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Fターム[2G028HM10]の内容

抵抗、インピーダンスの測定 (8,300) | プローブ一般 (136) | その他 (14)

Fターム[2G028HM10]に分類される特許

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【課題】不使用の状態が長時間継続したときに電力供給を自動的に切断する機能を維持しつつ使用中における電力供給の停止を防止する。
【解決手段】本体部3に接続される測定用プローブ2a,2bと、本体部3に配設された操作部24と、本体部3に収容されると共に測定用プローブ2a,2bを介して入力出力する電気信号に基づいて物理量を操作部24に対する操作に従って測定する測定部22と、電力供給を行う電力供給部21と、規定時間内に操作部24に対する予め決められた操作がされなかったときに電力供給部21による電力供給を停止させる制御部26と、測定用プローブ2a,2bに配設されて測定用プローブ2a,2bの移動を検出する加速度センサ11とを備え、制御部26は、加速度センサ11によって規定時間内に検出された加速度Am1が予め決められた条件を満たしたときに電力供給部21による電力供給を継続させる。 (もっと読む)


【課題】 レールボンド抵抗を自動で測定できるレールボンド抵抗測定装置を提供する。
【解決手段】 第1のレール11上に、第1電極C1と、第2電極C2と、第3電極C3とを配置し、第2のレール12上に第4電極C4と第5電極C5とを配置する。この場合に、第2電極C2と第3電極C3の間隔が所定の基準長さ(例えば、1m)になるように配置する。また、第1のレール11上の第3電極C3と第2のレール12上の第4電極C4の間隔が所定の長さ(例えば、1m)になるように配置する。そして、電源部41により、第1電極C1と第5電極C5との間にバッテリ電圧Vbatを印加し、演算制御部100により、第2電極C2と第3電極C3との間の電位差V1と、第3電極C3と第4電極C4との間の電位差V2とを検出し、この電位差V1と電位差V2との比に基づいて、レールボンド抵抗(抵抗R)の大きさ(メートル長に換算された抵抗値)を算出する。 (もっと読む)


【課題】表面にそれぞれ島状に導電層が露出した多数の島状露出部からなる導電層露出領域を有する導電性シートの抵抗測定を精確且つ迅速に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】導電層と、その表面に形成された樹脂層とを有し、樹脂層の表面にそれぞれ島状に導電層が露出した多数の島状露出部からなる導電層露出領域が設けられた導電性シート20の、導電層の抵抗を測定する方法であって、抵抗測定用のプローブとして、短円筒形部材の外周面に、全周に渡って連続する帯状電極を設けた、一対の短円筒形プローブ30を用い、一対の短円筒形プローブ30の帯状電極25を、導電層露出領域の互いに間隔をあけた2地点に、同時に加圧接触させながら走査する工程を含み、且つ帯状電極25の表面の最大高さ粗さRz(JIS B0601:2001)が、導電層露出領域13'の表面の最大高さ粗さRz(JIS B0601:2001)を基準として、80〜200%の範囲であることを特徴とする抵抗測定方法。 (もっと読む)


【課題】微量の液体試料の誘電率を同軸プローブ法で測定する際に用いられる誘電率又は誘電正接測定用のマイクロセル、及びそれを用いた誘電率測定方法を提供する。
【解決手段】微量の液体の誘電率又は誘電正接の測定に用いられるマイクロセルであって、4弗化エチレン樹脂等の透明又は半透明で低誘電率かつ誘電損失の小さい材料で形成された円筒形の試料充填用マイクロセルと、同軸プローブを固定する固定材とから構成されるマイクロセル。該マイクロセルを用いて誘電率又は誘電正接を測定することにより、ごく微量の液体試料(〜20μL)の誘電率を精度良く測定することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】高価な校正基板を利用せずに、プローブの校正を行うことができる高周波特性測定用プローブの校正方法。
【解決手段】平面伝送路を有する校正基板10を測定器16の1つの測定ポートに接続し、校正基板10を利用した誤差補正方法により、校正基板10の所定の校正面から測定器16までの誤差を導出する。 プローブ20を測定器16の他の測定ポートに接続し、校正基板10の校正面にプローブ20の先端を接触させ、その電気特性を測定器16により測定する。この測定値から、校正基板10の誤差を取り除くことで、測定器16からプローブ20の先端までの誤差を導出し、プローブ20の先端を校正面とする。 このプローブ20を用いて被測定電子デバイス30の高周波電気特性を測定すれば、その真値を高精度に求めることができる。 (もっと読む)


【課題】被測定器に接触させて、その接触状態を維持することが容易にできる高所測定器接触用具を提供する。
【解決手段】高所被測定器接触用具10Aの棹部30の一端には測定装置用端子17が固定され、他端には伸縮部31及びコネクタ15を介して測定子11Aが固定され、コネクタ15はリード線16によって測定装置用端子17に接続される。この測定子11Aは、導電性金属からなる測定用端子と永久磁石を一体に設けることで構成されている。 (もっと読む)


【課題】デシペイティブ材料の抵抗値を正しく計測することが可能な抵抗計測装置を提供する。
【解決手段】被計測部材2に接触させる計測プローブ10と、計測プローブ10に接続されたキャパシタ11と、キャパシタ11を充電させる定電圧回路12と、キャパシタ11の充電電圧が第1の電圧から第2の電圧まで変化する時間を計測するタイマ21と、少なくともタイマ21の計時値とキャパシタ11の容量値に基づいて、被計測部材2の抵抗値を算出する制御回路20とを備える。本発明によれば、オームの法則に基づいて抵抗値を測定するのではなく、時定数に基づいて抵抗値を算出していることから、10〜1012Ω程度の直流抵抗を有するデシペイティブ材料の抵抗値を正しく計測することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】GaN基板に対して4探針法などの複数の探針を接触させる抵抗測定方法において、安定して精度よく電気抵抗を測定する方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったGaN基板の電気抵抗測定方法は、表面の少なくとも一部がN面となっているGaN基板を準備する工程(S10)と、GaN基板のN面に複数の電極端子を接触させる工程(S20)と、測定工程(S30)とを備える。測定工程(S30)では、電極端子を介してGaN基板に電流を流し、電極端子間の電位差を測定することによってGaN基板の電気抵抗値を求める。 (もっと読む)


【課題】強誘電体のヒステリシス特性を高精度に測定し、強誘電体の分極特性評価を高精度で行うことができる強誘電体特性測定装置を提供する。
【解決手段】電圧源14は三角波電圧を出力する。電流電圧変換器16は強誘電体薄膜試料10に流れる電流を読み取って電圧変換して測定信号を出力する。参照信号源17は、電流電圧変換器16が出力する測定信号に含まれる強誘電体薄膜試料10の漏洩電流による信号成分と、測定系の寄生容量および強誘電体薄膜試料10の静電容量による信号成分とを重畳した信号を参照信号として出力する。差動増幅器21は、電流電圧変換器16が出力する測定信号から参照信号源17が出力する参照信号を差し引き、差動増幅器21の出力信号を強誘電体薄膜試料10の分極反転電流のみを反映した測定信号とする。 (もっと読む)


【課題】測定対象に1組のパッドに1組のプローブを接触させて、パルス波形のような信号波形の入出力によって測定対象の電気抵抗を求める。
【解決手段】信号波形が伝搬する信号線路2,3,7と、電気抵抗を測定すべき測定対象5に、信号線路3を伝搬した信号波形を入力する入力部6と、信号波形と測定対象からの反射信号とを信号線路2,3,7上で分岐する分岐部8と、分岐された反射信号を測定する測定部4と、測定された反射信号の振幅から測定対象の電気抵抗を決定する決定部11と、を備える。 (もっと読む)


【課題】所望の測定精度を保って周波数測定を実施できる反射測定治具を提供する。
【解決手段】反射測定治具は本体1と、本体1内に設けられ、ネットワーク・アナライザと結ぶケーブルの端からワークの端子までの延長線路のインピーダンスを保障する、プリント化された伝送線路を有する基板2と、基板2の伝送線路からワークの端子にかけて延在し、入射波および反射波を授受する一対のプローブ5、6とを備える。 (もっと読む)


本発明は高周波手術に用いられる細分された中性電極8の2つの電極部分4、6間の遷移インピーダンスを測定する方法および測定装置2に関する。本発明は遷移インピーダンスの純粋な容量成分の測定を可能にする。この目的のために、共鳴周波数の移動が測定され、これは、その中に2つの電極部分4、6を並列に組み込むことによって基本共鳴回路24が拡張共鳴回路25に拡張されるとき生じる。詳細には、基本共鳴回路24の基本共鳴周波数および/または拡張共鳴回路25のサンプル共鳴周波数を測定するために、電流と電圧の間の位相移動が測定され、周波数は電流と電圧が同相になるまで調節される。 (もっと読む)


本発明は、電磁誘導を使用して、導電性の測定対象のオブジェクトの寸法および/または電気的特性を、非接触式に測定するための方法に係る。この方法において、電磁場が、測定対象のオブジェクトを貫通するように発生される。本発明は、以下の方法ステップにより実現される;トランスミッタ・コイルを、測定対象のオブジェクトの一方のサイドに配置する;レシーバ・コイルを測定対象のオブジェクトのもう一方のサイドに配置する;磁場を、トランスミッタ・コイルの中に発生させる;トランスミッタ・コイルの中に発生させた磁場に、一つのレベルから他のレベルへの突然の変化を生じさせる;レシーバ・コイルの中に誘導される電圧を検出する;トランスミッタ・コイルの中での磁場が変化する時間T2から、レシーバ・コイルの中に電圧が誘導され始める時t1までに、経過した時間を決定する;誘導される電圧の強さを決定し、そして、測定対象のオブジェクトの厚さおよび/または電気伝導度を計算する。
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本発明は、測定対象のオブジェクト(2)の、例えばその幾何学的寸法またはその電気伝導度などのような、被調査特性を、電磁誘導を使用して非接触式に決定するための方法に係る。この方法において、電磁場が、測定対象の前記オブジェクト(2)の一方のサイドに配置されたトランスミッタ・コイル(3)の中に発生され;測定対象の前記オブジェクト(2)を貫通する磁場が、測定対象の前記オブジェクト(2)のもう一方のサイドに配置されたレシーバ・コイル(4)により検出される。本発明は、下記工程を有している:コントロール・コイル(5)を、前記トランスミッタ・コイル(3)の近傍に配置する;前記トランスミッタ・コイル(3)の磁場の中に変化を発生させる;前記コントロール・コイル(5)の中の磁場の変化を検出する;前記レシーバ・コイル(4)の中の磁場を検出する;前記コントロール・コイル(5)の中と前記レシーバ・コイル(4)の中で、それぞれ磁場の変化が検出される時間の相違を決定する;測定対象の前記オブジェクト(2)を磁場が貫通する時間(T2)を決定する;その時間から、測定対象の前記オブジェクト(2)の厚さまたは電気伝導度を決定する。

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