【課題】好ましいチャネル特性と、トレンチ中へのゲート電極の埋め込みの容易性とを兼ね備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素層５０は、第１の導電型を有する第１の領域５１と、第１の領域５１上に設けられ、第２の導電型を有する第２の領域５２と、第２の領域５２の上に設けられ、第１の導電型を有する第３の領域５３とを含む。炭化珪素層５０上には内面を有するトレンチＴＲが形成されている。トレンチＴＲは第２および第３の領域５２、５３を貫通している。トレンチＴＲの内面は、第１の側壁ＳＷ１と、第１の側壁ＳＷ１よりも深くに位置しかつ第２の領域５２からなる部分を有する第２の側壁ＳＷ２とを有する。第１の側壁ＳＷ１の傾斜は第２の側壁ＳＷ２の傾斜に比して小さい。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】熱起電力と誘導起電力を利用した発電素子、発電システムであって、より小規模で従来と同様な起電力が得られる発電素子、発電システムを提供する。
【解決手段】金属線１を絶縁被覆した電線１、及び金属線１との接合により熱電対を構成する金属線２を絶縁被覆した電線２からなり、金属線１及び金属線２が交互に直列に接合され、接合された金属線１及び金属線２がコイルを形成し、かつ２本以上の電線１及び２本以上の電線２がそれぞれツイストペアを形成していることを特徴とする電線発電素子、及びかかる電線発電素子を用いていることを特長とする電線発電システム。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体光変調素子部４のコア層４０４と一体に形成されており、半導体レーザ素子部２の活性層２０４にバットジョイント接合されている。このため、その接合部における反射光が半導体レーザ素子部２に戻ることに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体レーザ素子部２の活性層２０４と一体に形成されており、半導体光変調素子部４のコア層４０４がバットジョイント接合されている。このため、その接合部の異常成長部Ｐ１に電流が流入することに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高い集積度および高い耐圧を有する半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１導電型の炭化珪素層１２２を有する基板が準備される。炭化珪素層１２２上にマスク層１が形成される。マスク層１上からイオン注入することにより、炭化珪素層１２２に第２導電型のウェル領域１２３が形成される。マスク層１を形成する工程において、マスク層１の底面と傾斜面によって挟まれた角度であるテーパー角が６０°よりも大きく８０°以下の開口を有するマスク層１が形成される。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度の低下およびパンチスルーの発生が抑制され、かつ効率的に製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１は、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である側壁面２０Ａを有するトレンチ２０が形成された基板１０と、酸化膜３０と、ゲート電極４０とを備えている。基板１０は、ソース領域１４と、ボディ領域１３と、ソース領域１４との間にボディ領域１３を挟むように形成されたドリフト領域１２とを含む。ソース領域１４およびボディ領域１３はイオン注入により形成されている。ボディ領域１３においてソース領域１４とドリフト領域１２との間に挟まれた内部領域１３Ａの主表面１０Ａに垂直な方向における厚みは、１μｍ以下である。ボディ領域１３の不純物濃度は、３×１０^１７ｃｍ^−３以上である。 （もっと読む）

【課題】冗長構成を有する通信システムにおいて、ネットワーク側の冗長切り替えのタイミングが厳密に要求されないような通信システムを構築し、かつ装置の低コスト化を図る。
【解決手段】ネットワーク受信装置は、冗長化された通信経路ごとに設けられ、通信経路から受けた通信信号を蓄積するためのバッファ２６，２７と、バッファ２６，２７から通信信号を取り出すための取り出し部５１とを備える。取り出し部５１によって取り出された通信信号のために設けられたリソースは、複数のバッファ２６，２７から取り出された通信信号間で共有する制約がある。取り出し部５１は、通信経路の切り替え状態およびバッファ２６，２７の状態の少なくとも一方に基づいて、優先すべきバッファである優先バッファを設定し、優先バッファからの通信信号の取り出しを、劣後するバッファからの通信信号の取り出しと比べて高速に行なう。 （もっと読む）

【課題】Ｉ^２Ｃ通信中に外部装置からリセット信号が入力しても通信の再開が良好に行える光トランシーバを提供すること。
【解決手段】光信号と電気信号とを相互に変換する光トランシーバ１であって、電気信号を処理するＣＤＲ１７およびＣＤＲ１９と、ＣＤＲ１７およびＣＤＲ１９の動作を制御するＣＰＵ３とを備え、ＣＰＵ３は、外部装置と接続されており、ＣＤＲ１７およびＣＤＲ１９と、Ｉ^２Ｃインタフェースにより接続されており、外部装置からリセット信号を受信したとき、ＣＤＲ１７およびＣＤＲ１９とのＩ^２Ｃ通信を完了した後に、ＣＰＵ３をリセットする。 （もっと読む）

【課題】不適切なハンドオーバ動作を検出し、無線端末装置のハンドオーバ動作を制御することにより、通信の安定化を図ることが可能な無線基地局装置、通信制御方法および通信制御プログラムを提供する。
【解決手段】無線基地局装置１０１は、無線端末装置２０２からの所定情報の到着を予定し、上記所定情報の到着を監視するための監視部１１と、上記無線端末装置２０２による自己の無線基地局装置へのハンドオーバ動作が行なわれてから、上記無線端末装置２０２からの所定情報が監視部１１の予定に反して自己の無線基地局装置に到着しなくなるまでの時間を計測するための時間計測部１２と、時間計測部１２によって計測された上記時間が所定値以上の場合には、無線端末装置２０２による自己から他の無線基地局装置へのハンドオーバ動作のタイミングが早まるように制御するためのハンドオーバ動作制御部１３とを備える。 （もっと読む）