【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】出射された青色光と白色光の混色が抑制された発光ダイオード照明装置を提供する。
【解決手段】青色光源領域と白色光源領域が長手方向に順次定義された搭載面を有する支持体と、青色光源領域に配置され、青色光を出射する発光ダイオードを有する青色光源と、白色光源領域に配置され、白色光を出射する発光ダイオードを有する白色光源と、搭載面を覆って支持体上に配置され、長手方向に延伸し短手方向に沿った断面が波形形状である複数の溝３０１が搭載面と対向する入射面に形成された照明カバーとを備え、青色光源及び白色光源から出射された光が、入射面から照明カバーに入射し、照明カバーを透過して出力される。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、また、電流回生時の電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲート駆動回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるノーマリオフ型スイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲート駆動回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との直列回路と並列にノーマリオン型スイッチグ素子Ｑ２が接続され、スイッチング素子Ｑ２のゲートはＧＮＤに接続され、スイッチング素子Ｑ１のゲート電圧に応じたゲートバイアス電流を供給し、スイッチング素子Ｑ１のオフ時にはゲート・ソース間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】構成する部品点数が少なく、さらに容易に製造することが可能な光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の光半導体装置は、発光素子を搭載するダイパッドを有する金属製の第１のリードフレームと、発光された光を反射させるリフレクタを有する金属製の第２のリードフレームと、それらを重ね合わせ一体に成形する樹脂製のモールド樹脂で構成された光半導体装置用パッケージを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣからなる半導体層において、単純な製造工程でトレンチ構造を形成する。
【解決手段】この製造方法は、炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶で構成される半導体層中に溝（トレンチ）が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法である。ここでは、この半導体層に非晶質層を形成し、この非晶質層をウェットエッチングすることによって溝を形成する。この非晶質層を形成するために、この製造方法では、光（レーザー光）の照射が用いられる。半導体層の上には、光を吸収する吸収層がパターニングされて形成される。非晶質層（溝）の平面視におけるパターンは、この吸収層によって規定される。 （もっと読む）

【課題】接合終端領域における電界を緩和し、高耐圧化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の不純物を有する第１半導体領域と、第１半導体領域上に配置された、第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体領域とを有する半導体基体には、コレクタ電極若しくはドレイン電極を有するスイッチング素子が形成された素子領域と、上方から見て半導体基体の最外周部に形成された、第２半導体領域の上面から第１半導体領域に達する終端トレンチと、終端トレンチの側壁および底面に形成された絶縁膜と、絶縁膜を介して溝の内側に埋め込まれた電極とを有し、溝の内側に埋め込まれた電極が第１半導体領域又はコレクタ領域若しくはドレイン電極と接続された等電位リングである。 （もっと読む）

【課題】特殊な工程を用いることなく高歩留かつ安価に薄型の半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも第１導電型を有する半導体基板を用意し、前記半導体基板の主面側に第２導電型を有する拡散領域と該拡散領域に隣接する第１の主電極とを形成する工程と、前記半導体基板を前記半導体基板の裏面側から研削して薄厚化する工程と、薄厚化された前記半導体基板の裏面側に前記第１導電型または前記第２導電型を有する不純物をイオン注入する工程と、前記第１の主電極を構成する材料の融点以下の温度によって前記第１導電型または前記第２導電型を有する不純物を活性化する工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性の高いＩＰＭを得る。
【解決手段】リードフレーム５３が接合される回路パターン３３（第２の回路パターン）は、リードフレーム５３と比べて小さい。このため、リードフレーム５３は、小さな回路パターン３３が存在する箇所によってのみ局所的にはんだ層４０によって部分的に接合される。リードフレーム５３は回路パターン３３が存在する狭い領域においてのみ固定されており、この狭い領域における平坦度を高くすることができる。逆に、この狭い領域以外においてははんだ層４０は形成されていないため、リードフレーム５３は長く、その面積は必ずしも小さくないにも関わらず、はんだ層４０中のボイド等に起因する平坦性の劣化は少なくなる。 （もっと読む）

【課題】電源起動時に光量が絞られてＰＷＭ信号のデューティ比が小さい場合にも、出力電圧Ｖ０の立ち上げを速やかに行うことができる定電流電源装置を提供する。
【解決手段】抵抗Ｒ２による電圧降下によってＬＥＤアレイ２を流れるＬＥＤ電流ＩＬを検出し、コンパレータＣＰ１によってＬＥＤ電流ＩＬに相当する抵抗Ｒ２の電圧降下と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較することで、起動時に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達するまで、ＰＷＭ信号に長い補充期間Ｔｓの期間、１次側から２次側に電力を供給させると共に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達後は、短い補充期間Ｔｎの期間、負荷に電力を供給させる。 （もっと読む）