【課題】インライン生産可能なひずみゲージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ひずみゲージの製造方法を提供し、該方法は、接着樹脂フィルム上に抵抗性材料からなる箔がコーティングされた転写箔フィルムを準備する工程；ひずみの被測定物の外表面上の所望の部分に、該転写箔フィルムの該接着樹脂フィルム面を当接させる工程；および該転写箔フィルムを処理して、該接着樹脂を介して箔ゲージパターンを該被測定物に転写する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気記録密度の向上等、高性能且つ高機能な特性を有する磁性材料とそれを構成する磁性体多層ナノ粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】磁性材料を構成する磁性粒子の粒径をナノサイズにし、前記磁性粒子表面に無電解めっき法により、厚さ数ナノメートルの金属または金属酸化物の薄層を被覆させることで、前記磁性粒子に使用用途に応じた磁気特性を持たせ、前記磁性粒子で構成された磁性材料を高性能で高機能な材料として利用することができる。例えば、ＹＩＧ粒子に酸化テルビウムを被膜させた場合、強磁性体、光透過性を有する磁性多層ナノ粒子が生成可能で光磁気記録媒体として利用可能であり導電性に優れる酸化亜鉛を被覆した磁性多層ナノ粒子は静電気吸収特性を有する磁性材料として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】 従来の触媒をウォッシュコートしたパティキュレートフィルタの酸化性能と同等の性能を有し、且つ圧力損失の増大を抑制したパティキュレートフィルタを提供することにある。
【解決手段】 排ガスを流通させて、排ガス中の粒子状物質を捕集すると共に、捕集した粒子状物質を燃焼した際に生じるＨＣ，ＣＯの酸化を促進するパティキュレートフィルタであって、担体１にＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕを含む貴金属のうち少なくとも１種を無電解メッキにて担持させた貴金属２と、貴金属２が担持した担体１に、Ｎｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄを含む遷移金属、または、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎを含む典型金属のうち少なくとも１種を無電解メッキにて担持させてなる被膜３とを形成したことで、前記貴金属により排ガス中のＨＣ，ＣＯの酸化を促進させ、前記遷移金属または前記典型金属により前記貴金属の焼結を抑制させた。 （もっと読む）

【課題】 半田付けしたときの強度を保持し、かつ、半田付けするときの融点を低温化できる金属ボールを提供する。
【解決手段】 金属ボール１０は、コアボール１と、反応抑制層２と、めっき層３とを備える。コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。反応抑制層２は、ニッケル（Ｎｉ）からなり、０．１〜５μｍの範囲の膜厚を有する。めっき層３は、錫ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。そして、めっき層３は、錫（Ｓｎ）が最内周から最外周へ向かって減少し、ビスマス（Ｂｉ）が最内周から最外周へ向かって増加するように電気めっきにより作製される。 （もっと読む）

【課題】 半田付けしたときの強度を保持し、かつ、半田付けするときの融点を低温化できる金属ボールを提供する。
【解決手段】 金属ボール１０は、コアボール１と、反応抑制層２と、めっき層３とを備える。コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。反応抑制層２は、ニッケル（Ｎｉ）からなり、０．１〜５μｍの範囲の膜厚を有する。めっき層３は、錫インジウム（Ｓｎ−Ｉｎ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。そして、めっき層３は、錫（Ｓｎ）が最内周から最外周へ向かって減少し、インジウム（Ｉｎ）が最内周から最外周へ向かって増加するように電気めっきにより作製される。 （もっと読む）