【課題】半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な表面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ粒子の長径／短径比が１．２〜１０であって、長径／短径比の平均値が１．５〜７である非球状の異形粒子群となっているコロイダルシリカである。これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にビシンとアルカリ剤を加えて加熱し、ビルドアップの手法で粒子成長を行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】研磨速度が高く、かつ、濃度の変化に対し研磨速度の変化が小さいことを特徴とするアルカリ金属の含有量が少ない半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ研磨用組成物は。テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカを含有し、かつ水に分散したシリカ粒子の濃度が０．５〜５０重量％であることを特徴とする。テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子に含まれるテトラエチルアンモニウムの濃度は、テトラエチルアンモニウム／シリカのモル比として５×１０^-4〜２．５×１０^-2の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ワーク保持孔の内周に取り付けたインサートの位置ずれや脱落等が生じにくく、かつ、ワークの研磨加工時における摩耗が生じにくいワークキャリアを提供する。
【解決手段】金属製のキャリア基板１３に開口を設け、該開口の内周に軟質のインサート１５を取り付け、このインサート１５の内側をワーク保持孔１２としたワークキャリア１０において、開口の内周の少なくとも一部に角溝形の係止溝２２を設けると共に、インサート１５の外周の少なくとも一部に角形断面の係止突条２３を形成し、この係止突条２３を係止溝２２内に嵌合、係止させた状態でインサート１５をキャリア基板１３の開口の内周に固定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ毎に異なるロールオフ形状に対応した最適なオーバーハング量、クリアランス量を容易に設定可能であり、半導体ウェハ外周縁部の形状に応じたエッチング量の制御が可能で、ロールオフ、ＳＦＱＲ等の半導体ウェハ外周縁部の平坦度をも向上できる局所ドライエッチング装置のエッチングガス流制御装置を提供すること。
【解決手段】局所ドライエッチング装置のノズルから半導体半導体ウェハＷに向かって噴出するエッチングガスの流れの前方において、ガス流の一部を、その縁部において遮ることが可能であり、ガスの暴露に対して耐性を有する材料からなる板状マスク体Ｍ、及び、上記板状マスク体Ｍを局所エッチングの進行に応じて移動させるための送り装置が備えられている。送り装置によって、板状マスク体Ｍの縁部の位置は、半導体ウェハのエッジロールオフ形状に応じて調整できるため、エッジロールオフ形状毎に交換する必要がない。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハー上に形成された配線などの金属を有する基盤の研磨において、スクラッチと呼ばれる傷がなく研磨速度の高い配線金属研磨用組成物、製造方法、および研磨方法を提供する。
【解決手段】酸を含有しｐＨが２〜６であって、アミノ基含有シランカップリング剤が表面に結合した正電荷のシリカ粒子の水性媒体分散液を含有することを特徴とする半導体ウェハーの研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いた研磨加工方法。 （もっと読む）

【課題】研磨特性に優れた半導体ウエハ研磨用組成物と研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】シリカ粒子の長径／短径比が１．５乃至１５の非球状の異形粒子群となっているコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物である。また、これを用いた半導体ウエハの研磨加工方法である。この研磨用組成物は、真球状のコロイダルシリカを用いた場合に比べ研磨速度が格段に高く、かつスクラッチを発生することはなく良好な鏡面研磨が達成できる。また、アルカリ金属の含有量が少ないことから、研磨後の砥粒残り等の半導体ウエハへの弊害を低減することができる。 （もっと読む）

【目的】表面に金属膜、酸化物膜、窒化物膜等が形成された半導体ウエハの平面及びエッジ部分を効果的にかつ安定に研磨加工を行なう研磨用組成物を提供する。
【構成】粉砕媒体を用いた湿式粉砕によって得られた、下記（A）〜（C）の特性を有するヒュームドシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該ヒュームドシリカを含むシリカ粒子の濃度が水分散液全体に対して０．５〜５０重量％である半導体ウエハ研磨用組成物。
（A）ＢＥＴ法により測定した比表面積が５０〜２００ｍ^２／ｇであり、
（B）レーザー光散乱法による平均粒子径が１０〜５０ｎｍであって、
（C）ＴＥＭ観察による粒子の長径Ａと短径Ｂとの比Ａ／Ｂの平均値が１．２〜２．０
の範囲にあるヒュームドシリカ。 （もっと読む）

【課題】両面研磨装置における上下の定盤に加圧ローラを用いて研磨パッドを機械的に貼着することができる、構成が簡単で操作も容易な新たな技術手段を得る。
【解決手段】研磨装置に対して個別に着脱自在である複数の加圧ローラ２０Ｃのローラ本体２１を、上下の定盤１，２のパッド貼着面１ａ，２ａの幅より短く形成し、該パッド貼着面１ａ，２ａに対する研磨パッド５の貼着時に、このローラ本体２１を上下の定盤１，２間に介在させて上下の定盤１，２を互いに逆向きに回転させることにより、このローラ本体２１を従動回転させて定盤１，２の半径方向に移動させ、それによって上記研磨パッド５をパッド貼着面１ａ，２ａに圧着させる。 （もっと読む）

【課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にパーティクル汚染、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】珪酸アルカリ水溶液からアルカリを除去して得られた活性珪酸水溶液と第４アンモニウム塩基によって製造される第４アンモニウム塩基によって安定化されたコロイダルシリカであって、アルカリ金属を含まず、２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸および第４アンモニウム塩基を組み合わせた緩衝溶液を含み、かつ２５℃においてｐＨ８〜１１の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルのテーブル面に吸着溝や連通溝等の凹凸が形成されている場合でも、該凹凸のために支持プレートが変形することのないように構成することにより、ワークと吸着パッドとの間の隙間の形成を防止するワーク用チャック装置を提供する。
【解決手段】真空源に通じる吸引孔１４を中央に備えたチャックテーブル３の円形のテーブル面３ａに、テーブル面３ａを覆うためのカバープレート４を取り付けると共に、カバープレート４上に支持プレート５を取り付け、支持プレート５の上面に吸着パッド６を取り付けて、吸着パッド６に、複数の環状の吸着溝１６を同心状に形成すると共に、これらの吸着溝１６と吸引用の中心孔１５とを連通させるための連通溝１７を放射状に形成する。 （もっと読む）