【課題】 電極に用いやすく、強度が高い多孔質構造体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３次元的な網目構造を形成する骨格部４と、骨格部４の表面に設けられ、網目構造の空隙の全部または一部を塞ぐ封止材５と、を備え、骨格部４または封止材５は、実質的にセラミックス、炭素またはこれらのうち少なくとも一方と金属とからなる複合材料により構成される。これにより、封止材５により空隙を塞がれた部分に導電体を接合する際の接触面積を大きくして、接合を容易にし、容易に多孔質構造体１を電極に用いることができる。また、封止材５により空隙を塞がれた部分は骨格が太くなるか、完全に空隙が閉ざされるため、多孔質構造体１の強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質の窒化金属部材を安価に形成することができる、窒化金属部材の製造方法、および多孔質で安価な窒化金属部材を提供する。
【解決手段】準備として粒径が２３０μｍであるチタンの粉末１１を用意する。先ず、そのチタンの粉末（金属の粉末）１１に１７．６ＭＰａの圧力を加えて成型体１３を形成する。次に、その成型体１３をチャンバー内に入れる。次いで、そのチャンバー内に窒素ガスを入れる。次に、そのチャンバー内の温度をおよそ８００℃とする。このようにして、成型体１３を窒素雰囲気中で焼結して、窒化チタン部材（窒化金属部材）１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 亀裂のない反射膜の形成が容易であり、なおかつ超精密な表面粗さと平面度を有しているＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる基板の表面に反射膜を形成してなる光学反射ミラーを得る技術を提供する。
【解決手段】 Ｓｉマトリックス中にＳｉＣ強化材が複合されたＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる基板の表面に直接に反射膜を形成してなる光学反射ミラーであって、前記ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料中のＳｉＣの含有率が６０〜９０体積％であり、かつ、前記基板の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であることを特徴とする光学反射ミラー。さらに、前記ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料組織中のＳｉマトリックス相幅の平均値が１μm以下であり、かつ、ＳｉＣ強化材の平均粒径が３μm以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 セルの大きさおよびその分布状態の均一性を高めたセラミック成形体を得ることができるセラミック成形体の製造方法、および、セラミック成形体を提供する。
【解決手段】 複数のセルと複数の連通孔とを有する三次元網目構造を備えたセラミック成形体を製造する方法であって、セラミック粉体と、有機系粒子の表面を複数のＳｉＣ粒子で被覆してなる複数の被覆粒子とを混合し、被覆粒子−セラミック粉体混合物を作製する第１工程と、所定の型を使用して、被覆粒子−セラミック粉体混合物を加圧成形し、被覆粒子が所定に配列し、配列した被覆粒子間にセラミック粉体が充填してなる被覆粒子−セラミック粉末配列体を作製する第２工程と、被覆粒子−セラミック粉末配列体を加熱し、有機系粒子をガス化させることによって、セルおよび連通孔を形成する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】排気ガスや汚水の浄化処理用の触媒坦体に利用される炭化ケイ素多孔体を、粒成
長現象を利用して製造する方法を提供する。
【解決手段】α型炭化ケイ素にβ型炭化ケイ素と、アルミニウム若しくはアルミニウム化
合物、又はホウ素若しくはホウ素化合物の粒成長促進剤を混合し、成形して、不活性ガス
雰囲気の高温で焼成すると炭化ケイ素の結晶転移現象に加速された板状粒成長が起こる。
この粒成長を利用して強度の優れた多孔体を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定で直接焼結に好適な多重元素ナノ粉末とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ／Ｃ／Ｎ／Ｅ_a／Ｆ_b／Ｇ_c／Ｏ多元素ナノ粉末（Ｅ、Ｆ、およびＧはＳｉ以外の互いに異なった金属原子を示し、ａ、ｂ、およびｃの少なくとも一つは非ゼロである）の製造方法を提供する。この粉末は、少なくとも一つの金属前駆体、該少なくとも一つの金属前駆体の唯一の溶媒として用いられるヘキサメチルジシラザンＳｉ₂Ｃ₆ＮＨ₁₉、およびシランＳｉＨ₄を有してなるエアロゾルのレーザー熱分解により得る。該粉末中の各粒子は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、Ｅ_a、Ｆ_b、Ｇ_c、およびＯの全ての元素を含有し、その等量化学量論的化合物で表した化学組成において遊離炭素の含有量が２％未満、ＳｉＯ₂の含有量が１０％未満である。該ナノ粉末の、Ｓｉ₃Ｎ₄／ＳｉＣ複合セラミックを製造するための使用。 （もっと読む）

【解決手段】 工具に使用するための立方晶窒化ホウ素（ｃｕｂｉｃ ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ、略称ｃＢＮ）焼結体が、（ｉ）立方晶窒化ホウ素と、（ｉｉ）酸化アルミニウムと、（ｉｉｉ）１若しくはそれ以上の高融点金属化合物と、（ｉｖ）アルミニウムおよび／または１若しくはそれ以上の非酸化アルミニウム化合物との混合物を焼結することにより得られる。これらの焼結体は、固形、すなわち非炭化物で支持された形態の工具材料として使用する上で十分な強度および強靱性を有するので、鋳鉄の重機械加工に役立ちうる。 （もっと読む）

高い機械強度と高い硬度、および高い剛性を有する、溶浸工程によって製造された炭化ホウ素複合体は、精密装置および防弾装甲などの広範囲の産業に用途がある。一実施形態において、複合材料は、炭化ホウ素充填材または補強相、およびケイ素成分と反応性炭素質成分を有する多孔質の塊を有する溶浸材との反応性溶浸によって製造された炭化ケイ素マトリックスを特徴とする。代替の実施形態において、溶浸を反応性炭素質成分の不在の下で行って、例えば「ケイ素化した炭化ホウ素」を製造することができる。炭化ホウ素の潜在的に有害な溶浸中のケイ素との反応は、ケイ素溶浸材が炭化ホウ素に接触する前に、ホウ素源もしくは炭素源、または好ましくはホウ素と炭素の両方をケイ素中に合金化または溶解することによって抑制される。本発明の特に装甲に関する好ましい実施形態において、良好な弾道衝撃性能は、溶浸すべき多孔質の塊または予備成形品に炭化ホウ素などの１種または複数の硬質充填材を高度に装填することによって、および複合体を構成する形態学的形状、特にセラミック相のサイズを制限することによって、高めることができる。本反応結合炭化ホウ素（ＲＢＢＣ）複合体は、弾道衝撃性能において現在の炭化ホウ素装甲セラミックに少なくとも比肩するが、より低コストおよびより高容積の製造方法、例えば、溶浸技術を特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、溶融金属に対する耐食性が改善されたセラミックス焼結体、その製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び長寿命化を達成できる金属蒸着用発熱体を提供することを課題とする。本発明は、窒化硼素、二硼化チタン、カルシウム化合物及び窒化チタンを含有してなる相対密度が９２％以上のセラミックス焼結体であり、カルシウム化合物がＣａＯ換算として０．０５〜０．８質量％、窒化チタンに由来する（２００）面のＸ線回折によるピーク強度が、ＢＮの（００２）面のピーク強度に対して０．０６〜０．１５であることを特徴とするセラミックス焼結体に関する。また、該セラミックス焼結体の製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び該セラミックス焼結体で構成された金属蒸着用発熱体も開示する。 （もっと読む）

窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が高く放熱性が優れた窒化アルミニウム焼結体を提供することができる。 （もっと読む）

結合相を有しないＷＣ基超硬合金に、ポア（空孔）や異常相などの組織的欠陥がなく、面精度の良い鏡面が得られ、耐高温劣化性に優れており、さらには、高硬度・高強度であり、ヤング率が大きいこと、熱膨張係数が小さいこと、耐食性に優れていること、特に高温における硬度と強度、優れた加工面精度および面粗度を有し、各種の光学素子の高温精密成形用型材に適した特性を付与することを目的とする。ＷＣ相および／または、ＷとＴｉとＴａとの２種以上の金属の固溶体複炭化物相からなるバインダレス超硬合金において、平均粒子径を１μｍ以下の微粒の原料粉末を用いることによって、焼結緻密化した後においても微細結晶組織を維持し、また、かかる粒度調整とともにＳｉまたはＳｉＣを原料粉末を添加して、Ｓｉとの固溶体複炭化物相を形成するか、ＳｉＣを第３相として存在させた。 （もっと読む）

窒化珪素の結晶と、第１金属珪化物（Ｆｅ、Ｃｒ、ＭｎおよびＣｕのうち少なくとも１つの第１の金属元素からなる金属珪化物）、第２金属珪化物（Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも１つの第２の金属元素からなる金属珪化物）、第３金属珪化物（第１の金属元素と第２の金属元素を含む複数金属成分からなる金属珪化物）のうち少なくとも２つを含む粒界層とを有し、前記粒界層が第１〜第３金属珪化物のうち少なくとも２つが互いに接する隣接相を有する窒化珪素質焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く優れた放熱性を有し、かつ高強度で組立時および使用時における割れの発生が少なく、さらに導体層の短絡・不良の発生が少ない回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス結晶粒子と液相酸化物粒子とから成るセラミックス基板２に回路となる導体層３を一体に形成した回路基板１において、上記セラミックス基板２の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつセラミックス結晶粒子の平均粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする回路基板である。 （もっと読む）