【課題】容易に小型化できる光送信モジュールを提供する。
【解決手段】レーザドライバ４は、プリント回路板７から出力されるデータ信号を受け付ける。レーザドライバ４は、クロック信号出力装置８から出力されるクロック信号を受け付ける。レーザドライバ４は、クロック信号に基づいてデータ信号を補正する。光変調器５は、レーザドライバ４により補正されたデータ信号を受け付けて、データ信号に応じた光を出射する。 （もっと読む）

【課題】複数のプリント基板を貼り合わせて形成されるコネクタにおいて端子が脱落する可能性を低減することができるコネクタ及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０の両面それぞれの上に、基板１０の縁部から延伸する複数の導体配線が形成されているコネクタであって、各導体配線は、相手方コネクタが備える端子と接触する端子接触部１２ａと、端子接触部１２ａと外部機器とを電気的に接続する接続部と、を含み、基板１０の裏側の面１０ｃ上に形成されている導体配線に含まれる端子接触部１２ａが、基板１０の表側の面１０ｂ上に形成されている導体配線に含まれる端子接触部１２ａよりも幅広に形成されている。 （もっと読む）

【課題】可撓性を維持しつつ、信号を伝送する導体と他の信号パターンとの共振により発生するノイズを低減させる。
【解決手段】フレキシブルプリント基板は、誘電体層１００と、誘電体層１００の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体１０６と、誘電体層１００の他方の面に形成された、誘電体層１００を介してストリップ導体１０６と対向する接地導体１０８と、接地導体１０８を介してストリップ導体１０６と対向して設けられた抵抗膜１１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に設けられたレーザ共振器内の第１領域（回折格子形成領域）と第２領域（位相シフト領域）の実効屈折率が異なるλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子を製造するに際し、活性層３上に２層の回折格子層（第１回折格子層５、第２回折格子層７）を形成し、回折格子９を形成するためのエッチング工程に先だって、第１領域の第２回折格子層７を除去することによって、回折格子形成領域の表面と位相シフト領域の表面とを実質的に同一の構造とし、エッチングのばらつきに起因する位相シフト量の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】上位装置からの取り外し前に光通信モジュールの電力消費を低減することが可能な光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光通信モジュール１０は、上位装置から供給される電力によって動作する光通信部２０と、上位装置に取り付けられた当該光通信モジュール１０に対して外部から所定の操作が行われたことを表す信号を受け入れて、光通信部２０への電力供給を抑制する動作制御・電力制御回路３０を含む。 （もっと読む）

【課題】コネクタが備える端子同士の接触状況を精度よく検出することができる電子装置及びコネクタを提供する。
【解決手段】端子を備える主装置３に対して接続されるモジュールコネクタ５を含む光伝送装置１であって、モジュールコネクタ５が、基板と、基板上に設けられている複数の接触検出用端子と、を備え、光伝送装置１が、複数の接触検出用端子それぞれと、接触検出用端子に対応する主装置３が備える端子と、が接触したことを検出する検出回路８を備える。 （もっと読む）

【課題】パイロット信号を用いずに消光比を制御する。
【解決手段】光送信装置１０は、送信情報に応じて変調した変調電流に基づいて駆動電流を発生するＬＤＤ１２と、駆動電流の入力を受けて光信号を送信するＬＤ１４と、ＬＤ１４から送信された光信号を受光するＭＰＤ１６と、ＭＰＤ１６により受光された光信号に基づいて得られた電圧信号から一部の周波数帯域を抽出するフィルタと、フィルタにより抽出された電圧信号の振幅と基準振幅との比較に基づいて、変調電流の振幅を制御する手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型波長可変レーザモジュールの低コスト化を実現する。
【解決手段】本発明の外部共振器型波長可変レーザモジュールは、光出力のピークサーチを用いて波長を制御することにより、高価な波長ロッカ部を不要としている。半導体ゲインチップ３０は、動作電流条件下におけるαパラメータが０より大きく、６以下であり、伝導帯のバンドオフセットは、１６０ｍｅＶ以上、４００ｍｅＶ以下である。これにより、光出力のピーク明確度が０．５〜１．０％以上となるので、ピークサーチによる制御が可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】出力光の波長安定性及び強度安定性を保ちつつ、低コスト化、小型化を実現できる光送信モジュールを提供する。
【解決手段】第１光フィルタ１８ａ−１は、波長の変化に対して透過率が周期的に変化する。初期波長範囲では、第２光フィルタ１８ａ−２の透過率の、第１光フィルタ１８ａ−１の透過率に対する比率に応じて波長が一意に定まる。動作波長範囲では波長に応じた第２光フィルタ１８ａ−２の透過率が既知である。制御部２０は、光フィルタ１８ａを透過する光強度の比に基づいて波長可変光源１２に初期波長の光を出射させ、その光の波長を変化させつつ、第１光フィルタ１８ａ−１を透過する光の強度の周期の数を計数し、第１光フィルタ１８ａ−１を透過する光の強度に基づいて波長可変光源１２に動作波長の光を出射させる。制御部２０は波長可変光源１２が出射する光の強度を調整制御する。 （もっと読む）