【課題】 ホウ酸やテトラフルオロホウ酸アニオンの加水分解生成物の含有量が極めて少ない高純度のテトラフルオロホウ酸塩を簡便に製造可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明のテトラフルオロホウ酸塩の製造方法は、一般式ＸｍＹｎ（ここで、前記Ｘは、４級アンモニウム、４級ホスホニウム、アンモニウム、ＩＡ族元素、IIＡ族元素及びIIIＢ族元素からなる群より選択される少なくとも何れか１つを示し、前記Ｙは、ハライド、重炭酸、アルキル炭酸、カルボン酸及びヒドロキシドからなる群より選択される少なくとも何れか１つを示す。また、前記ｍ、ｎは自然数であり、Ｘ、Ｙの価数をそれぞれｋ、ｌとする場合に、ｍ×ｋ＝ｎ×ｌの関係を満たす。）で表される化合物と、ホウ素化合物と、フッ化水素酸とを反応させ、更に、前記反応により生成する副生物を留去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ホウ酸やテトラフルオロホウ酸アニオンの加水分解生成物の含有量が極めて少ない高純度のテトラフルオロホウ酸塩に簡便に、かつ収率良く精製することが可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明のテトラフルオロホウ酸塩の精製方法は、一般式Ｘ（ＢＦ_４）ｍ（ここで、前記Ｘは、４級アンモニウム、４級ホスホニウム、アンモニウム、ＩＡ族元素、IIＡ族元素及びIIIＢ族元素からなる群より選択される少なくとも何れか１つを示し、ｍは自然数であり、Ｘの価数に等しい。）で表されるテトラフルオロホウ酸塩に含まれるホウ酸又はテトラフルオロホウ酸アニオンの加水分解生成物に対し過剰となる量のフッ化水素酸を、該テトラフルオロホウ酸塩に添加することにより、該加水分解生成物の少なくとも何れかと反応させてホウフッ化水素酸を生成させ、前記フッ化水素酸の留去に伴い、前記ホウフッ化水素酸を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細加工処理剤の長寿命化と微細加工精度の向上を図ることが可能な微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】微細加工処理方法は、フッ化水素酸、又はフッ化アンモニウムの少なくとも何れか一種を含む水溶液の微細加工処理剤を薬液温度５〜１５℃の範囲で所定期間保管しつつ使用し、かつ、前記微細加工処理剤の使用の際には、前記薬液温度の範囲内で被加工物を微細加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた鎮痛作用を有し、その作用の持続性に優れた新規なオピオイド様ペプチド誘導体を提供する。
【解決手段】下記式（１）


で表されるペプチド誘導体またはその薬学的に許容される塩。（式中、アルギニン残基はＤ体であり、チロシン残基および２’，６’−ジメチルフェニルアラニン残基はＬ体であり、Ｘ_１は水酸基またはアミノ基を表す） （もっと読む）

【課題】有機バインダーや有機溶剤との相溶性を満たし、良質な反射膜を形成することが可能なフッ化物微粒子分散液を提供すること。
【解決手段】アルカリ土類金属塩の溶液中にフッ素化剤を添加することによりフッ化物のコロイド粒子のゲルまたはゾルを生成させる工程と、前記ゲルまたはゾルを、カルボン酸無水物の溶液に添加して水分と副生塩類を除去する工程とを有することを特徴とする。これにより、一次粒子径が１００ｎｍ以下であるフッ化物の微粒子がカルボン酸に分散しているフッ化物微粒子分散液が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する際に、高誘電率膜のみを選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い電気伝導性、耐電圧を有する第４級アンモニウム塩、耐電圧、電気伝導度の高い電解質、耐電圧、電気伝導性が高い電解液、並びに高電圧、高放電容量、大電流放電性能を有する電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】 （１）で表される第４級アンモニウム塩。
【化１】


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^２は、共にメチル基を示す。Ｘ⁻は、Ｎ（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２⁻を示す。） （もっと読む）

【課題】 四フッ化ケイ素を製造する際の製造コストの低減、及び廃棄物量の低減が可能な四フッ化ケイ素の製造方法、及びそれに用いる製造装置を提供する。
【解決手段】 二酸化ケイ素を含む原料１と、フッ化水素酸及びケイフッ化水素酸を含む混合液とを反応させることにより、高シリカフルオロケイ酸水溶液を生成する高シリカフルオロケイ酸生成工程（ａ）と、前記高シリカフルオロケイ酸水溶液と硫酸とを反応させることにより、四フッ化ケイ素を生成する四フッ化ケイ素生成工程（ｃ）と、前記四フッ化ケイ素生成工程（ｃ）で副生するフッ化水素含有の硫酸を水蒸気蒸留することにより、硫酸を生成する硫酸生成工程（ｄ）とを有し、前記四フッ化ケイ素生成工程（ｃ）では、前記硫酸生成工程（ｄ）で生成する前記硫酸を再利用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 同位体交換反応法に於いてより簡便で安定した系を採用することにより、シリコンの同位体濃縮を低コストで大量に行うことが可能な同位体濃縮方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る同位体濃縮方法は、Ｈ_２Ｏ−Ｈ_２ＳｉＦ_６・ｎＳｉＦ_４（式中、ｎ≧０である。）の２成分を少なくとも含む水溶液と、前記ＳｉＦ_４を含む気体との間での同位体交換により、前記Ｓｉの安定同位体を濃縮することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低吸湿性、高発光量フッ化物シンチレータ材料を提供すること。さらにコストダウンを図るために低融点であるフッ化物シンチレータを提供すること。
【解決手段】 Ｃｅ_ｘＡＥ_１−ｘＦ_２＋ｘで表されることを特徴とするフッ化物シンチレータ材料。 但し、ＡＥはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれた１種又は２種以上である。 （もっと読む）