【課題】 蛍光Ｘ 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 （もっと読む）

【課題】被検査物をスムーズに搬送することで検査時間の短縮を図ることができる脱泡装置を提供する。
【解決手段】脱泡装置１は、コンベア１６１により搬送された一升瓶Ｂを受け渡す第１の中継部材１６２と一端が同じ水平位置に配置されていると共に、一升瓶Ｂが退出して受け渡される第２の中継部材１７２と他端が同じ水平位置に配置されたステージ１１に、液供給手段１５により水を吐出することで水層を形成し、この水層に一升瓶Ｂを移動させることで、水槽１４の内側層１４２内に配置された超音波発生手段１３からの超音波を付与する。これにより一升瓶Ｂ内の焼酎を振動させ脱泡する。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスを均一に汚染した試料を作成できる試料汚染方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の実施形態に係る試料汚染方法は、汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、噴霧により薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、薬液が充満した筺体内へ半導体基板を所定時間放置する工程と、所定時間経過後に、半導体基板を筺体内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に係る基板処理装置に用いられる、新規で有用な石英部材を提供する。
【解決手段】半導体製造に係る基板処理装置に用いられる石英部材１０１であって、前記石英部材自身の金属汚染物質を検出するためのエッチング液を保持する凹状のエッチング液保持部１０２を備えたことを特徴とする石英部材１０１が提供される。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】分析試料を溶解液に浸漬して試料表層部を溶解し、分析不純物を含んだ溶解液を効率よく回収することのできる容器及びそれを用いた分析方法を提供する。
【解決手段】試料処理用容器１は、固体試料が容器内側面にも容器内底面にも一面全体で密着しないように、容器内壁および容器底に微小な突起部２、３を有し、溶解液が試料表面と均質に接することが可能となる。また、溶解液を効率よく回収するための微小な液溜め４を設ける。試料処理用容器１の材質は、フッ素樹脂であることが好ましく、溶出試験ですべての金属元素の濃度が１ｐｐｂ未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】るつぼからの不純物の混入を抑制し、分析者の違い又はその技量によらずに、高純度試料の分析が可能とする。
【解決手段】純度が９９．９９９９ｗｔ％以上である融解用ニッケルるつぼを用いて試料を融解し、これを分析することにより、Ｍｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗのそれぞれの定量下限値がＭｎ：５ｗｔｐｐｍ、Ａｌ：１０ｗｔｐｐｍ、Ｓｉ：１０ｗｔｐｐｍ、Ｍｇ：５ｗｔｐｐｍ、Ｐｂ：５ｗｔｐｐｍ、Ｆｅ：５ｗｔｐｐｍ、Ｃｏ：５ｗｔｐｐｍ、Ｔｉ:２０ｗｔｐｐｍ、Ｃｕ:２０ｗｔｐｐｍ、Ｃｒ：１０ｗｔｐｐｍ、Ｚｒ:５ｗｔｐｐｍ、Ｍｏ：２ｗｔｐｐｍ、Ｗ：１０ｗｔｐｐｍの分析結果を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スラリー中の金属分析方法を提供する。
【解決手段】次のステップを順次実施するシリコン研磨用スラリー中および研磨後スラリー中の金属分析方法：（１）シリコン研磨用スラリーまたは研磨後スラリーを、フッ化水素酸と硝酸により、第１の分解容器で溶解するステップと、（２）前記第１の容器を第２の容器に入れて、第１の容器と第２の容器の間に超純水を入れるステップと、（３）前記第２の容器をマイクロウエーブにより加熱するステップと、（４）第１の容器の溶液を加熱蒸発させて乾燥させるステップと、（５）乾燥残渣を酸に溶解して測定用試料を調整するステップと、（６）前記測定試料を用いて、金属分析するステップ。 （もっと読む）

【課題】固相抽出前処理において使用される固相カートリッジに対するサンプル通水後の脱水乾燥及び溶出において、極めて効率的且つコスト廉価な方法及び装置の提供を行う。さらに、脱水乾燥工程に続く必要成分溶出工程にも必要なバックフラッシュ工程を効率良く実施できる装置を提案する。
【解決手段】固相カートリッジを加熱するか、固相カートリッジに供給される大気或いはガスの通過量を、電磁弁を使用して間欠的に遮断開放等の作動により制御して供給することによりサンプル通水後の脱水乾燥を効率良く実施する。 （もっと読む）

【課題】イオン化傾向が水素より低い金属不純物をＩＣＰ−ＭＳ発光分析等の分析機器による分析が行えるシリコン粉の金属不純物の分析方法を提供することを目的とする。また、シリコン粉の内部に存在する金属不純物を、ＩＣＰ発光分析等の分析機器による分析が行えるシリコン粉の金属不純物の分析方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の容器に金属不純物が付着したシリコン粉を入れる。そして、このシリコン粉に、第１の混合溶液を加え、所定時間静置する。その後、静置したシリコン粉を取り出し、第２の容器に入れ、このシリコン粉に第２の混合溶液を加え、四フッ化ケイ素を発生させ、第２の容器の外に放出する。その後、熱を加えて、第２の混合溶液を蒸発させる。その後、シリコン粉に新たに第２の混合溶液を加え、加熱し、金属不純物を溶解させる。その後、第２の混合溶液に溶解した金属不純物の濃度を測定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの外周部の膜を確実に除去し、シリコンウェーハの外周部に含まれる金属不純物を高感度に分析可能なシリコンウェーハの分析方法を提供する。
【解決手段】溶出装置３０を用いて、外周部Ｅまで酸化膜を除去したシリコンウェーハの外周部Ｅに含まれる金属不純物を溶媒３６に溶出（回収）させる際には、まず、溶出用容器３３に所定量の溶媒３６を注入する。溶媒３６は、シリコンウェーハ１０の特性劣化の原因となるＣｕを確実に溶出させることが可能な、フッ化水素酸、過酸化水素水、および塩酸を含む溶媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材の表面の一部のみを効率的にエッチングすることが可能であり、また、該部材の形状により、酸性溶液によって該部材の表面以外の部分がエッチングされたり、抽出液を回収できなかったりする等の不具合を生じることなく、金属不純物の抽出液を簡便かつ効率的に回収して、該部材の表面の金属不純物を高精度で分析することができるセラミックス部材の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】セラミックス部材の表面の一部に、酸性溶液の液滴を形成した後、前記酸性溶液の膜を形成してエッチングし、金属不純物を抽出する工程（Ｓ１０１）と、前記金属不純物の抽出液を回収する工程（Ｓ１０２）と、前記抽出液に含まれる金属不純物を分析する工程（Ｓ１０３）とを経て、分析を行う。 （もっと読む）

【課題】簡易迅速な潤滑油中の異物診断容器及び方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る異物診断容器１０Ａは、所定量の潤滑油１１を充填し、上蓋１４を閉じて、遠心分離装置を用いた遠心分離操作により、容器本体１２内の底部に異物１３を沈降させてなり、この沈着した異物１３を顕微鏡検査や、色調検査や蛍光Ｘ線照射検査を行い、潤滑油中の異物の種類を、現場にて迅速に診断することができる。簡易迅速な潤滑油の診断が可能となり、適正時期に潤滑油の交換を行う目安を設定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定して汚染等の少ない分析を行うことができるクロロシラン類の分析装置および分析方法を提供する。
【解決手段】クロロシラン類Ｌを蒸発させる蒸発器１０と、蒸発により残存した物質ｒ１，ｒ２を分析する分析器と、を備えるクロロシラン類の分析装置において、蒸発器１０は、ホットプレート１１と、ホットプレート１１の上に着脱可能に備えられ、このホットプレート１１とともに加熱室１３を構成するカバー１２と、加熱室１３内に配置され、クロロシラン類Ｌを収容可能な上方を開放状態とした試料容器１４と、を備え、カバー１２には、１３加熱室内に不活性ガスや窒素ガスを供給するための供給口１２ａおよび加熱室１３内の気体を排出するための排出口１２ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】流体供給装置から一定品質の流体を安定して供給する。
【解決手段】流体供給装置の流路内に流体を一定時間封入し、その封入前後の流体の不純物成分量から、その流路内における不純物成分の単位時間当たりの変化量を求める（ステップＳ１〜Ｓ５）。そして、その変化量を、予め設定された許容変化量と比較することにより、流路内に封入した流体の品質や流路の清浄度を判定する（ステップＳ６，Ｓ７）。一定の品質が確認された後、流体供給装置からの流体の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】ウエハーの不純物を分析するための方法および装置において、ウエハーの端部領域を分析する。
【解決手段】ウエハー１の不純物を分析するための方法は、液体の滴１０を、下部滴保持器２と上部滴保持器３との間に、滴１０の下面が下部滴保持器２に接触し滴１０の上面が上部滴保持器３に接触するように用意するステップと、ウエハー１を滴１０の一方の面に接触させながらウエハー１を滴１０によって走査するステップと、滴１０を吸引して分析するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に付着する液滴から水分を飛ばす液滴乾燥方法を提供しようとする。
【解決手段】
従来の基板を液滴で処理する液滴乾燥方法にかわって、開口に連通した窪みを形成し前記開口の周囲を囲う輪状の縁部を持ち前記開口を基板の表面に対面させ基板の表面に付着した液滴を前記窪みで覆って基板の表面に付着した液滴に接触しない様に支持され雰囲気を基板の表面と前記縁部との隙間から吸引し前記窪みの奥から外へ排出できる様になった液滴保持治具を準備する準備工程と、前記窪みの中の気体を前記窪みの奥から外へ排出する排気工程と、前記液滴保持治具を支持して基板の表面と前記縁部との離間距離を所定の距離に維持する支持工程と、を備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】シリコン材料表層における金属不純物を迅速かつ簡易的に感度良く分析する。
【解決手段】分析対象サンプルを小分けし、小分けサンプルを複数の処理容器に入れる。第１処理容器にＨＮＯ₃液を注入し、ＨＦ液を添加して第１エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第１エッチング液中に含ませる。処理後の第１エッチング液を第２処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第２エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第２エッチング液中に含ませる。第１処理容器から処理後サンプルを取出し、内部を洗浄した後の第１処理容器に新たな小分けサンプルを入れる。処理後の第２エッチング液を第１処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第３エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第３エッチング液中に含ませる。全ての小分けサンプルに対して同じ処理を繰返す。容器から処理後のエッチング液を回収し、液中の金属不純物を定量分析する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を、汚染金属種によらず高感度に分析可能な手段を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ３表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析するシリコンウェーハの金属汚染分析方法。前記溶液として、フッ化水素酸と過酸化水素水と塩酸との混合溶液を使用する。上記金属汚染分析方法を使用するシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）