ（Ｃ、Ｎ）として析出しているＮｂの割合が８５％以上、直径１００ｎｍ以上のＮｂ（Ｃ、Ｎ）の個数密度が５個／１００μｍ²以下、フェライト結晶粒度の標準偏差が０．１５以下である表面硬化用熱間加工鋼材。Ｍｏ≦０．５０％及びＶ≦０．２０％の１種以上を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】多結晶の生成を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】
チャンバ１内には、治具４１と、坩堝６とが格納される。坩堝６には、ＳｉＣ溶液が収納される。治具４１は、シードシャフト４１１と蓋部材４１２とを備える。シードシャフト４１１は、昇降可能であり、下面にＳｉＣ種結晶９が取り付けられる。蓋部材４１２は、シードシャフト４１１の下端部に配置される。蓋部材４１２は、下端が開口する筐体であって、シードシャフトの下端部が内部に配置される。ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。さらに、蓋部材４１２の下端は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。そのため、蓋部材４１２は、ＳｉＣ溶液のうち、ＳｉＣ単結晶周辺の部分を覆い、保温する。 （もっと読む）