【課題】液晶ディスプレイのバックライトなど面光源装置として好適に用いることのできる適度な光透過性と拡散性を有する光拡散性発泡シートを提供する。
【解決手段】結晶性樹脂１からなる単一のシートであり、該シート内に気泡２を有し、示差走査熱量計にて窒素雰囲気下、昇温速度２０℃／分で測定される融解熱量および結晶化熱量から下記式（１）で求められる結晶化度が２５％以上である。式（１）・・・結晶化度＝（−融解熱量−結晶化熱量）／α×１００（％）（式（１）中、αは樹脂が１００％結晶化した場合の理論的な融解熱の値を表す。） （もっと読む）

【課題】架空送電線の腐食検知に高所作業を必要とせず、しかも電線外径が増大する腐食と縮小する腐食の双方を検知できるようにする。
【解決手段】架空送電線の外周に周方向の一部が開閉可能なリング３Ａを取り付け、このリング３Ａの開閉端を歪みゲージが埋め込まれた軸力検出ボルト５Ａとナット７Ａで締め付けることにより、架空送電線１にリング３Ａによる締め付け力を加えると共に軸力検出ボルト５Ａに軸力を発生させる。この状態で、架空送電線１に腐食が発生したときの架空送電線の外径増大又は外径縮小による軸力検出ボルト３Ａの軸力の変化を、前記歪みゲージが接続された歪み計で測定することにより架空送電線の腐食を検知する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ₂からなるゲート絶縁膜を常圧ＣＶＤによって形成することで、十分なノーマリオフ特性が得られるＧａＮ系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にバッファ層１３を介して積層されたｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなるチャネル層１４とゲート電極Ｇとの間にゲート絶縁膜１７が形成されたＧａＮ系半導体素子１において、ゲート絶縁膜１７が、常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ₂膜である。常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ₂膜は、Ｓｉ−Ｈ結合や未結合手の発生が抑制された高品質のＳｉＯ₂膜である。このようなＳｉＯ₂膜により、ＧａＮ系半導体素子のしきい値の制御に及ぼす悪影響も抑制されるので、十分なノーマリオフ特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と大きい動作電流とを両立した電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、窒化物系化合物半導体からなり、チャネル層を含む半導体層と、前記チャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層上において前記ゲート電極を挟むように配置されたソース電極およびドレイン電極と、を備え、前記チャネル層の表面の、少なくとも前記ゲート電極直下の領域が、窒素極性の表面を含む。 （もっと読む）

【課題】環境負荷の小さいポリオレフィン系樹脂組成物製で、ケーブル発熱時の圧縮強度を保ちつつ、可とう性や耐衝撃性に優れた波付可とう管を提供する。
【解決手段】ポリオレフィン系樹脂１００重量部あたり、充填材として平均粒子径が０．５〜５．０μｍの炭酸カルシウム炭酸カルシウムまたはタルク、あるいは炭酸カルシウムとタルクの両方を５〜６０重量部含むポリオレフィン系樹脂組成物からなり、肉厚が６．５ｍｍ以下の波付可とう管。また、前記炭酸カルシウムが、累積粒度分布９０重量％の粒径が３０μｍ以下であり、かつ４５μｍふるい残分が１．０％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】構造が複雑なフィールドプレート構造を用いずに、ゲート電極端での電界集中を緩和することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１０は、基板上にバッファ層を介して形成されたｐ−ＧａＮ層１４と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極２０と、ソース電極と、ドレイン電極１７とを有する。ゲート電極２０は、ゲート電圧を印加するための電極で、ドーパントが高濃度にドーピングされたポリシリコンを用いた第１の領域（ゲート電極１）２１と、高抵抗のポリシリコンを用いた第２の領域（ゲート電極２）２２とを有する。両ゲート電極２１、２２間に抵抗勾配部２３がある。第２の領域２２では緩やかに電位が変化する電位勾配３０ができる。これにより、ゲート電極端３１において、電圧の微分である電界がピーク３２で示すように小さくなり、ゲート電極端３１での電界集中を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化、消費電力や製造コストの低減を図ることができ、構造が簡単なレーザ装置及び半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】レーザ装置Ｓは、発光素子１と、発光素子１から出射されるレーザ光を入射し、３つの分岐光に分岐する光学部品２と、第１の受光素子３及び第２の受光素子４と、光ファイバ５とを有し、光学部品２は、入射されたレーザ光の一部を反射して第１の分岐光Ｌ１として分岐して出射する第１の面１０ａと、第１の面１０ａを透過したレーザ光の一部を反射して第２の分岐光Ｌ２として分岐するとともに、レーザ光の一部を透過して第３の分岐光Ｌ３として分岐する内部面２ａと、第２の分岐光Ｌ２を透過して出射する第２の面１０ｂと、第３の分岐光Ｌ３を透過して出射する第３の面１１ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板と蓋部材との間に光ファイバを挿入可能な空間を形成するときに操作性を向上することができる光ファイバ用接続構造を得る。
【解決手段】基板を構成するファイバ固定部２０と蓋部材１４をばね力により押圧するクランプ部材１８が設けられている。ファイバ固定部２０には、クランプ部材１８の両側に貫通孔２８が形成されており、蓋部材１４には、クランプ部材１８の両側の貫通孔２８と重ならない位置に貫通孔３０が形成される。貫通孔２８には、ファイバ固定部２０の下方側からピン部材３２が挿入され、貫通孔３０には、蓋部材１４の上方側からピン部材３２が挿入される。そして、ピン部材３２をそれぞれファイバ固定部２０と蓋部材１４の対向面の方向に押し込むことにより、ファイバ固定部２０と蓋部材１４との間に光ファイバ４０が溝部２０Ｂに挿入可能な空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】接着剤層に使用する樹脂を汎用化することができ、ウエハの貼合性を確保しつつダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングを低減することができる接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体ウエハと貼合される接着剤層を有する接着フィルムであって、前記接着剤層は、エポキシ樹脂とアクリル共重合体と無機フィラーとを必須成分とし、前記接着剤層の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）とし、硬化前の前記接着剤層を周波数１Ｈｚで、室温より２００℃まで昇温速度１０℃／分の条件で昇温した際の貯蔵弾性率の最小値を、前記接着剤層の硬化前における最小の貯蔵弾性率Ｇｍｉｎ（ＭＰａ）としたとき、ρ×Ｇｍｉｎが０．２以上で、前記接着剤層を６０℃で前記半導体ウエハに貼り合せた後に、室温にて引張速度５０ｍｍ／分で、９０度ピール条件で剥離した際の前記接着剤層の貼合剥離力が５０ｍＮ／ｃｍ以上であることを特徴とする接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】短時間に、放熱部の放熱性能を超える大きな発熱が起こっても、発熱素子の温度上昇を緩和させて、発熱素子の劣化・故障を防止することができる冷却装置を提供する。
【解決手段】発熱素子に熱的に接続される受熱部１０ａ、および前記発熱素子の熱を一時的に蓄熱する蓄熱部１０ｂを備えた受熱ブロック１０と、前記受熱ブロックに熱的に接続された伝熱用ヒートパイプ２０と、前記伝熱用ヒートパイプの端部に熱的に接続された放熱フィン３０とを備えたことを特徴とする冷却装置。 （もっと読む）