【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び未溶解率が０．００〜０．２５であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面に０．２〜２μｍの平均層厚のＣｒＡｌＮ層（但し、その組成式を（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎで表わした場合、Ｘは、原子比で、０．１０〜０．７０が望ましい）からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＣｒＡｌＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＣｒＡｌＮ結晶粒からなり、さらに、前記ＣｒＡｌＮ層の表面から０．１μｍの深さの水平断面における結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である前記縦長平板状のＣｒＡｌＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】従来の金属ペースト組成物を用いたスクリーン印刷法、フォトリソグラフィー法等とはその成膜原理が異なるエアロゾルデポジション法を用い、溶液や樹脂成分を含まない溶液，樹脂フリーの原料から、均一かつ密着性の高い金属薄膜からなる電極又は配線パターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】金属粒子１６をエアロゾル化し、このエアロゾル化した金属粒子を基板１１上に吹き付けることにより、基板１１上に金属薄膜からなる電極又は配線パターンを形成する方法であって、上記金属粒子１６が、平均粒子径０．０８〜１０μｍの範囲であり、かつレーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積粒径を微粒側から累積１０％、累積５０％、累積９０％に相当する粒子径をそれぞれＤ₁₀、Ｄ₅₀、Ｄ₉₀としたとき、（Ｄ₉₀−Ｄ₁₀）／Ｄ₅₀が０．１〜２．５の範囲にある粒度分布を持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 リチウムイオン二次電池をはじめとする非水二次電池の充放電に伴う発熱、特に、高出力充放電に伴う発熱を高効率で逃がすための集電体、およびこれを用いた電極を提供することを目的とする。
【解決手段】 帯状の金属多孔質焼結体を備える集電体であって、前記金属多孔質焼結体が、三次元網目構造の金属骨格を有し、かつ前記金属骨格間に空孔を有し、かつ縁部の密度より中央部の密度が高いことを特徴とする、非水電解質二次電池用集電体、およびこれを用いた電極である。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記ＴｉＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とし、断続重切削加工において優れた耐欠損性と靭性を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】磁束透過率が低く漏れ磁束が小さいターゲットの漏れ磁束を増加させて肉厚のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図ることができるスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタされてエロージョンが発生するスパッタ面５ａと、スパッタ面５ａの反対側に設けられた裏面部５ｂとを備え、裏面部５ｂは、マグネトロンスパッタリング装置１にスパッタリングターゲット５を配置した際に、マグネトロンスパッタリング装置１が備えるマグネット７ａ，７ｂの磁極と対向する磁極対向面５１ａ，５１ｂと、この磁極対向面５１ａ，５１ｂの周囲に設けられスパッタ面５ａ側にくぼんだ凹部５３ａ〜５３ｃとを有し、磁極対向面５１ａ，５１ｂと凹部５３ａ〜５３ｃとにより、磁極対向面５１ａ，５１ｂを先端とする磁極集中部５２ａ，５２ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｂｅを含有することなく、原料コスト及び製造コストが低く、引張強度及び導電性に優れ、かつ、加工性にも優れた高強度高導電性銅合金を提供する。
【解決手段】Ｍｇ；１．０質量％を超えて４質量％未満、Ｓｎ；０．１質量％を超えて５質量％未満を含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされており、Ｍｇの含有量とＳｎの含有量の質量比Ｍｇ／Ｓｎが０．４以上とされていることを特徴とする。引張強度が７５０ＭＰａ以上、導電率が１０％ＩＡＣＳ以上とされていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造からなる下部層及び上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）薄層Ａは、組成式：（Ａｌ_１−αＣｒ_α）Ｎあるいは（Ａｌ_{１−α−β}Ｃｒ_αＳｉ_β）Ｎで表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合窒化物層、（ｂ）薄層Ｂは、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_２Ｏ_３あるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_２Ｏ_３で表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、（ｃ）上部層は、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_１−ＸＯ_Ｘあるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_１−ＸＯ_Ｘで表され、かつ、上部層のＯ（酸素）含有割合が、下部層側から上部層表面に向かって減少する組成傾斜型のＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、を蒸着形成する。但し、原子比で、０．２５≦α≦０．４５，０．０１≦β≦０．１，０≦Ｘ≦０．２，０．２５≦Ｙ≦０．４５，０．０１≦Ｚ≦０．１。 （もっと読む）

【課題】 過電圧印加時においてショートモードを防止可能であると共に、その際にリード線が他の電子部品や回路等と接触することも防止可能な温度センサ温度センサを提供すること。
【解決手段】 一対の電極を有するサーミスタ素子２と、一対の電極に一端が半田材で接続され弾性力を有した一対のリード線３と、一対のリード線３に取り付けられこれらの間隔を保持する絶縁性材料で形成された支持部材４と、一対のリード線３の一端とサーミスタ素子２とを封止すると共に半田材の融点温度以下で軟化する熱可塑性樹脂で形成された樹脂封止部５と、を備え、一対のリード線３のうち少なくとも一方の一端側が、一対のリード線３の互いに間隔を広げる方向に付勢力を付加されている。 （もっと読む）