【課題】残膜率が向上するレリーフパターンの製造方法、及び当該製造方法で形成されたレリーフパターンを有する電子部品を提供する。
【解決手段】ネガ型感光性樹脂組成物を用いて塗膜又は成形体を形成し、当該塗膜又は成形体に所定パターン状に電磁波を照射後、未露光部の塗膜を除去してパターンを形成する現像工程の前に、当該塗膜又は成形体を加熱する工程を有するレリーフパターンの製造方法であって、前記加熱する工程が、系外から積極的かつ継続的に気体が供給され、且つ、当該塗膜又は成形体から発生する揮発性成分が系外に積極的に除去される雰囲気下で、熱媒体を介するか、電磁波の輻射により、当該塗膜又は成形体を加熱する工程であることを特徴とする、レリーフパターンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒壊を抑制する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光工程の後、基板を処理室２０内に収容し、処理室２０の外部で生成したイオンを含むガスを処理室２０内に導入し、イオンを含む雰囲気中でレジスト膜に現像液を供給しレジスト膜を現像する現像工程と、現像工程の後、イオンを含む雰囲気に維持された処理室２０内でレジスト膜にリンス液を供給しレジスト膜を洗浄するリンス工程と、リンス工程の後、レジスト膜を乾燥する乾燥工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間２３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマ親液化工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、現像欠陥を解消した電子デバイスを得るためのレジストパターン形成方法であって、簡便で低コスト、かつ高速スキャン可能な高撥水性を付与することが可能なプロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】レジスト膜に液浸露光を施す工程と、液浸露光を施したレジスト膜を、アルカリ現像液に可溶化する工程と、アルカリ現像液に可溶化したレジスト膜をアルカリ浸漬により現像する工程と、現像したレジスト膜に対して純水リンス処理を行なう工程とをこの順で含み、アルカリ現像液に可溶化する工程は、液浸露光を施したレジスト膜を紫外線照射することなくオゾンガスに晒して行なう（以下、オゾン処理ということがある）ことを特徴とするレジストパターン形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】溶剤の無駄を省くことができると共に、溶剤蒸気のインパクト圧を高めたスムージング処理を容易にし、かつ、溶剤蒸気のノズル外部への漏洩を抑制して、処理効率の向上を図れるようにすること。
【解決手段】表面にレジストパターンが形成され、露光処理され現像処理されたウエハＷの表面を上面にして保持するチャック５２と、チャックを鉛直軸回りに回転させるモータ５３と、チャックに保持されたウエハの表面に向かってレジストパターンを膨潤させる溶剤蒸気を吐出する吐出孔６１及び該吐出孔から吐出された溶剤蒸気を吸引可能な吸引口６２を有する処理ノズル６０と、処理ノズルをチャックに保持されたウエハの周縁から中央部側に移動させる移動機構５４と、を具備し、ウエハを鉛直軸回りに回転させると共に、吐出孔から溶剤蒸気を吐出しながら処理ノズルをウエハの周縁から中央部側に向かって移動させてウエハの表面に溶剤蒸気を螺旋状に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板に化学増幅型のレジストを塗布し、その基板に液浸露光が行われた後で現像処理を行い、良好な形状のレジストパターンを得ること。
【解決手段】化学増幅型のレジストを基板表面に塗布してレジスト膜を形成する塗布モジュールと、液浸露光により前記レジスト膜が露光された後、前記基板に酸を供給するための処理ガスを吐出するガス吐出部と、基板に吐出された余剰な前記処理ガスを除去するための排気部と、を備えたガス処理モジュールと、前記レジスト中に発生した酸により触媒反応を起こして露光領域の現像液に対する溶解性を変化させるために前記処理ガスが供給された基板を加熱する加熱モジュールと、前記加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成するための現像モジュールと、を備えるように塗布、現像装置を構成し、基板に残留した液体に酸を補充する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーにおいて良好なパターンを形成することが可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成するＳ１１。レジスト膜上に保護膜を形成するＳ１２，Ｓ１３。光学系の最終要素と保護膜との間の少なくとも光路を選択的に屈折率が空気よりも大きい液浸液で満たす液浸機構とフォトマスク上のパターンをレジスト膜へ投影するためのスキャン動作に応じて液浸機構と基板との相対的な位置を変化させる移動機構とを有する液浸露光装置によってレジスト膜を露光するＳ１４。保護膜を剥離するＳ１６。レジスト膜を現像するＳ１７。レジスト膜および保護膜は、液浸液の保護膜上における接触角が、保護膜上に液浸液が滴下された後に一度低下した後に上昇する特性を示すように形成される。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を介して露光する液浸露光において、レジストパターンに欠陥が発生することを抑制する。
【解決手段】 レジスト膜上にレジスト膜より親水性の保護膜を形成する（ＳＴ１０５）。更にこの表面をヘキサメチルジシラザンの雰囲気で80度で加熱しつつ疎水化する（ＳＴ１０６）。レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する（ＳＴ１０７）。前記レジスト膜中の潜像を形成するために、液浸露光を行う（ＳＴ１０８）。露光後に基板を露光装置から搬出し、保護膜表面を10ppm程度のオゾン水に30秒ほど表面を晒して保護膜表面をエッチングして膜厚を減らしつつ親水化する（ＳＴ１１０）。前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する（ＳＴ１１２）。保護膜を剥離した後に前記レジスト膜を現像する（ＳＴ１１４）。 （もっと読む）

【課題】 ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、シリル化された前記レジスト膜にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 感光性平版印刷版を露光後に、加熱処理する場合、版面を均一に加熱処理し、印刷版の品質を均一に保つことのでき、且つ、厚みの違う支持体の感光性平版印刷版を混在処理が可能な感光性平版印刷版の処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】 光重合性感光層を有する感光性平版印刷版をレーザー光で画像を露光した後に加熱処理する加熱部と、加熱処理された感光性平版印刷版を現像液中に浸漬して現像処理する現像部とを備えた感光性平版印刷版の処理装置において、該加熱部は該感光性平版印刷版を加熱空気のみで加熱する加熱手段を有することを特徴とする感光性平版印刷版の処理装置。 （もっと読む）