【課題】本発明の半導体ウエハーのエッジ研磨方法は、モーメントによる割れの問題、テーブルとの接触部における傷発生の問題、ビビリからくる研磨面の荒れの問題、及び、従来技術では２工程が必要とされた表裏エッジの研磨を、単一の工程でできるようにすることを課題とする。
【解決手段】
（１）部分球面を形成する複数のパッドブロック５４を設けた２つの研磨プレート５２の間に配置された半導体ウエハーＷを２つの研磨プレート５２によって挟み付けるようにして押圧し、（２）パッドブロック５４が互いに干渉しないで噛み合うような状態を保ちながら、半導体ウエハーＷをその中心軸線の周りに回転させ、（３）この軸線に対して傾斜した２つの回転軸線の周りに研磨プレート５２を回転させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐとともに、面取り部における曇りの発生も確実に防ぐことができるプラズマエッチング用治具を提供する。
【解決手段】少なくとも、半導体ウエーハＷを収納する収納部２と、該収納部の内周から内側に向けて延出する接触部３と、該接触部の内周からさらに内側に向けて延出するマスク部４とを有し、前記ウエーハをエッチングする際、収納部が該ウエーハを収納するとともに、前記接触部が該ウエーハの上面の外周部と接触し、かつ、前記マスク部が前記ウエーハの外周部の前記接触部と接触する部分よりも内側の部分を間隙をあけて覆うことにより、該ウエーハの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するものであることを特徴とするプラズマエッチング用治具１。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置のサセプタ６上に半導体ウエーハＷを配置するとともに、ウエーハＷの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するためにウエーハＷの外周部上にリング状の治具５を配置し、半導体ウエーハＷに対してプラズマエッチングを行う。その後、ウエーハＷの外周部の２箇所以上でエッチング量を測定し、２箇所以上で測定したエッチング量の差が小さくなるようにリング状の治具５に対する半導体ウエーハＷの相対位置を調整して次の半導体ウエーハのプラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】平坦度の指標の一つであるＳＦＱＲｍａｘを改善し、ウェーハを効率よく平坦化する平坦化加工方法の提供。
【解決手段】鏡面研磨工程、表面形状測定工程、及び、局所ドライエッチング工程をこの順で行う半導体ウェーハの平坦化加工方法である。鏡面研磨工程では、研磨布を貼付した定盤と保持具に保持された半導体ウェーハとに相対的な回転を与えるとともに、研磨組成物を供給しながら半導体ウェーハを鏡面研磨加工する。表面形状測定工程では、鏡面研磨工程を経た半導体ウェーハの表面形状を測定する。局所ドライエッチング工程では、プラズマ発生器から流下する間に電気的に中性となった中性活性種ガスを相対移動可能なノズルを通して被加工物の表面に吹き付けるとともに、計測された表面形状に応じて相対速度、被加工物とノズルとの距離、プラズマ発生器のプラズマ出力及びガス流量のうち、少なくとも一つを制御しながら、表面から材料を除去する。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単でコストも安くかつ様々な径のワークにも容易に対応することができる、合理的設計構造を備えたワーク用チャック装置を提供する。
【解決手段】真空源に通じる吸引孔８を中央に備えたチャックテーブル３の円形のテーブル面３ａに、テーブル面３ａと同等以上の大きさを有する支持プレート４を介して吸着パッド５を取り付け、支持プレート４の中央部に吸引孔８に通じる中継孔を形成し、吸着パッド５に、中継孔９を取り囲む複数の環状の吸着溝を同心状に形成すると共に、これらの吸着溝と中継孔とを連通させるための連通溝を放射状に形成する。 （もっと読む）

【課題】 定盤のパッド貼着面に固着した凝縮物や錆びなどの異物の除去と、該パッド貼着面の表面粗さの維持とを、該パッド貼着面の平坦度を変化させることなく同時にかつバランス良く行うことができる、両面研磨装置における上定盤のパッド貼着面用のドレッサを得る。
【解決手段】 外周に歯１４を備えた硬質で円環状をなす母材１１の上面に、スポンジ体等からなる柔軟な弾性部材１２を介して柔軟な砥粒層１３Ａを担持させることにより、パッド貼着面に固着した異物等の凹凸に追従させてこれらの弾性部材１２及び砥粒層１３Ａを部分的に変形させながら該パッド貼着面をドレッシングすることが可能なドレッサを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ワークと研磨パッドとが同じパターンでの接触を繰り返したり同じ加工軌跡をたどることがないようにして加工精度を高めると同時に、キャリヤの振動やばたつきなどによるキャリヤクラッシュやスクラッチの発生をなくした平面研磨装置を得る。
【解決手段】 上下の定盤１，２のうち、下定盤２のパッド貼着面８及び研磨パッド１２を、該下定盤１２の回転中心Ｏ１に対して同心状に形成し、また、上定盤１のパッド貼着面７及び研磨パッド１１を、該上定盤１の回転中心Ｏ１に対して偏心した位置を占めると共に、上記下定盤２のパッド貼着面７及び研磨パッド１２に比べて小さい外径と大きい内径とを有するように形成し、さらに、研磨時に上記ワークＷを、上下両定盤１，２のうち上定盤１の研磨パッド１１の内外周両側にオーバーハングさせるようにする。 （もっと読む）

【課題】接触部近傍隅部に洗浄水が残ることがないスピン乾燥機のためのワーク把持装置を提供する。
【解決手段】スピン軸、支持枠、複数の回動駒４２、ワーク載置面４２１、ワーク挟持面４２２、コイルバネ４１４、および、押圧手段を兼ねる飛散防止カバーを備えており、飛散防止カバー上部６４１によって押圧受け部４２５が押圧されたとき、ワーク載置面４２１が窪んだ円錐面に沿うように傾斜した状態となることによって、この状態のワーク載置面４２１にワークＷがそのエッジ部にて載置され、飛散防止カバー上部６４１が押圧受け部４２５の押圧を解除するとき、ワークＷのエッジ部がワーク載置面４２１に沿ってせり上がり、ワーク挟持面４２２に接触して停止し、ワークが把持される。 （もっと読む）

【課題】 高速回転するウエハから放射方向に飛散するスラリーを効率良くかつ確実に受け止めることができる飛散防止手段を備えた外周研磨装置を得る。
【解決手段】 半導体ウエハ１を保持して軸線Ｌ回りに回転させるチャックテーブル１２と、上記ウエハ外周部のベベル面と円周端面とを研磨する複数の研磨部材１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄと、研磨中のウエハ１にスラリーを供給するスラリー供給装置１６とを有する外周研磨装置において、上記スラリーの飛散を防止するため、上記チャックテーブル１２及び研磨部材１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの回り全体を取り囲むように飛散防止カーテン１７を配設し、この飛散防止カーテン１７は、フィルムや繊維等の柔軟性素材によって変形自在な薄板状に形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はシリコン、窒化ガリウム、ガリウムリン等の半導体を極薄で超平滑化するための加工キャリアを高品質化するために提供されたもので、加工キャリアを減圧下において、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なＤＬＣ膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、ＤＬＣ膜を形成した半導体加工キャリア部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）