【課題】ＣＶＤ反応生成物の生成を抑制できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応室１に原料ガスを導入するガス導入管６と、成膜を施すべき基板１０を支持する基板ホルダーと、基板１０を加熱する加熱装置４と、反応室内のガスを排気ガスとして系外に排気するガス排気管７とを備えるＣＶＤ装置において、排気ガスが接触する壁部２に対し、加熱装置４又は加熱装置４により加熱された部材からの輻射熱を反射する熱反射面８を設置したＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】状態を視覚的に把握しつつ局所空調機の個別設定等を操作ミスなく確実に行うことができるようにする。
【解決手段】監視画面（全体画面）２０には、各局所空調機の物理的配置を矩形で示すと共にその現在のステータスを示す色を矩形内に表示する。ユーザが、任意の矩形をタッチ指定すると、指定された矩形の局所空調機の詳細な状態データを示す画面２１が表示される。更にそこから個別設定画面２２に移行して、指定された矩形の局所空調機の設定を行うことができる。あるいは、全ての局所空調機に同一の設定を行う場合には、監視画面２０から一括設定画面２３に移行して一括設定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】直流リアクトルの有無に関わらず、整流回路の過負荷状態を確実に検出可能とした過負荷検出装置を提供する。
【解決手段】三相交流電源電圧を整流する整流回路２と、その直流出力側に接続された主回路コンデンサ３と、を備え、主回路コンデンサ３の両端電圧を負荷４に供給する直流電源装置において、整流回路２の出力電流を検出する電流検出器１９と、前記出力電流が極小値となる少なくとも３つの極小点によって区切られる区間の出力電流の二乗平均値を演算するための極小値演算器５、演算タイミング発生器６及び二乗平均演算器７と、前記二乗平均値が予め設定した過負荷検出レベルを超えた場合に整流回路２が過負荷状態であると判定する過負荷検出器９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体特性または拡散炉に悪影響を及ぼすような高温、長時間の拡散をすることなく、また、トレンチ形成のような長時間プロセス加工による良品率低下が無く、高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を備える逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。
【解決手段】第１導電型半導体基板１の半導体デバイス領域を取り巻く位置に、該第１導電型半導体基板を貫通する第２導電型貫通領域５を、いずれか一方の主面または両主面から形成する工程と、複数枚の前記第１導電型半導体基板１を鏡面加工し、前記第２導電型貫通領域５の位置を合わせて真空中で貼り合わせる工程とを有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】論理的なリング型ネットワークを構成するシステムにおいて、ノード間のタイマ値の同期を容易且つ的確に行なう。
【解決手段】マスタノードはシステム同期処理を行って、各ノードでのタイマラッチ指示メッセージの往き及び戻り時の受信タイミングにおけるタイマ値を収集し、各ノードでのタイマ値に基づき各スレーブノードとの間の伝送遅延時間を演算して各スレーブノードに通知する。各スレーブノードは、マスタノードからのマスタタイマ値と伝送遅延時間との和を自ノードのタイマ値として設定してマスタノードとの同期を図る。さらにマスタノードは、各ノードがループバック状態にあるか否かを監視し（ステップＳ２１〜Ｓ２３）、ループバック状態に変化があったとき、ネットワークのシステム構成に変更があったとして、再度システム同期処理を行ってノード間における同期化を図る（ステップＳ２５）。 （もっと読む）

【課題】冷媒回路における冷媒量が冷却加熱運転の必要量に相当するものであっても、圧力の過上昇を防止して加熱単独運転を良好に行うことができる冷媒回路装置を提供すること。
【解決手段】庫内熱交換器２４、圧縮機２１、庫外熱交換器２２を有する主経路２０と、圧縮機２１で圧縮した冷媒を所定の庫内熱交換器２４に供給する高圧冷媒導入経路３０と、庫内熱交換器２４からの冷媒を主経路２０に戻す戻経路４０，５０とを備え、庫内熱交換器２４から加熱側熱交換器４２に至る配管の途中に配設された戻バルブ４４と、戻バルブ４４が閉成する場合に、庫内熱交換器２４で凝縮した冷媒を導入して断熱膨張させて加熱側熱交換器４２に供給する分岐経路４５と、加熱単独運転を行う場合に戻バルブ４４を閉成させ、かつ加熱側熱交換器４２を通過した冷媒を、加熱対象となる室以外に配設された庫内熱交換器２４ｂに流入させるコントローラ８０を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】アーク転流板に転流したアークの駆動力を高めることができる回路遮断器を提供する。
【解決手段】第１の固定接触子１及び第２の固定接触子２と、これらを橋絡する可動接触子３と、前記可動接触子３の反固定接触子１、２側に配置されたコ字状の磁性体８と、接点間に発生したアークを消弧する消弧室５と、前記接点間に発生したアークを転流させるアーク転流板７とを備えた回路遮断器において、前記アーク転流板７の前記消弧室５と対応する位置に、前記アーク転流板７に転流したアークを前記消弧室５側へ駆動する第１の磁気ヨーク９を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体スイッチング素子を内蔵したパワー半導体モジュール（４in１タイプの３レベルＩＧＢＴモジュール）を対象に、モジュールの小形，コンパクト化、国際規格ＩＥＣ６００７７−１の準拠を両立できるように端子部絶縁構造を改良する。
【解決手段】複数組の半導体スイッチング素子を内蔵し、外周四隅のコーナーにネジ座５ｃを形成した樹脂ケース５に上面側に主回路端子７，制御端子８を配置する端子台部５ａ，５ｂを形成したパワー半導体モジュールにおいて、ケース側縁に形成した制御端子８の端子台部５ｂに対して、制御端子８のグループ相互間，およびネジ座５ｃに隣接する高電位側の制御端子との間にリブ状の絶縁隔壁５ｂ−２，５ｂ−３を起立形成した上で、該絶縁隔壁の高さ，厚さ寸法を、国際規格ＩＥＣ６００７７−１で規定した空間距離，沿面距離に準拠して設定する。 （もっと読む）

【課題】接合品質を向上することができる安価なアルミニウム管と銅管の接合方法および接合構造ならびにこの接合構造を有する熱交換器を提供する。
【解決手段】アルミニウム管３と銅管４とをステンレス管１を介して接合する接合方法であって、ステンレス管１の両端２ａ，２ｂは縮管加工され、ステンレス管１の表面全体にはニッケルめっき９が施され、ステンレス管１の一端２ａを銅管４内に嵌挿配置して銅管４とステンレス管１とをトーチろう付する第一ステップと、第一ステップの後に、ステンレス管１の他端２ｂをアルミニウム管３内に嵌挿配置してアルミニウム管３とステンレス管１とをアルミニウムろう付する第二ステップとからなる。 （もっと読む）