【課題】湿分の作用下でも長い耐用時間を示す電気部品を提供すること。
【解決手段】セラミック材料を有する基体（１）と、前記の基体（１）上に配置された少なくとも２個のコンタクト領域（２，３）とを備え、前記のコンタクト領域（２，３）にコネクタ素子（４，５）が固定されており、前記の電気部品は有機成分を含有する保護層（６）で取り囲まれており、かつ前記の電気部品は基体（１）と保護層（６）との間に配置された中間層（７）を有し、この中間層（７）は疎水性でありかつ疎油性である中間層材料からなる電気部品。 （もっと読む）

【課題】複数のセラミック材料を含み、モノリシックボディとして焼結可能なベースボディを備えた電気モジュールを提供する
【解決手段】セラミックベースボディ（１）は複数のセラミック層（１ａ，１ｂ）を有しており、ここで、機能層（１ａ）は複合材料層（１ｂ）に接しており、該複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含む。 （もっと読む）

【課題】最低所要供給電圧が低く、小さいチップ領域を占め、電流消費が低く、供給電圧の変動に強いバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。供給回路（ＳＣ）の制御要素（ＣＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）の制御要素（ＣＢ）のうちの一つは、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、供給回路（ＳＣ）のバイアス要素（ＢＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）のバイアス要素（ＢＢ）のうちの一つは、ロングゲート擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたは抵抗を含む。擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 （もっと読む）

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びロングゲート疑似格子整合高電子移動度トランジスタを備える回路ユニット（ＣＵ）。前記ロングゲート疑似格子整合高電子移動度トランジスタのソース（Ｓ）又はドレイン（Ｄ）が、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ（Ｃ）又はエミッタ（Ｅ）に電気的に結合される。 （もっと読む）

第１および第２のコンバータを有するミクロ音響フィルタが提案され、第１および第２のコンバータの間で電磁性および容量性のクロストークが、追加の結合キャパシタンスと追加の電流ループとを設けることによって補償される。このとき追加の結合キャパシタンスと電流ループは、設計により設定される自然な結合に対して正負記号の点で反対向きに作用し、そのようにしてこれを完全に補償できるように配置される。 （もっと読む）

本発明は、二重固体電極を有するＭＥＭＳマイクロフォンの改善された製造方法と、改善された性質を有するマイクロフォンを提供する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べて良好な変位を生じさせながらも損失電力が小さい点で優れているＣｕ内部電極を備えた多層素子に適用するための圧電素子を提供する。
【解決手段】モノリシック多層構造の圧電素子には、上下に配置されたセラミックス層と該セラミックス層の間に配置された少なくとも２つの電極層から成る積層体が設けられており、電極層には元素状の銅が含まれており、セラミックス層には、ニオブのドーピングされたジルコン酸チタン酸鉛が含まれている。 （もっと読む）

増幅回路（１０）は、ドライバ出力部（１３）を有するドライバ段（１１）を含む。さらに、増幅回路（１０）はセンサ（１２）を含む。センサ（１２）は、モード信号（ＳＭＯＤＥ）を受け取るための制御入力部（１６）を有する、可変減衰器（１５）を含む。センサ（１２）のセンサ出力部（１４）は、可変減衰器（１５）を介してドライバ出力部（１３）に接続される。センサ信号（ＳＥ＿ＲＦＯＵＴ）は、センサ出力部（１４）において与えられる。
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