【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット３０と基体Ｓを配置したチャンバ１内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加してチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ(288nm) と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ(288nm) ／Ｈβ〕が１０．０以下であるプラズマを発生させ、該プラズマでターゲット３０をケミカルスパッタリングして５００℃以下の低温で基体上に直接、粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】耐溶損性及び耐焼付き性と、耐ヒートチェック性とを兼ね備えたダイカスト用金型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金型基材２ａと、金型基材２ａの表面の少なくとも一部分に形成され、IVa族元素、Va族元素及びVIa族元素から選ばれるいずれか１以上の元素を含む金属若しくは合金の単層又は複層からなり、マイクロビッカース硬さが１０００Ｈｖ以下であり、厚みが１〜３０μｍである第１層３ａと、第１層３ａの上に形成され、IVa族元素、Va族元素及びVIa族元素から選ばれるいずれか１以上の元素を含む炭化物、窒化物若しくは炭窒化物の単層又は複層からなる第２層４ａと、第２層４ａの上に形成され、IVa族元素、Va族元素及びVIa族元素から選ばれるいずれか１以上の元素を含む酸化物の単層又は複層からなる第３層５ａとを備えたダイカスト用金型１ａ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に水素ガスとシラン系ガスを導入し、該ガスに高周波電力印加することでチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ（288nm)と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ（288nm)／Ｈβ〕が１０．０以下であるガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマのもとで、５００℃以下の低温で基板Ｓ上に直接粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型である上に長期にわたって電気絶縁破壊強度が低下することのない乾式金属蒸着フィルムコンデンサを提供すること。
【解決手段】金属蒸着層２を有するポリフッ化ビニリデン樹脂フィルム１を巻回し、その端面に金属を溶射して電極３ａ、３ｂを形成し、その電極３ａ、３ｂに外部端子４ａ、４ｂを接続固着してコンデンサ素子を形成し、前記外部端子４ａ、４ｂを導出して、表面樹脂層５ａ、金属層５ｂおよび内面樹脂層５ｃで形成された金属ラミネートフィルム５で外装して乾式金属蒸着フィルムコンデンサを形成する。この外装によって比誘電率の大きいポリフッ化ビニリデン樹脂フィルムを誘電体とする小型で絶縁破壊強度の優れた乾式金属蒸着フィルムコンデンサが得られる。 （もっと読む）

【課題】低コストが容易な光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１０は、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５および電極６を透明導電膜２が形成された絶縁基板１上に順次積層した構造からなる。ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。ｉ層４は、複数の非晶質薄膜４１と複数の結晶薄膜４２とからなる。そして、複数の非晶質薄膜４１および複数の結晶薄膜４２は、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２が相互に接するように絶縁基板１に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜４１は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。そして、ｉ層４は、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚を有し、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２の各々は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐ層および／またはｎ層におけるドーピング効率を向上可能な光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１０は、下地層３、ｐ層４、ｉ層５、ｎ層６および電極７を基板１の透明導電膜２上に順次積層した構造からなる。下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。下地層３およびｐ層４は、１０ｎｍの膜厚を有し、ｉ層５は、３００〜１０００ｎｍの膜厚を有し、ｎ層６は、２０ｎｍの膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】ベローズ槽によって構成される油量調整装置において、外形寸法や油量調整能力を変えることなく、油導管による圧力損失が低減するこができるようにすること。
【解決手段】内部に電力用機器本体を収納して絶縁油を充填してなる密封タンクに設置され、前記密封タンクの内部の絶縁油の膨張収縮に対する圧力を調整する複数のベローズ槽からなる油量調整装置であって、前記ベローズ槽２を、蛇腹を有する薄板２枚１ａ、１ｂを下部に平滑面１ｃを形成して合わせて溶接密閉するとともに、その溶接位置をベローズ槽２の中心に対して偏芯して一方の薄板１ａで形成される下端平滑面１ｃを広くし、その広くした平滑面１ｃに大径の油導管３を挿通する。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓのホルダ２を有するチャンバ１と、チャンバに接続された水素ガス供給装置５及びシラン系ガス供給装置６並びに排気装置７と、ガス供給装置５、６から供給されるガスからチャンバ内壁にシリコン膜を形成するプラズマを形成する第１高周波電力印加装置と、該シリコン膜をケミカルスパッタリングするプラズマを形成する第２高周波電力印加装置と、チャンバ内プラズマ発光における波長288 ｎｍでのシリコン原子の発光強度Ｓｉ(288nm) と波長484 ｎｍでの水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ(288nm) ／Ｈβ〕を求めるプラズマ発光分光計測装置８とを含むシリコンドット形成装置Ａ。 （もっと読む）

【目的】金型表面の摩耗を抑制することができ、これにより、金型寿命を延ばし、製造コストを低廉化することができる温熱間鍛造用金型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】温熱間鍛造用金型１は、金型意匠面２に４Ａ族（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）、５Ａ族（Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）、６Ａ族（Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ）金属の一種又は二種以上を含む炭化物、窒化物若しくは炭窒化物、及び、４Ａ族（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）、５Ａ族（Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）、６Ａ族（Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ）金属の一種又は二種以上とＳｉ及びＡｌの一種又は二種とを含む窒化物からなる群から選ばれる一種又は二種以上からなる単層又は多層の硬質被膜３を備え、硬質被膜３は、表面粗さＲａがいずれの方向から測定しても０．１μｍ以上０．６μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 分散電源の単独運転を高速で、しかも確実に検出することができるようにした単独運転検出装置を提供する。
【解決手段】 この単独運転検出装置３０は、電流注入装置３２と単独運転監視装置３４とを備えている。電流注入装置３２は、４次未満の低次注入次数の注入電流Ｊ_m1および４次以上の高次注入次数の注入電流Ｊ_m2を注入する。単独運転監視装置３４は、低次注入次数のアドミタンスまたはサセプタンスによる判定と、高次注入次数のアドミタンスまたはサセプタンスの、所定時間前からの変化分による判定とのＡＮＤ条件によって、分散電源２８の単独運転を検出する。 （もっと読む）