【課題】チョッパ回路を１台として回路が大型化しないようにし、これが故障した場合でも、架線がない区間での自力走行を可能とする
【解決手段】複数台設けられるインバータの、例えば６２の出力に接続される交流電動機７２の巻線の中性点と蓄電装置９との間にスイッチ１１を設け、少なくともチョッパ回路８およびその制御装置が故障したときは、スイッチ１０ａ，１０ｂをオフにしてチョッパ回路８を切り離すとともにスイッチ１１をオンにし、インバータ出力をスイッチ１１を介して蓄電装置９に接続し、インバータ６２をチョッパ回路として動作させるようにする。 （もっと読む）

【課題】外気温度に関係なく良好に加熱単独運転が可能な冷媒回路装置を提供すること。
【解決手段】庫内熱交換器２４、圧縮機２１、庫外熱交換器２２を冷媒配管２５で接続した主経路２０と、高圧導入バルブ３２１，３２２の開成により圧縮機２１で圧縮した冷媒を導入して所定の庫内熱交換器２４に供給する高圧冷媒導入経路３０と、庫内熱交換器２４で凝縮した冷媒を加熱側熱交換器４２に供給する放熱経路４０と、加熱側熱交換器４２で放熱した冷媒を主経路２０に戻す戻経路５０とを備え、庫外熱交換器２２と加熱側熱交換器４２とが、それぞれを通過する冷媒が互いに熱交換可能な態様で配設してあり、バイパスバルブ６２１が開成して加熱側熱交換器４２で放熱した冷媒を導入して庫外熱交換器２２に供給するバイパス経路６０と、帰還バルブ７２が開成することにより庫外熱交換器２２で蒸発させた冷媒を圧縮機２１に帰還させる帰還経路７０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ブレークダウン電圧の低下や、オン抵抗の増大を招かず、しかも製造コストが低いＭＯＳ型半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎ^-ドリフト層１の表面層に選択的に配置され、曲率状の基底部を有するｐベース領域１７と、ｐベース領域１７の表面層に選択的に配置されるｎ形第１領域６と、ｎ形第１領域６表面と前記ｎ^-ドリフト層１表面に挟まれた前記ｐベース領域１７の表面にゲート絶縁膜９を介して被覆されるゲート電極８と、ｎ形第１領域６表面と前記ｐベース領域１７表面とに導電接触する金属電極１３を備えるＭＯＳ型半導体装置において、前記ｐベース領域１７のネットドーピング濃度が、複数のウェル領域を有する形状を備えているＭＯＳ型半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴモジュールを並列接続した構成で、Ｖ_CEを検出して過電流保護（遮断）する場合、配線インダクタンスの影響で、高速で、確実な保護ができない課題がある。
【解決手段】並列接続されたＩＧＢＴモジュール内のＩＧＢＴのＶ_CE検出用のダイオードを各ＩＧＢＴ毎又は複数個に対して1個の割合で接続し、過電流時いずれかのＶ_CEが上昇した場合には並列接続された全てのＩＧＢＴのゲート信号を強制遮断する。 （もっと読む）

【課題】残留磁束による残留磁化力によりアーマチュアが吸引部材にはりついてしまうことを抑制することができる電子膨張弁を提供すること。
【解決手段】冷媒入口と冷媒出口とが有する弁本体３１と、冷媒入口よりも小径で冷媒出口に連通する小径流路３４１を有する弁座３４と、常態においては弁座３４前後における冷媒の高低圧力差及び付勢手段により弁座３４に当接することで小径流路３４１の流入口を閉成する略円柱状のアーマチュア３２と、磁力が作用する場合にアーマチュア３２を吸引することにより冷媒の高低圧力差等に抗して弁座３４から離隔する方向に移動させて流入口３４１ａを開成させる吸引部３１１２を備え、吸引部３１１２がアーマチュア３２を吸引する場合、吸引部３１１２に当接して吸引部３１１２とアーマチュア３２との間に間隙を形成するリング部材３２１２を備え、付勢手段は、アーマチュア３２の径方向への移動量を規制するものである。 （もっと読む）

【課題】量産性を低下させることなく、ニーズに応じて出力電圧、電流を変更することが可能な高効率の薄膜太陽電池等を提供する。
【解決手段】単位太陽電池が基板を共通にして複数個形成され、１つの単位太陽電池の第１電極層の延長部が、隣接単位太陽電池の第２電極層の延長部と、基板を貫通する１つ以上の第１貫通孔ｈ１を通じ、単位太陽電池の第３電極層１ｇと絶縁された導体により接続されることで直列接続構造が形成される薄膜太陽電池１０において、他面側加工部の屈曲構造を形成するための加減速領域あるいは屈曲構造を構成する加工線Ｐ３の交点部分が、第１電極層に半導体層１ｆの形成前に局所的に電気的に分離されている領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】論理的なリング型ネットワークを構成するシステムにおいて、ノード間のタイマ値の同期を容易且つ的確に行なう。
【解決手段】各ノードでのタイマラッチ指示メッセージの受信タイミングにおけるタイマ値と各ノードのノード構成情報とを収集しこれを利用してマスタ及びスレーブ間の伝送遅延時間を演算しノード構成情報と共に記憶しておく。スレーブノードは、通知されるマスタタイマ値と伝送遅延時間との和を自ノードのタイマ値として更新設定してマスタノードとの同期化を図る。マスタノードは、ループバック状態のノードが異常状態の復旧を検出したとき、このノードによる切り離しノードを含む各ノードのノード構成情報を収集し、このノード構成情報が記憶領域のノード構成情報と一致するとき記憶領域の伝送遅延時間を利用してノード間におけるタイマ値の同期化を図る（ステップＳ４１〜Ｓ４８）。 （もっと読む）

【課題】被加工物を高速かつ高精度に加工することができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物１００を載置する加工ステージ１と、被加工物１００にレーザ光を照射するレーザ光照射手段２と、レーザ光を被加工物１００上の所定のラインに沿って走査させるレーザ光走査手段と、レーザ光の走査ラインに沿って、該ライン上の非加工部分を覆うように配設される複数のマスク６と、１つのラインの加工が終了して次の加工ラインに沿って前記レーザ光の走査ラインが変更されるとき、該走査ラインに整合するように前記マスクを移動させるマスク移動手段４，５とを備えるレーザ加工装置を用いて、被加工物を所定パターンにレーザ加工する。 （もっと読む）

【課題】電気特性と熱特性の相互の影響を反映した電気-熱連携解析を短い計算時間で実行し、正確な解析結果を得る半導体装置のシミュレーション方法及び装置を提供する。
【解決手段】まず電気特性解析を実行する（ステップS1）。次に電流特性とチップ損失特性の平均化を実行する（ステップS2）。そしてモジュールの３次元形状モデルを作成し、第１の平均化式により得た平均化した電流値を３次元形状モデルの端面に設定してジュール損失解析を実行する（ステップS3）。そして上記ジュール損失解析と第２の平均化式で算出したチップ損失の平均値とを用いて発熱量が等しく時間ステップの長い熱解析特性データを得る（ステップS4）。温度変化が一定値以上に達した時点で電気特性解析のジャンクション温度を再設定し（ステップS5）、以降、電気特性解析から平均化、熱解析までの解析フローを繰り返して装置動作時の温度特性を得る（ステップS11〜S15）。 （もっと読む）

【課題】筐体要素の少なくとも一方が、互いに交差する方向に沿って延在した２つの壁部を有するものにおいて、組み立て作業の煩雑化を招来することなく、防水性を確保する。
【解決手段】互いに交差する方向に沿って延在したベース側基準壁部１１及びコンジットフレーム部１２を有したベース部材１０とカバー部材２０とを備えた筐体１において、ベース部材１０とカバー部材２０との間には、側壁部２３の延在端面をベース側基準壁部１１の内表面に接合させる際に互いに当接係合してカバー部材２０の側壁部２３を弾性的に変形させることによりコンジットフレーム部１２の周壁に設けたコンジットガスケット部３１ａから側壁部２３を離隔した状態に維持し、かつ側壁部２３の延在端面をベース側基準壁部１１の内表面に接合させた場合には当接係合状態を解除してコンジットガスケット部３１ｂに対する側壁部２３の接合を許容する接合補助手段４０を設けた。 （もっと読む）