説明

日本オクラロ株式会社により出願された特許

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【課題】マルチビーム半導体レーザ装置のビーム間差を抑制する。
【解決手段】レーザチップ11から出射する後方光の光路に位置するサブマウント10の表面に補助電極パターン13Sa、13Scを設けることにより、レーザチップ11の複数の発光部から出射したそれぞれの後方光がサブマウント10の表面状態に依存することなくフォトダイオードチップ14に入射するので、サブマウント10の表面状態による電流値のばらつきが抑制され、電流値を精度良くモニタすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、回路基板と光アセンブリを短い距離で電気的に接続することを目的とする。
【解決手段】光モジュールは、ケース10の内側に固定された回路基板12と、光アセンブリ14と回路基板12を電気的に接続する配線18と、第1シート22と、第2シート24と、を有する。第1シート22と光アセンブリ14との間の静止摩擦係数が、光アセンブリ14と回路基板12との間の静止摩擦係数よりも大きい。第2シート24と光アセンブリ14との間の静止摩擦係数が、光アセンブリ14とケース10との間の静止摩擦係数よりも大きい。光アセンブリ14は、回路基板12、第1シート22及び第2シート24の少なくとも一つの弾性力によって、回路基板12とケース10の間で挟まれる方向に押圧され、第1シート22との摩擦力及び第2シート24との摩擦力で第1シート22及び第2シート24に保持されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光ファイバの破損を防止することを目的とする。
【解決手段】光モジュールは、電気信号及び光信号の一方を他方に変換するための発光素子又は受光素子を内蔵する光アセンブリ28と、光アセンブリ28に電気的に接続された回路基板16と、光アセンブリ28に光学的に接続された光ファイバ34と、光ファイバ34を巻きつけて引き出すトレイ42と、光アセンブリ28、回路基板16、光ファイバ34及びトレイ42を収納するケース10と、を有し、トレイ42は、ケース10に対して、規制範囲内でのみ往復移動可能に取り付けられ、トレイ42は、規制範囲の一方から他方に移動することで、光アセンブリ28と回路基板16との電気的接続部から離れる。 (もっと読む)


【課題】 高速大容量の光伝送が可能な集積型光半導体素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】 半絶縁性材料で埋め込まれた光素子が複数同一基板上に集積された集積型半導体光素子およびこれを用いた光モジュールにおいて、光素子毎に埋込層の構成(材料や電気特性)を異ならしめる。 (もっと読む)


【課題】レーザモジュールと、レーザモジュールに接続された第1の回路、グランドに接地された第2の回路、及び前記第1の回路と前記第2の回路とに高周波信号を差動出力する差動出力回路、を含む高周波回路と、を含む光モジュールにおいて、第1の回路のインピーダンスと、第2の回路のインピーダンスと、を整合させること。
【解決手段】制御部15は、第1回路11、第2回路12、及び差動出力回路13を含む高周波回路の終端可変抵抗器25を含む部分、において第2回路12のインピーダンスが変化した場合に消費される電力の変化量を取得する。そして、制御部15は、取得した変化量に基づいて、第2回路12のインピーダンスの調整のため、終端可変抵抗器25の電気抵抗を調整する。 (もっと読む)


【課題】 差動位相偏移変調信号の復調器を作製するにあたり、PDFSの低減が課題となる。従来の解決方法では組立調整が複雑化する、あるいは個体間の特性のばらつきが大きくなる。
【解決手段】 復調器内部の遅延干渉計において、干渉させる2つの分岐光303,304の偏光状態を、ハーフビームスプリッタ302で、p偏光とs偏光が逆転するようにし、分岐に用いたハーフビームスプリッタ302で再び合波して干渉光309,310を生成する。 (もっと読む)


【課題】異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良を改善すること。
【解決手段】第一の電極50が形成されている第一の基板3と、前記第一の電極50に対向する第二の電極51が表面に形成されている第二の基板4と、前記第一の電極50と第二の電極51とに挟まれて両基板を接続する連結部材2とを備え、前記連結部材2は球殻状もしくは扁平した球殻状の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜とを含み、前記樹脂核は内部に空隙を有することを特徴とする電子機器。 (もっと読む)


【課題】パッド電極下にポリイミド樹脂を配して寄生容量を低減する構造を有する半導体光素子において、ポリイミド表面の段差での電極段切れの問題から段差増加による寄生容量の低減が困難となる。
【解決手段】半導体基板2に積層された、エッチング停止層32と活性層36とを含む化合物半導体層を積層する。活性層36までのエッチングによりリッジ部20とその両脇の低地部42とを形成する。低地部42のうちパッド電極14下に対応する部分は、エッチング停止層32までエッチングされ、陥凹部46が形成される。ポリイミド樹脂層22は、パッド電極14の下において、低地部42の深さ、及び台地部48の高さに、陥凹部46の深さを加えた厚さとなる。陥凹部46の深さの増加により寄生容量の低減が図られる。 (もっと読む)


【課題】サイズが大きくなることをおさえつつ、受け付ける光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュールの内部に実装することができる光受信モジュール、光送信機及び電子回路を提供する。
【解決手段】光受信モジュール2は、受け付ける光信号を電気信号に変換するフォトダイオード20と、その電気信号に基づいて、光信号の信号断を検出するLOS検出回路23と、その電気信号に対応する第1の信号と、LOS検出回路23による信号断の検出結果に対応する第2の信号と、を合成して出力する一対の差動出力端子26−4(差動出力端子26−4−1及び差動出力端子26−4−2)を含んで構成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高速かつ高感度な面型フォトダイオードを提供するものである。
【解決手段】電極用金属膜と誘電体多層膜から構成される反射ミラーにおいて、誘電体多層膜と金属膜からの反射光の位相を合わせるように誘電体膜の最適化をすることでミラーの高反射率化を図る。この高反射ミラーを用いて、面型フォトダイオードの高速化と高感度化の両立を図る。 (もっと読む)


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