【課題】 高圧流体を供給制御する場合にも、ダイアフラムの弁体部と膜部との境界付近への応力集中を防止してダイアフラムの耐久性を向上させることができるダイアフラム弁を提供すること。
【解決手段】 ダイアフラム弁１は、弁座１３に当接する弁体部２１と、弁体部２１から外側に広がった膜部２２と、膜部２２の外周縁に形成された固定部２３とを有するダイアフラム弁体２０を備える。そして、膜部２２に、弁体部２１に接続され鉛直方向に形成された鉛直部２２ａと、固定部２３に接続され水平方向に形成された水平部２２ｃと、鉛直部２２ａと水平部２２ｃとを接続するために断面円弧状（上方凸形状）に形成された接続部２２ｂとを設けることにより、鉛直部２２ａをバックアップ４０の外周面に常時接触させる。 （もっと読む）

【課題】 高圧流体を使用してもダイアフラムの膜部が変形することを防止して高圧流体の供給制御を行うことができるダイアフラム弁を提供すること。
【解決手段】 ダイアフラム弁１は、ダイアフラム２０の弁体部２１と一体化されて常にダイアフラム弁体２０の膜部２２に面接触するバックアップ４０を備える。そして、バックアップ４０は、ダイアフラム弁体２０の膜部２２に対する接触部分にゴム材４１と、このゴム材４１をアクチュエータ５０側から保持する樹脂製の保持部材４２とを備える。ゴム材４１の膜部２２に対する接触面形状は、閉弁時にゴム材４１と膜部２２との接触面積が最大となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置内などへの設置、配管及び配線接続が容易であり、配管接続による圧力損失を低減し、各モジュールの配置変更を容易に行なえるもので、また流体に腐食性流体を使用しても腐食が起こることなく、配管後の流量の設定変更や、流路の遮断が可能であり、流入する流体が脈動していても流量の制御が可能な流体制御装置を提供する。
【解決手段】 本発明の流体制御装置は、超音波を流体中に発信する超音波振動子１２と超音波振動子１２から発信した超音波を受信し信号を流量計アンプ部８２に出力する超音波振動子１３とを有する流量計センサ部４と、操作圧により流体の圧力を制御する定流量弁５とを具備し、流量計センサ部４と定流量弁５とが、流体流入口３と流体流出口６を有する１つのケーシング２内に接続されて設置されてなる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で、水路の開閉のみならず流量調節も可能であり、小さな操作力で操作を行うことができる流量制御弁を提供する。
【解決手段】流量制御弁１０を、水路１４上に設けられた主弁１６と、密閉容器状の押圧室２４と、押圧室２４から延び出したパイロット操作用の小室２６と、それらに充填された非圧縮性の流体Ｌと、小室２６の末端を閉鎖した状態で進退運動し、前進により小室２６の流体Ｌを押圧室２４に押し込んで主弁１６を閉弁方向に移動させる、小室２６に対する受圧面積が水路１４に対する主弁１６の受圧面積よりも小さいピストン２８とを含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】 小さな操作力で流量調整を行うことができる開閉弁装置及びそれを備えた水栓装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、開閉弁装置（２０）であって、弁座（３０ｂ）と、止水状態と吐水状態を切り替える、圧力開放穴が設けられた主弁体（３４）と、この主弁体と共に移動される圧力開放穴の開度を変化させるために、主弁体の移動方向に移動可能に設けられたパイロット弁（４０）と、このパイロット弁の移動によって圧力開放穴の開度が変化すると、主弁体を弁座に近づき又は離れるように移動させる圧力室と、吐水操作、止水操作、流量調整操作を行うための操作部（２２）と、操作部の止水操作によりパイロット弁を圧力開放穴に押し付け、吐水操作によりパイロット弁を圧力開放穴から引き離し、流量調整操作によりパイロット弁を主弁体の移動方向に連続的に移動させるパイロット弁移動機構（２３、２４、３８）と、を有することを特徴としている。 （もっと読む）

異なる圧力下で操作する主バルブからなる流体を調節するための装置であって、前記主バルブが主流の入口（１１２）と主流の出口（１１３）を有することを特徴とする装置。前記主流の入口はバルブシート（１１４）を備えていて、その上に主シャッターがシャッター面に対して垂直に調節されている。前記主シャッターは孔（１１１）を閉鎖面に有し、主シャッターの上に配置されている圧力チャンバー（１１０）と通じている。第二制御バルブ（１０５）は、前記孔を通して少量の流体を調節し、前記圧力チャンバー中に、より大きな又はより小さな圧力を生じさせ、前記主シャッターを開閉する。 （もっと読む）

フェイルセイフ高速空気弁の装置および方法が開示される。フェイルセイフの信頼性は、スプリング式の常閉空気圧式アクチュエータにより実現される。スプリング式アクチュエータが加圧されると、常閉メカニズムが作動され、弁活性位置に来る。それと同時に、圧力が直接加えられ、ダイアフラムまたはベローズアセンブリをたわませて密封位置に戻す。標準ドーム型ダイアフラムを備える超高純度実施形態が開示されている。追加の高伝導性ダイアフラムおよびベローズ実施形態は、より高い伝導性の弁に使用される。新規性のある流路レイアウトが開示されている。弁は、ガスおよび流体の高速切り換えに応用することが可能であり、高生産性原子層蒸着（ＡＬＤ）アプリケーションに特に好適である。追加の実施形態は、ダイアフラムの改善、シール信頼性の向上、外部調整可能弁伝導性、弁安全性の向上、および高温弁シールを対象とする。
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