【課題】 カラー画像の色に応じた領域分割において、領域分割結果の信頼性を向上させる。
【解決手段】 所定の色空間内に、カラー物体を撮像したカラー画像が取りうる色の範囲を示す実在色領域ＸＲ１〜ＸＲ４と、実在色領域外の非実在色領域と、を設定する。そして、個体ごとに色ズレが生じうる個々のカラー物体を撮像して得られた対象画像の画素の色を実在色領域ＸＲ１〜ＸＲ４と前記非実在色領域のうちのいずれかに分類することによって、対象画像の領域分割を行う。 （もっと読む）

【課題】基板と位置規制部との接触を防止することにより、フラッシュランプによる熱処理時における基板の破損を防止する。
【解決手段】熱処理装置は、基板９を保持する保持部７、保持部７を昇降する保持部昇降機構、基板９にフラッシュランプからの光を照射して加熱する光照射部、および、保持部７の上方にて基板９を支持する３本の支持ピン７０を有する基板支持部７００を備える。保持部７のサセプタ７２は、基板９が載置される載置面７２２、および、載置面７２２の周囲に設けられた傾斜した側面７２３を備える。熱処理装置では、基板支持部７００から保持部７への基板９の移載時に、極めて低速（秒速１ｍｍ以下）にて基板９を上昇させることにより、載置面７２２上における基板９の横滑りを防止して基板９と側面７２３との接触を防止し、熱処理時における基板９の破損を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面から良好にリンス液を排除することにより、基板表面における筋状のパーティクルの発生を抑制または防止する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転するスピンチャック１上の基板Ｗを角度θだけ傾斜させる基板傾斜機構２５とを備えている。基板Ｗ上に純水を供給して純水液塊４５を形成した後、基板傾斜機構２５で、基板Ｗを微小角度θだけ傾斜させる。すると、純水液塊４５は、分裂することなく、下方へと向かい、基板Ｗの上面に微小液滴を残すことなく落下する。その後、基板Ｗを水平姿勢に戻し、スピンチャック１を高速回転して、基板Ｗの周端面の微小液滴を振り切る。 （もっと読む）

【課題】 反応で生じる気泡を利用することにより、処理時間の短縮を図りつつも処理の面内均一性を高めることができる。
【解決手段】 インラインヒータ１９で処理液を９０℃に加熱して内槽３に供給し、その中に基板Ｗを浸漬する。すると、基板Ｗの回路等形成面側の反対側からは、処理液中に微小気泡が大量に発生し、起立姿勢の基板Ｗ面を上昇してゆく。したがって、激しい上昇液流が生じるので、基板Ｗの全面にわたり処理液が常に撹拌されることになり、基板Ｗが化学的に研磨されて均一性高く厚みが薄くされる。 （もっと読む）

【課題】複数の処理室を有する基板処理装置において、必要な排気用力容量を低減する。
【解決手段】搬送ユニット２０が配置された搬送路３０に沿って、複数の処理部４１〜４４をそれぞれ収容した複数の処理室２１〜２４が二階建て配置されている。一対の積層された処理室２１，２２と、他の一対の積層された処理室２３，２４との間に、処理部４１〜４４に接続された処理液配管を集中配置して収容するための配管室３１が配置されている。この配管室３１は、一階部分の処理部４１，４２の下方に配置された用力取合ボックスに接続されている。この用力取合ボックスは、排気集合室を介して、工場の排気用力に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の他方主面の損傷を避けつつ、基板の他方主面の処理液による汚染を効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗの他方主面Ｗ２の略中央部に対向配置された基板支持ヘッド７１の先端部から基板Ｗの他方主面Ｗ２に向けて基板Ｗの端縁側に不活性ガスが吐出されることで、基板Ｗはベルヌーイ効果により基板支持ヘッド７１に非接触で略水平状態に吸着支持される。制御ユニット８０がアクチュエータ７４を駆動させると、基板支持ヘッド７１とヘッド支持アーム７２が一体的に昇降されて、基板支持ヘッド７１に略水平状態に吸着支持された基板Ｗは昇降移動される。このため、基板支持ヘッド７１を昇降させることで、スピンベース５の対向面５ｂと基板Ｗの他方主面Ｗ２の周縁部とのギャップを任意に、しかも基板Ｗの全周にわたって均一に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】 適切な装置タクトを基板処理装置に設定するための算出装置及び設定装置、並びに適切な装置タクトを設定することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置の装置タクトを設定する設定装置２に、各処理ユニット１２〜１５の動作機構のパラメータの値を記憶するパラメータ値記憶部３４と、パラメータ値記憶部３４に記憶されたパラメータの値を操作者が変更するための入力部３６と、パラメータ値記憶部３４に記憶されたパラメータの値を用いた場合の各処理ユニット１２〜１５の処理時間を求める処理時間算出部２２２と、処理時間算出部２２２により求められた処理時間を操作者に報知する表示部３１と、操作者が装置タクトを入力するための入力部３６と、入力部３６により入力された装置タクトを処理ユニット群１２〜１５に基板を投入する装置１１，２１に設定する装置タクト送信部３８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 不良基板を正常基板と分別すると共に不良基板を基板の種類等ごとに分別して格納又は受け渡す基板処理装置を提供する。
【解決手段】 異なる種類の基板に対して所定の処理を施す基板処理装置１に、前記所定の処理を実行するための処理ユニット１２〜１８と、前記基板を処理ユニット１８から取り出し、カセット６１〜６４のいずれかに収納するインデクサーロボット２ａと、処理ユニット１２〜１８で処理された基板が不良基板であるか否かを検出するスレーブコントローラ２２〜２８と、不良基板を当該不良基板の種類に応じたカセット６１〜６４のいずれか収納するようインデクサーロボット２ａを制御するマスタコントローラ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】液体ＣＯ_２の消費量を抑えつつ基板を搬送しながら基板全体を均一に洗浄する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、ローラ２１にて基板９を搬送方向２２に搬送する搬送機構２、洗浄部４、ＣＯ_２供給源６１およびＮ_２供給源６２を備える。洗浄部４は洗浄部カバー４１に覆われ、洗浄部カバー４１内には搬送方向２２に垂直な方向に２列に配列された複数のノズル４２が設けられる。ノズル４２の各列は搬送方向に垂直な方向に基板９全体に亘って揺動する。各ノズル４２はＣＯ_２供給源６１およびＮ_２供給源６２から液体ＣＯ_２およびＮ_２ガスが供給される二流体ノズルとなっており、これらの流体のノズル４２内の流路への供給量が他のノズルから独立して予め調整されている。各ノズル４２から液体ＣＯ_２とＮ_２ガスとが混合されつつ搬送途上の基板９に噴射されることにより、ＣＯ_２の消費量を抑えつつ基板９全体を均一に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】 処理液のミストの飛散による汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】 洗浄処理装置ＭＰＣ１においては、スピンチャック２１により基板Ｗが保持される。遮蔽板２２によりスプラッシュガード２４の開口部２４ｂがクリアランスＣ１の間隙を持って閉塞されるように、遮蔽板昇降駆動機構３７により遮蔽板２２がスプラッシュガード２４の上端部２４ａに移動される。それにより、基板Ｗの上方および周囲が所定の間隙を持って閉塞される。次に、処理液吐出口５１からレジスト剥離液が基板Ｗの表面に吐出されるとともに、窒素ガス吐出口５０から窒素が吐出される。それにより、基板Ｗ上のレジスト剥離処理が行われる。 （もっと読む）