説明

三菱マテリアル株式会社により出願された特許

991 - 1,000 / 4,417


【課題】 さらなる高抵抗化が可能で、より幅広い抵抗値制御を行うことができるサーミスタ素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一対の挿入孔2aが形成されたサーミスタ用金属酸化物焼結体2と、挿入孔2aに挿入されてサーミスタ用金属酸化物焼結体2に接合された少なくとも一対のリード線3と、を備え、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に中空状孔部2bが形成されている。特に、中空状孔部2bが、対となる挿入孔2aの間に形成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】切削インサートの部品点数を増加させることなく、被削材の周面に沿って端面溝入れ加工する場合であっても加工精度を十分に確保できる刃先交換式溝入れ工具及び端面溝入れ加工方法を提供する。
【解決手段】切削インサート30は、インサート高さ軸線C3に関して回転対称、かつ、インサート仮想平面VS1に関して面対称に形成され、インサート幅軸線C2が、他方の幅方向C2Aへ向かうに従い漸次被削材Wの回転する回転方向の前方側へ向けて傾斜し、インサート長手軸線C1が、一方の延在方向C1Aへ向かうに従い漸次工具仮想平面に接近するようにインサート本体31の下面側へ向けて延び、他方の切れ刃32Bにおける他方の幅方向C2Aとは反対側に位置する一方のコーナー部43Cが、一方の切れ刃32Aにおける一方のコーナー部43Aよりも他方の幅方向C2A側に配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができる有機EL素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 In:0.1〜1.5質量%とCa:0.005〜0.05質量%とを含み、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が120〜250μmであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の20%以下であることを特徴とする、有機EL素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットである。 (もっと読む)


【課題】切削インサートの部品点数を増加させることなく、被削材の周面に沿って端面溝入れ加工する場合であっても加工精度を十分に確保できる刃先交換式溝入れ工具及び端面溝入れ加工方法を提供する。
【解決手段】切削インサート30は、インサート高さ軸線C3に関して回転対称、かつ、インサート仮想平面VS1に関して面対称に形成され、インサート幅軸線C2が、他方の幅方向C2Aへ向かうに従い漸次被削材Wの回転する回転方向の後方側へ向けて傾斜し、インサート長手軸線C1が、一方の延在方向C1Aへ向かうに従い漸次工具仮想平面に接近するようにインサート本体31の上面側へ向けて延び、他方の切れ刃32Bにおける他方の幅方向C2Aとは反対側に位置する一方のコーナー部43Cが、一方の切れ刃32Aにおける一方のコーナー部43Aよりも他方の幅方向C2A側に配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】微細で均質な組織を有し、加工性が良好で、特に、重切削での加工を可能にした純銅板を得る。
【解決手段】純度が99.96wt%以上である純銅のインゴットを、550℃〜800℃に加熱して、総圧延率が80%以上で圧延終了時温度が500〜700℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から200℃以下の温度になるまで200〜1000℃/minの冷却速度にて急冷し、その後、25〜60%の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 (もっと読む)


【課題】 より高品質で高速な加工が可能なレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】 加工対象物Wにレーザ光を照射して加工する装置であって、基本波のレーザ光L1を出射するレーザ光源2と、基本波のレーザ光L1を第2高調波のレーザ光L2に波長変換して出射すると共に未変換の基本波のレーザ光L1を第2高調波のレーザ光L2と共に同軸で出射する波長変換素子3と、出射された第2高調波のレーザ光L2を加工対象物Wに焦点を合わせて集光すると共に、未変換の基本波のレーザ光L1を加工対象物Wに焦点を合わせず加工対象物Wが加工されないレーザ光強度に集光して加工対象物Wに照射する光学系4と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】識別記号の形成用スペースを必要とせず、金属板の接合後であっても確認可能な識別記号を有するパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板20と、このセラミックス基板20に接合され、ろう付により互いに接合された第1金属層31および第2金属層32からなる金属板30とを備え、第1金属層31と第2金属層32との間に、これら第1金属層31と第2金属層32とが互いに接合されている接合部33と、第1金属層31と第2金属層32とが互いに接合されていない部分により形成された識別記号34とが設けられている識別記号付パワーモジュール用基板10。 (もっと読む)


【課題】ファインピッチはんだ粉末としての使用に好適な、体積累積中位径D50が1〜5μmの範囲内の金属粉末を簡便な方法で非常に収率良く回収する。
【解決手段】卑な金属の陽イオンを含む第1水溶液と2価クロムイオンを含む第2水溶液とを混合し還元反応させて体積累積中位径D50が1〜5μmの金属粉末を製造するに際して、反応容器11の内部に第1及び第2供給管12a,12bの各先端部分を導入し、各先端を容器の内底面から一定高さで互いに間隔を空けて平行に設置し、第1及び第2供給管から第1及び第2水溶液を一定の流量で導入して、容器内部にて両水溶液を接触させることにより、還元反応を行って金属粉末の核を生じさせるとともに、液面11cを一定高さに保持し、両水溶液の混合液を容器内に一定時間滞留させて、還元反応により生じた金属粉末の核を成長させ、その後、両水溶液の混合液を容器底部から一定流量で排出する。 (もっと読む)


【課題】識別記号の形成用スペースを必要とせず、金属板の接合後であっても確認可能な識別記号を有するパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】互いに接合されたセラミックス基板20と金属板30,31とを備え、セラミックス基板20と金属板30,31との間に、セラミックス基板20と金属板30,31とが互いに接合されている接合部11,12と、セラミックス基板20と金属板30,31とが互いに接合されていない部分により形成された識別記号13とが設けられている識別記号付パワーモジュール用基板10。 (もっと読む)


【課題】切刃に欠けが生じるのを防ぎつつ、切屑をより細かく分断することができて、被削材の粗加工や中仕上げ加工における確実かつ円滑な深切込み、高送り切削を可能とすることができるラフィングエンドミルを提供することを目的としている。
【解決手段】軸線回りに回転されるエンドミル本体1の先端部外周に、軸線方向に沿って波形に凹凸する形状を有する複数の切刃5が、軸線回りの回転軌跡において互いの波形の位相をずらすようにして形成されてなるラフィングエンドミルにあって、切刃5がなす波形には、その凸部5Aの頂点Pから凹部5Bの底までの間に、曲折角度θをもって曲折する角部Cを備える。 (もっと読む)


991 - 1,000 / 4,417