【課題】本実施形態では保守点検を安全かつ容易に行うことができる装置及びその点検保守方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、電池モジュール（３０−１）は、複数の電池と電池監視ユニット（３０：ＣＭＵ）を含む。モジュール直列回路は、前記電池モジュールを複数直列接続している。前記モジュール直列回路には、電流センサ（４１）、サービスディスコネクト（４２Ｃ）、スイッチ回路（４１Ａ，４１Ｂ）が接続される。電池管理装置（４４：ＢＭＵ）は、前記電池監視ユニット（３０）との相互通信、前記電流センサの出力の判定及び前記スイッチ回路の制御を行い、また通常モードと保守モードの切換手段を有する。関門制御装置（６０）が、前記電池管理装置と相互通信を行う。そして、前記電池管理装置は、前記通常モードの起動時には前記関門制御装置からの電源供給制御信号で起動し、前記保守モードの起動時には前記電源供給信号とは独立した保守電源供給信号で起動するように構成される。 （もっと読む）

【課題】照度が均一であり、かつ、薄型の表示装置、バックライト装置および導光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表示装置は、光源と、前記光源から照射される光が入射する導光手段と、表示パネルと、前記導光手段と前記表示パネルとの間に設けられ、前記導光手段から出射される光の一部を前記表示パネルに向けて透過させ、一部を反射させる反射手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】注入した導電性不純物により形成される結晶欠陥の密度を低減し、歩留まり率が向上するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板を加熱することにより、半導体基板の基板温度を２００から５００℃の間の所望の温度に維持すると同時に、半導体基板に導電性不純物をイオン注入法もしくはプラズマドーピング法を用いてドーピングし、ドーピングした導電性不純物を活性化させるための活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】頻繁なリフレッシュ動作が不要で、正常な読み出しを行うことのできる２トランジスタ型のＤＲＡＭを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、ゲートが第１配線に接続され、第１ソース／ドレインの一方が第２配線に接続された第１トランジスタと、ゲート絶縁膜、ゲート電極、および前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に設けられしきい値を変調するしきい値変調膜を有するゲート構造と、第２ソース／ドレインとを備え、前記ゲート電極が前記第１トランジスタの前記第１ソース／ドレインの他方に接続され、前記第２ソース／ドレインの一方が第３配線に接続され、前記第２ソース／ドレインの他方が第４配線に接続された第２トランジスタと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】架台及び基礎の設置コストを低減する。
【解決手段】太陽光発電装置１００は、太陽電池パネル１１０、架台１２０及び整流板１４０を備える。太陽電池パネル１１０は、太陽光が照射される受光面及び該受光面に対向する背面を有する。架台１２０は、太陽電池パネル１１０をある傾斜角度で支持する。整流板１４０は、太陽電池パネル１１０の上端部及び架台１２０の一方に設けられ、前記背面に向かう風が前記背面に沿って流れるように風の流れを調整する。 （もっと読む）

【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作を可能にする磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、スピン注入書込みによって磁化の方向が不変の第１磁性層と、磁化の方向が可変の第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられたトンネル障壁層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の前記第１および第２磁性層の一方の磁性層に電気的に接続された第１配線と、ソース／ドレインの一方が前記磁気抵抗素子の前記第１および第２磁性層の他方に電気的に接続された選択トランジスタと、前記選択トランジスタのソース／ドレインの他方に電気的に接続された第２配線と、前記磁気抵抗素子の前記第１および第２磁性層の他方に電気的に一端子が電気的に接続されたダイオードと、前記ダイオードの他の端子に電気的に接続された第３配線と、前記第３配線に電気的に接続されたセンスアンプと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｉ_Ｄ^Ｐ／Ｉ_Ｄ^ＡＰ比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース／ドレインの一方となる第１磁性層と、前記第１磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース／ドレインの他方となる第２磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 （もっと読む）

【課題】微細なブロックコポリマーのミクロ相分離パターンを得ることができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１１上に、表面エネルギーの異なる第１の表面エネルギー調整層１２ｃ、第２の表面エネルギー調整層１２ｄが交互に平行に並んだガイドパターンを形成し、ガイドパターン上に第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマー層１３を形成し、ブロックコポリマーをミクロ相分離させ、ガイドパターンに基づいてブロックコポリマーを配向させる。第１の表面エネルギー調整層１２ｃは第１のブロック鎖と略同一の表面エネルギーを有し、第２の表面エネルギー調整層１２ｄは第２のブロック鎖と略同一の表面エネルギーを有し、ガイドパターンの周期はブロックコポリマーの周期の３以上の整数倍であり、第１の表面エネルギー調整層１２ｃ、第２の表面エネルギー調整層１２ｄ各々の幅は、ブロックコポリマー半周期の３以上の奇数倍である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。
【解決手段】 磁気メモリ素子は、磁化が可変の第１の強磁性層と、第１のバンド及び第２のバンドを有する第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。 （もっと読む）