【課題】 基板の保持面に取り付けられる弾性膜のねじれやたわみを抑えて、高品質の研磨を実現可能とする研磨装置を提供する。
【解決手段】 トップリング３は、半導体ウェハの裏面に当接する弾性膜２０と、弾性膜２０の外周部を固定する取付部材２２と、弾性膜２０に当接した半導体ウェハの外周縁を保持するリテーナリング部１２とを備える。弾性膜２０は、弾性膜２０の外周縁から径方向内側に突出する突出部４２を有する外周膜２６を備えている。取付部材２２は、弾性膜２０の突出部４２の周方向側面に係合する係合部４４を備えている。また、弾性膜２０は、半導体ウェハの押圧方向に伸縮自在のベローズ部４６，４８を備えている。 （もっと読む）

【課題】非鉄金属からなるパターン付き半導体ウエハの研磨において、研磨作業時間を延ばすことなくトレンチ又はトラフ中の金属のディッシングを低減し、かつ配線金属残渣が生じない研磨用組成物を提供する。
【解決手段】組成物は、酸化剤、非鉄金属のインヒビター、水溶性改質セルロース０〜１５重量％、リン化合物０〜１５重量％、炭素数２〜２５０のイオン親水部分を有する両親媒性ポリマー０．００５〜５重量％及び水を含む。特に両親媒性ポリマーとして５０〜５０００の数平均分子量を有するアルキルメルカプタンで形成されたコポリマーが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 研磨レートの向上、スクラッチの低減、研磨量のウエハ面内でのバラツキを小さくし、研磨スラリの消費低減、更に被研磨体と研磨パッドとの間の適切なスラリの保持、研磨レートの適正値維持、被研磨体における研磨後の面内均一性の向上を図る。
【解決手段】研磨面内に（ａ）互いに交差しない複数の閉じた形状を有する溝１、および（ｂ）閉じた形状を有する溝と少なくとも１点で交わる複数の研磨屑排出溝２を有するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッド３であって、閉じた形状を有する溝の深さ（Ｄ_１）と該研磨屑排出溝の深さ（Ｄ_２）が以下の式：Ｄ_１＜Ｄ_２で表される関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 スクラッチ発生を効率的に低減させる研磨剤組成物、およびスクラッチ発生を減らし経済的な研磨工程を実現させる研磨方法の提供。
【解決手段】 金属酸化物粒子と少なくとも１種の水溶性有機高分子と水とを含む半導体基板研磨用の研磨剤組成物であって、一定研磨圧下、研磨装置に備えられたポリッシングパッドの速度を変えて金属膜、素子分離膜または絶縁膜を有する試験基板を研磨した場合に、最大の研磨速度を呈することを特徴とする研磨剤組成物により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 工程数を増やすことなく厚みばらつきを低減することができる研磨パッドの製造方法、および厚みばらつきが低減され、研磨特性を向上した研磨パッドを提供する。
【解決手段】 スライス加工する前の状態である樹脂ブロック１を、高い剛性（曲げ強度）を持つベース２上に固定しておき、樹脂ブロック１の表層部分、すなわちこれからスライスしようとする部分を加熱手段３によって加熱する。このような状態で、スライス刃４と樹脂ブロックとを高さ方向に位置合わせし、スライス刃４と樹脂ブロック１とを相対移動させることでスライス加工を行う。これにより、厚みのばらつきが研磨パッド全体にわたって±１５μｍと小さく、微細孔が表面部分に一様に分布し、微細孔の最短径に対する最長径の比が１．０以上１．２以下の研磨パッドが得られる。 （もっと読む）

【課題】非鉄配線金属の存在下で絶縁材のエロージョンを抑制しながらバリヤ材料を優先的に除去するのに有用な研磨溶液である。
【解決手段】研磨溶液は、酸化剤０〜２０重量％と、非鉄配線金属の除去速度を低下させるためのインヒビターと、アンモニウム塩と、ナトリウム０．００１〜１ppm及びカリウム０．００１〜１ppmを含有するシリカ０．１〜５０重量％と、残余としての水とを含み、滴定剤として使用される無機酸によって３未満のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】 微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイス等の製造におけるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面を２種以上の異なる有機官能基で変性した砥粒を含有することを特徴とするＣＭＰ用研磨液、及び表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア導体層と、前記凹部を充填してバリア導体層を被覆する導電性物質層とを有する基板の、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア導体層を露出させる第１の研磨工程と、少なくともバリア導体層および凹部の導電性物質層を請求項１〜７のいずれか記載のＣＭＰ用研磨液を供給しながら化学機械研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第２の研磨工程とを含むことを特徴とする研磨方法。 （もっと読む）

【目的】 ｌｏｗ−ｋ膜の剥離とウエハ面内の均一性低下を抑制しながら、低コストな配線形成を実現することを目的とする。
【構成】 化学機械研磨（ＣＭＰ）装置に用いる研磨パッドにおいて、キレート剤を含むことを特徴とする。さらに、本発明における前記キレート剤は、ヒドロキシ基（ＯＨ基）とカルボン基（ＣＯＯＨ基）とのうち少なくとも１つを含有すると特に有効である。研磨パッドにキレート剤を含ませることにより、高価なＣＭＰスラリーを用いなくともウエハを研磨することができる。また、ｌｏｗ−ｋ膜の剥離とウエハ面内の均一性低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】性質が安定していて、つねに酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を、高速に、平坦に研磨することが可能な酸化セリウム研磨剤及びこの酸化セリウム研磨剤を使用した半導体素子基板の研磨法を提供する。
【解決手段】アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体と、酸化セリウムとを含み、酸化セリウム粒子分に対する硫酸イオン濃度が５，０００ｍｇ／ｋｇ以下であるスラリーからなる半導体基板研磨用ないしは酸化珪素絶縁膜研磨用酸化セリウム研磨剤、およびこれらの酸化セリウム研磨剤により半導体基板ないし酸化珪素絶縁膜を研磨する研磨法。 （もっと読む）

【課題】ケミカルメカニカルプラナリゼーションのための条痕が減少した研磨パッドを形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】ポリマー材料をタンクに供給する工程と、微小球を貯蔵サイロに供給する工程とを含む方法を提供する。さらに、方法は、硬化剤を硬化剤貯蔵タンクに供給する工程を含む。さらに、方法は、ポリマー材料及び微小球をプレミックス準備タンクに送り込む工程と、ポリマー材料と微小球との予備混合物を形成する工程とを含む。方法はさらに、所望のかさ密度に達するまで予備混合物を再循環させる工程を含む。方法はさらに、予備混合物をプレミックス実行タンクに送り込む工程と、予備混合物と硬化剤との混合物を形成する工程と、混合物を型に注加する工程と、型を研磨パッドに切り出す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 研磨液を研磨対象物の被研磨面に均一かつ効率的に供給することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】 研磨装置は、研磨面５２を有する研磨テーブル２２と、半導体ウェハＷを保持し、半導体ウェハＷを研磨面５２に押圧するトップリング２４とを備えている。また、研磨装置は、研磨面５２に研磨液Ｑを供給する研磨液供給口５７と、研磨液Ｑが半導体ウェハＷと研磨面５２との相対移動により半導体ウェハＷの全面に均一に行き渡るように研磨液供給口５７を移動させる移動機構とを備えている。 （もっと読む）

【目的】 ｌｏｗ−ｋ膜の剥離、ディシングおよびエロージョンを抑制することを目的とし、さらには、研磨速度の安定性を目的とする。
【構成】 本発明の研磨パッド１００は、化学機械研磨（ＣＭＰ）装置に用いる研磨パッドにおいて、硬度の異なる複数の材料である低硬度樹脂１０２と高硬度樹脂１０４とが、研磨面となる表面に形成されることを特徴とする。さらに、前記研磨パッド１００の表面に、前記複数の材料である低硬度樹脂１０２と高硬度樹脂１０４とが、交互に複数回、配列されることを特徴とする。 （もっと読む）

Ｔａの表面に形成されたＣｕを研磨して除去する場合には、研磨ヘッド５を具備した研磨ヘッド４による研磨によりその除去を行う。Ｃｕの除去工程が完了した後で、副研磨ヘッド７に内蔵している光学検出器で、Ｔａの表面にＣｕが残っていないかどうかを確認し、残っている場合がある場合は、ウエハ２を回転させてＣｕが残っている部分を、研磨パッド５やウエハ２より小径の副研磨パッドを有する副研磨ヘッド７の揺動範囲に持ってくる。そして、副研磨ヘッド７を下降させて、副研磨パッド８をウエハ表面に押し付け、研磨材を供給しながら残っているＣｕを研磨して除去する。この作業をＣｕが残っている全ての部分について行う。そして、残っているＣｕが全て除去されたら、その段階で、副研磨ヘッド７を上昇させて真空チャック１の位置から待避させ、他の研磨パッドを使用してＴａの研磨を行うようにする。
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【課題】被研磨面を高平坦に研磨することができ、特に半導体デバイスの層間絶縁膜や素子分離工程における絶縁膜の平坦化に好適な半導体基板研磨組成物、半導体基板の研磨方法、及び半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｎ−ビニルカルボン酸アミド由来の下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する重合体（Ａ）、ビニルカルボン酸及びその誘導体からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する重合体（Ｂ）、研磨粒子、及び水を含む：


（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水素またはアルキル基を示す）。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッドに対する研削性を確保しながらも、長期に亙って安定したドレッシング性能を得る。
【解決手段】 多数のダイヤモンド砥粒の中から、他の面よりも結晶方位１１１面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒の含有率が他の群よりも高い一群のダイヤモンド砥粒を選別し、この一群のダイヤモンド砥粒をメッキ液に分散してこのメッキ液中に浸漬された基材１の表面２に鍍着することにより、この基材１の表面２に鍍着された多数のダイヤモンド砥粒のうち、結晶方位１１１面ａが基材１の表面２と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒Ａ１，Ａ２，Ａ４〜Ａ６，Ａ８，Ａ９の割合を６５〜９５％の範囲とし、かつダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面ａのＸ線反射強度を２５００ＣＰＳ以上とする。 （もっと読む）

酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子および水を含有し、前記水溶性高分子がアクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそれらのα−置換体からなる群のいずれかの、Ｎ−モノ置換体およびＮ，Ｎ−ジ置換体のいずれかの骨格を有する化合物であるＣＭＰ研磨剤であり、好ましくは、該研磨剤１００重量部に対して前記水溶性高分子が０．０１重量部以上１０重量部以下である。これにより、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を効率的、高速にし、かつプロセス管理も容易に行える研磨剤および研磨方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおけるドレッシングに要する時間を相対的に短くすることのできる技術を提供する。
【解決手段】研磨パッドＰＤの表面を研削するドレッサの研削面の周辺部に複数個のペレットＰＥ１を装着し、ペレットＰＥ１の第２部分ＰＥ１ｂの研磨パッドの表面と接触する面をダイヤモンド粒子Ｃが付着した円または楕円の曲率体（半球体）形状として、平坦部を形成しないことにより、ペレットＰＥ１の第２部分ＰＥ１ｂのほぼ全表面をほぼ均一に研磨パッドＰＤに接触させる。 （もっと読む）

【課題】スクラッチや研磨性能に影響を与えるスラリー中の研磨粒子の粗大化を抑制し、半導体基板を平坦化するための研磨処理に使用した場合に、良好な研磨を経済的に且つ安定した状態で行うことができるスラリーの供給方法を提供する。
【解決手段】研磨装置の運転状態に応じて装置にスラリーを供給するスラリー供給装置において、プレッシャーバキューム方式でスラリーを研磨装置に供給する供給ループ機構が設けられ、該供給ループ機構が、供給ライン内をスラリーが循環している状態と、スラリーの循環が停止している状態とが繰り返されて供給ループ内をスラリーが間欠的に循環し、且つ、スラリーの循環停止状態が、研磨装置にスラリーを供給できる所望の圧力がかかった研磨装置の運転開始に即応して常にスラリーが供給できるように構成されているスラリー供給装置。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の配線を良好に形成可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】
本発明の研磨方法は、バリア層１３の上面を露出させるべく、導体層１４の外側部分の一部を化学機械研磨により除去する工程と、絶縁体層１２の上面を露出させるべく、導体層１４の外側部分の残部及びバリア層１３の外側部分を化学機械研磨により除去する工程とを含む。導体層１４の外側部分の一部を除去する際にはまず、膜形成剤を含有する第１研磨用組成物を用いて、研磨対象物の上面が化学機械研磨される。続いて、第１研磨用組成物中の膜形成剤の作用により導体層１４の上面に形成される保護膜を取り除くべく、研磨対象物の上面が洗浄される。その後、膜形成剤を含有する第２研磨用組成物を用いて、研磨対象物の上面が再度研磨される。 （もっと読む）

【目的】 かかる問題点を克服し、電極からの電圧印加を安定させ、信頼性の高い配線接続を行い、さらには、Ｃｕ膜の研磨残りを防止してウエハ面内均一性を得ることを目的とする。
【構成】 ウエハ３００を保持するキャリア５１０と、前記キャリア５１０と対向して設けられ、前記ウエハ３００を電解研磨する研磨パッド５３０と、前記研磨パッド５３０と対向して前記キャリア５１０とは反対側に配置され、前記研磨パッド５３０をアノード電極として前記研磨パッド５３０との間で通電されるカソード電極となる電極シート５７０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）