【課題】ポリフッ化ビニリデンを誘電体とするコンデンサ素子の実用化が図れるとともに、ポリフッ化ビニリデンを誘電体とするコンデンサ素子よりもさらに小型化することができる乾式金属蒸着フィルムコンデンサを提供すること。
【解決手段】金属蒸着層２を有する高誘電率フィラー例えばチタン酸バリウム粉を混入したポリフッ化ビニリデン樹脂フィルム１を巻回し、その端面に金属を溶射して電極３ａ、３ｂを形成し、その電極３ａ、３ｂに外部端子４ａ、４ｂを接続固着してコンデンサ素子を形成し、前記外部端子４ａ、４ｂを導出して、表面樹脂層５ａ、金属層５ｂおよび内面樹脂層５ｃで形成された金属ラミネートフィルム５で外装して乾式金属蒸着フィルムコンデンサを形成する。 （もっと読む）

【課題】瞬時電圧低下対策装置において、インバータの直流電源に電気二重層コンデンサを使用し、数秒〜十秒程度の比較的長い時間となる交流電源の開放停電を補償の対象とする。
【解決手段】交流電源１０と負荷２０との間に設けられた主サイリスタスイッチ４０と、注入トランス５０と、この二次巻線５２に接続され、直流電源６０を有するインバータ７０とを備え、交流電源１０の瞬時電圧低下発生時、直流電源６０により交流電源の電圧低下分を補償すると共に、交流電源１０の開放停電発生時、直流電源６０により交流電源の電源電圧相当分を補償する瞬時電圧低下・停電対策装置であって、主サイリスタスイッチ４０の交流電源側の補助サイリスタスイッチ８０と、交流電源１０の瞬時電圧低下発生時に補助サイリスタスイッチ８０のＯＦＦ状態を保持し、交流電源１０の開放停電発生時に補助サイリスタスイッチ８０をＯＮさせる制御回路９０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】低コストが容易な光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１０は、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５および電極６を透明導電膜２が形成された絶縁基板１上に順次積層した構造からなる。ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。ｉ層４は、複数の非晶質薄膜４１と複数の結晶薄膜４２とからなる。そして、複数の非晶質薄膜４１および複数の結晶薄膜４２は、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２が相互に接するように絶縁基板１に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜４１は、ダングリングボンドが１×１０^１８ｃｍ^−３以上であるｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。そして、ｉ層４は、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚を有し、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２の各々は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストが容易な光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１０は、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５および電極６を透明導電膜２が形成された絶縁基板１上に順次積層した構造からなる。ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。ｉ層４は、複数の非晶質薄膜４１と複数の結晶薄膜４２とからなる。そして、複数の非晶質薄膜４１および複数の結晶薄膜４２は、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２が相互に接するように絶縁基板１に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜４１は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ナノサイズの結晶粒４１１と、光を吸収する光吸収剤４１２とを含む。結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。そして、ｉ層４は、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚を有し、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２の各々は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】 高周波サージにより変圧器容器自身の電位上昇を抑制できるガス絶縁計器用変圧器を得る。
【解決手段】 変圧器容器２内に変圧器本体をガス絶縁して収容する。変圧器本体の１次巻線の低圧側は変圧器容器２を気密に貫通するブッシング８を経て外に引き出し、接地端子板１９に電気的に接続する。接地端子板１９は、変圧器容器２に対して電気的に絶縁状態で固定する。接地端子板１９に接地線１２を接続する。接地端子板１９と変圧器容器２に電気的に接続された接地端子２３との間に接地線の電位上昇を押さえる放電用ギャップ形成電極対２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】 複数個の電気二重層コンデンサを直列に接続するに際して、正極用端子と負極用端子間の接触抵抗を可能な限り小さくして低抵抗化を図る。
【解決手段】 コンデンサ要素をラミネートフィルムで被覆したコンデンサ本体１１の内部に電解液を封入すると共にそのコンデンサ本体１１から正極用端子１２および負極用端子１３を導出した複数個の電気二重層コンデンサＣ₁〜Ｃ₄を直列に接続したモジュールであって、電気二重層コンデンサＣ₁〜Ｃ₄を平面状に並置してケース１０内に収容し、隣接する一方の電気二重層コンデンサＣ₂〜Ｃ₄の正極用端子１２と他方の電気二重層コンデンサＣ₁〜Ｃ₃の負極用端子１３を溶接により電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】昇圧チョッパ回路に付属回路を設けることなく、単純な回路構成でスイッチング損失を低減したソフトスイッチングを実現容易にする。
【解決手段】スイッチング素子１３のオンオフにより入力電圧Ｖ_ＩＮを所定の昇圧比でもって昇圧した固定値の出力電圧Ｖ_ＯＵＴを生成する制御方法であって、リアクトル１１のリアクタンスをＬ、スイッチング素子１３のオン時間をＴ_ＯＮ、スイッチング周期をＴ、入力電圧をＶ_ＩＮ、出力電圧をＶ_ＯＵＴ、固定値の出力電圧Ｖ_ＯＵＴを生成するための電流指令値をＩ_ＬＡとした場合、スイッチング素子１３のオン時間Ｔ_ＯＮを演算式Ｔ_ＯＮ＝Ｉ_ＬＡ×２Ｌ／Ｖ_ＩＮで算出し、そのオン時間Ｔ_ＯＮに基づいて、スイッチング素子１３のスイッチング周期Ｔを演算式Ｔ＝Ｔ_ＯＮ×Ｖ_ＯＵＴ／（Ｖ_ＯＵＴ−Ｖ_ＩＮ）で算出することにより、スイッチング素子１３を零電流スイッチングで制御する。 （もっと読む）

【課題】 走行中の車両に対してＩＴＶカメラのフォーカス調整を常に的確に行い得る車両ナンバー読取装置を提供する。
【解決手段】 撮像カメラ２２により得られたナンバープレートのグレースケール画像を二値化した二値画像からナンバープレート中の記号の水平エッジ位置を特定し、記号の水平エッジ位置を中心としてグレースケール画像上で水平方向左右に所定の画素数オフセットした勾配値計測範囲および基準値計測範囲を設定し、その勾配値計測範囲内でのグレースケール濃度の勾配値を計測値として算出すると共に、基準値計測範囲内でのコントラスト値を基準値として算出し、その基準値に対する計測値の割合をフォーカス評価値として算出するフォーカス評価部２８を備える。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトなＧＩＳを提供する。
【解決手段】並列配置される２つの消弧室１６ｃ−１、１６ｃ−２、及び、２つの消弧室に対抗配置され且つ互いに直列に電気接続された第１の可動接触子１６ｈ−１及び第２の可動接触子１６ｈ−２を移動させて、２つの消弧室内の第１の固定接触子及び第２の固定接触子と第１の可動接触子及び第２の可動接触子とをそれぞれ接触又は開離させる操作機構部を有する遮断部１６と、第１の固定接触子に接続された１次側母線、第２の固定接触子に接続された２次側母線、１次側母線に配置される線路断路器１３、及び遮断部を収納する接地金属容器と、を有してガス絶縁開閉装置を提供する。 （もっと読む）