【課題】 本発明は、両面研磨装置において、上定盤の揺動運動を前もって調整可能とすることによってドレッシングの往復運動等による反復力に起因して共振が発生することを回避可能とすることを課題とするものである。
【解決手段】 両面研磨装置１は、上定盤１１を、非研磨位置に上昇させるともに研磨位置に下降させることが可能な定盤吊り機構２であって、上下昇降可能な昇降シャフト２３とこの昇降シャフトの昇降方向と直行する２つの軸線回りに上定盤１１を揺動運動自在に支持する自在支持機構２１とを備えた定盤吊り機構２を有しており、この定盤吊り機構２は、上定盤１１の揺動運動に弾性復元力を付与するために昇降シャフト２３と上定盤１１との間にボルト４２、ナット４３、コイルばね４４１、４４２からなる復元力付与機構４が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 両面研磨装置において、ワークとキャリアとが重なっていることを検知する方法を提供する。
【解決手段】 両面研磨装置の上定盤１１に形成された空所内に少なくとも２つの渦電流センサ２２が設けられており、キャリア１５のワーク保持孔内にワーク１６を装填して上定盤を降下させた後、渦電流センサによって、キャリアの上表面までの距離を検出した時、渦電流センサの少なくとも一つにおいて、予め設定された基準値より大きい値が検出されたとき、あるいは、２つの渦電流センサ間において、予め設定された値よりも大きい検出値の差があるとき、ワークとキャリアが重なっているものと判断する。ワークとキャリアとの重なりが検出されたとき、作業者にアラームを出してワーク装填をやり直させる。 （もっと読む）

【課題】上定盤をバランス良く支持することが可能であると共に昇降駆動性にも優れた平面研磨装置を得る。
【解決手段】上定盤１を研磨位置と非研磨位置との間で昇降駆動する昇降装置８が、同期的に動作する３つの昇降用駆動機構部８Ａと、これらの昇降用駆動機構部８Ａと上定盤１とを連結する連結機構部８Ｂとを有していて、上記昇降用駆動機構部８Ａが、機体の上記上定盤１を取り囲む位置に１２０度間隔で並列に配設され、また、上記連結機構部８Ｂが、上定盤１を支持する支持部１１から放射方向に１２０度間隔で延出して上記昇降用駆動機構部８Ａに連結された３本の連結アーム１２を有する。 （もっと読む）

【課題】ピン歯車式のサンギア及びインターナルギアを備えた研磨装置において、ピンに装着されたカラーの抜け出しを防止するための機構を、構成が簡単で歯部の保守管理が容易であると共に、必要数のカラーを簡単かつ効率良く交換できるように構成する。
【解決手段】サンギア及びインターナルギアの歯を形成するピン２０に、下端部にフランジ２１ａを有するカラー２１を装着し、該カラー２１のピン２０からの抜け出し防止するカラー押さえ２６を、円環状をなすピン列の内周側又は外周側の何れか一方に、複数のピン２０に沿って延在すると共に、上記フランジ２１ａの一部に上方から係止することによって複数のカラー２１の抜け出しを同時に防止可能なるように配設し、ギア本体３Ａに螺子２７で着脱自在に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウエハーのエッジ研磨装置であって、特にその表裏エッジを同時に研磨することができる研磨装置及び研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体ウエハーの表裏エッジ同時研磨装置では、半導体ウエハーの中心に関して互いに反対側にあるエッジ部分を同時に研磨するための弧状の研磨プレートからなる研磨面２１１、３１１を有するとともに、略長方形の２つの研磨プレート２１、３１が使用され、これらを、十字状に互いに向き合わせ、回転可能に支持された半導体ウエハーＷを包み込むようにし、それぞれの研磨プレート２１、３１に、研磨圧と上記球面に沿った揺動運動を与え、研磨部にスラリーを供給するとともに半導体ウエハーを回転させる。 （もっと読む）

【課題】剥離装置を設けた両面研磨装置において、剥離ガス供給時に洗浄水、スラリーがスラリー樋から飛散することを防止し、作業環境を悪化を防止すること。
【解決手段】サンギア２、インターナルギア３、キャリア８１、上定盤５と下定盤４、スラリー供給装置６３、洗浄液供給装置及びガス圧による剥離装置を備えた両面研磨装置において、スラリーノズル６１に遊動ボール９３を備えた逆流防止機構６４を形成した。これにより、剥離ノズル７１から剥離ガスを供給した時に上定盤５と下定盤４の空間を通って剥離ガスがスラリーノズル６１に達したとしても、剥離ガスは遊動ボール９３を押し上げ、遊動ボール９３が円錐壁に接触してガスの流れを閉鎖する。このため剥離ガスはそれより上には行かないのでスラリー樋６２から吹き出すことはなく、作業環境の悪化が防止される。また、吹き込んだガスがスラリー用のノズルから抜けることによる剥離能力の低下が生じない。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ表面に生じる砥粒の残存（パーティクルの発生）を抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な面粗さが得られる半導体ウエハの平面およびエッジ部分の鏡面研磨に使用される半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物およびそれを用いた研磨用組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸および第４アンモニウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液、または２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸並びに第４アンモニウム及びカリウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液であって、１００倍に希釈したときｐＨ９．５〜１２の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】両面研磨装置における上下の定盤の研磨パッドを同時にかつ簡単に修正することができる、研磨パッド修正のための技術的手段を提供する。
【解決手段】キャリヤ８に保持されたワークＷを両側から挟んで研磨する上定盤４及び下定盤５と、上記キャリヤ８を駆動するサンギヤ６及びインターナルギヤ７とを備えた両面研磨装置１において、修正治具２Ａの棒状をした治具本体２１を上下の定盤４，５間に半径方向に介在させると共に、この治具本体２１に形成した上側修正面２ａ及び下側修正面２ｂを上下の定盤４，５のパッド面１８ａ，１９ａに同時に当接させ、上定盤４で荷重を加えた状態で上下の定盤４，５を互いに逆向きに回転させることにより、上側修正面２ａ及び下側修正面２ｂで両定盤４，５のパッド面１８ａ，１９ａを同時に修正する。 （もっと読む）

【課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にパーティクル汚染、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用研磨組成物を提供することにある。
【解決手段】粒子表面及び水相にアルカリ金属を含まず、第４アンモニウムによって安定化されたコロイダルシリカであって、コロイド溶液全体に対してシリカ濃度が２〜５０重量％である水分散液であることを特徴とする半導体ウエハ研磨用研磨組成物。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐとともに均一にエッチングするための半導体ウエーハと外周リングとの位置合せ用治具及びこれを用いた半導体ウエーハのプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート用ガイドピンをベースプレートの中心部の孔に差込むことでベースプレートと外周リングとの同芯合せを行う工程Ｃと、芯だしプレート用ガイドピンをベースプレートの中心部の孔を通じて芯だしプレートの中心部の孔に差込むことによりベースプレートと芯だしプレートとの同芯合せを行う工程Ｄと、芯だしプレートのＸ方向及びＹ方向のずれ量を測定する工程Ｅと、測定したずれ量に基づきＸ−Ｙステージの位置又はロボットハンドによりウエーハＷを配置する位置を補正してロボットハンドによりウエーハをＸ−Ｙステージに搬送する工程Ｇを含む半導体ウエーハのプラズマエッチング方法。 （もっと読む）