【課題】受光効率を確保しつつ、製造時の角度の公差に伴う光ファイバに入射する反射戻り光の量の増加を抑制することができる光受信モジュール及び光受信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光受信モジュールは、受光素子１０と、受光素子１０を支持するサブマウント２０と、を備える。受光素子１０は、光ファイバの光軸上の位置からずらして配置されている。受光素子１０のサブマウント２０側の面に含まれる複数の辺のうちの、辺の延伸方向が、入射する光の方向に対応する直線と、光ファイバの光軸の方向に対応する直線と、支持部材の前記受光素子を支持する支持面と、に囲まれる領域に交差する交差辺の方向が、光の入射方向に直交する方向とは異なる方向に対応するよう受光素子１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】波長制御を安定的に行う。
【解決手段】光送信モジュール１０は、光半導体増幅器１０２と、波長選択ミラー１１０と、光半導体増幅器１０２と波長選択ミラー１１０との間に配置された透過波長帯域が周期的に設けられた波長選択フィルタ１０６と、を含むレーザ共振器１００と、レーザ共振器１００から発光されたレーザ光の出力を検出する光出力検出素子１２２と、レーザ共振器１００から発光されたレーザ光を波長ロッカフィルタ１２４に透過させた後の出力を検出する光出力検出素子１２６と、光出力検出素子１２２により検出した出力と、光出力検出素子１２６により検出した出力との比に基づいて、レーザ共振器１００により発光するレーザ光が所期の発振波長となるように制御する制御部１３０と、を含み、波長選択フィルタ１０６の透過波長帯域のうち所期の発振波長に最も近いピークが所期の発振波長よりも短波長側にある。 （もっと読む）

【課題】光コネクタが挿入されたまま光通信モジュールが上位装置から取り外されることを抑制することが可能な、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の光通信モジュールは、上位装置のフロントパネル９４に形成された開口に挿入され、上位装置と電気的に接続される光通信モジュール１であって、光コネクタ８３が挿入される挿入口を有するコネクタ取付部１３と、螺旋２１によってフロントパネル９４と締結される螺旋留め部１７と、光コネクタ８３が挿入口に挿入されていないときに第１の位置に位置し、光コネクタ８３が挿入口に挿入されているときに第２の位置に位置する可動部材１５と、を備え、可動部材１５は、第２の位置において、螺旋２１の頭部の周囲の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】１つのペルチェ素子による温調にて各素子の発振波長を高精度にそろえること。
【解決手段】小型で高速変調を行う手段として、４つの異なる波長のレーザ部１０７とＥＡ変調器部１０８をモノリシックにアレイ集積する。各素子において、発振波長を決定する構造である、回折格子とメサ幅を、それぞれ４素子一括で作製することによって、４素子間の発振波長差を高精度に制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ素子及び光モジュールを得ることである。
【解決手段】 リッジ型半導体レーザ素子において、ｐ側電極は第１の導体層領域とこの上部の第２の導体層領域とを有する。そして、第２の導体層領域の少なくとも一方の端面が反射端面より内側に設定される。素子端面に対しての電極による応力に基づく歪が小さくなり、同時に過飽和吸収を起こさない構造を持つ。本発明によって、信頼性の高いリッジ型半導体レーザを得ることが出来る。こうした半導体レーザ素子を用いた光モジュールは極めて信頼性は高い。 （もっと読む）

【課題】出力されるクロック信号の周波数が高くとも不要電磁波の放出を抑制する。
【解決手段】プリント基板１０は、基板１０１と、基板１０１上に形成された、クロック信号を出力する信号出力回路１０２，１０３と、信号出力回路１０２，１０３と電源を接続する電源配線１０９，１１０と、電源配線１０９，１１０に設けられた、クロック信号の周波数に応じた周波数成分を減衰させるトラップフィルタ１０７，１０８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの高周波帯域における周波数特性を改善すること。
【解決手段】光モジュール３０は、光半導体素子４と、一端が光半導体素子４に接続される伝送線路部２５と、伝送線路部２５の特性インピーダンスと異なる特性インピーダンスを有し、一端が伝送線路部２５の他端に接続された伝送線路部２６と、を含むコプレーナ線路２３が形成された伝送線路基板２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光素子モジュールとハウジングとの間のクリアランスによって、ハウジング内でのリセプタクルの位置が片寄っている場合でも、光ファイバコネクタのプラグフェルールがリセプタクルの内側に円滑に案内され得る光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】光伝送モジュールは、リセプタクル２１を有する光素子モジュールを有する。リセプタクル２１には、その受け入れ口２３ｂに向かって、漸次内径の大きくなるテーパ面２３ｃが形成される。また、リセプタクル２１は、ハウジング１０と光素子モジュールとの間のクリアランスによって、光ファイバコネクタ１００の挿入方向と直交する方向への位置の変化が許容される。そして、受け入れ口２３ｂは、クリアランスによって許容される範囲でリセプタクル２１の位置が変化した状態において、当該受け入れ口２３ｂの内側にプラグフェルール１０１が到来するよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）