【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体を、液相を形成せずに、低温で焼結する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末に、炭素源として炭素または炭化することが可能な物質を炭素換算量で１ｗｔ％から１０ｗｔ％、及びホウ素源としてホウ素またはホウ素化合物をホウ素換算量で０．１ｗｔ％−５ｗｔ％混合した混合物を準備し、この混合物に対して１８００℃以上でマイクロ波焼結を行う。これにより、このような低温焼結にも変わらず、例えば図に示すような、緻密でかつ異常粒成長が抑制された炭化ケイ素粉末の焼結体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分に軽量で高精度なＣ／ＳｉＣハニカム複合体及びその製造方法を得ることを目的とするものである。
【解決手段】Ｃ／ＳｉＣハニカム複合体は、ハニカム構造部１と、ハニカム構造部１の一側に固定されたプレート部２とを有している。ハニカム構造部１は、炭素短繊維と黒鉛粉末と粉末樹脂とを含む混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣハニカムコアをＣ／ＳｉＣ化してなっている。プレート部２は、Ｃ／Ｃハニカムコアと同一の混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣプレートをＣ／ＳｉＣ化してなっている。ハニカム構造部１とプレート部２とは、Ｃ／ＣハニカムコアとＣ／Ｃプレートとにシリコンを含浸してＣ／ＳｉＣ化することにより一体化されている。 （もっと読む）

【課題】気孔径が５００μｍ未満で、かつ気孔径の大きさおよび分布が比較的均一な炭化ケイ素系セラミックス多孔質材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリウレタン、ポリエチレンまたはゴムからなるスポンジを一軸圧縮成形されてなり、かつ上記スポンジに、樹脂類およびシリコン粉末を含むスラリー、または樹脂類、シリコン粉末および炭化ケイ素粉末を含むスラリーが含浸されてなるスポンジ状多孔質体を焼成および炭素化して形成される炭素化多孔質体に、シリコンを反応焼結させ、あるいはシリコンを反応焼結させた後にシリコンを溶融含浸させて形成されており、気孔径が０．１μｍ以上、５００μｍ未満の範囲内である連続気孔を有している。 （もっと読む）

【課題】気孔率が高く、熱伝導率が低く、且つ、ガス透過係数の小さい、断熱材に好適な炭化珪素質多孔体を提供すること。
【解決手段】気孔率が３０％以上８０％以下であり、平均気孔径が１０μｍ以上５００μｍ以下の独立気孔を有し、気孔率に対する独立気孔の割合が３０％以上であり、且つ、ガス透過係数が１×１０^−１３ｍ^２以下であり、金属シリコンを１質量％以上２０質量％以下含有する炭化珪素質多孔体の提供による。 （もっと読む）

【課題】室温から高温度までの広い使用温度範囲において優れた構造強度，耐食性，耐久性等を有し、小型で複雑形状を有する構造体であっても高い寸法精度で容易かつ効率的に製造することが可能な反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】中子７を用いて成形され、その中子７の形状に対応する細孔５を内部に有する成形体であって、炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含有する成形体を形成し、この得られた成形体に対して脱バインダー処理を実施した後にこの脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性を得るとともに、ばらつきを抑えたシリコン／炭化珪素複合材とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と炭素の混合造粒粉を、成形、仮焼して、混合造粒粉間の最大空隙幅が１μｍ以下である仮焼前駆体を形成し、この仮焼前駆体を、溶融シリコンに含侵、焼成する （もっと読む）

【課題】高温アンモニアガスに対する耐食性に優れ、しかも耐熱性があり、低熱伝導性である窒化ホウ素焼結体と、それを用いた半導体製造装置用の断熱部材を提供する。
【解決手段】質量と外寸より算出された嵩密度が０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３、ＪＩＳ Ｒ １６１１のレーザーフラッシュ法により測定された熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である窒化ホウ素焼結体。窒化ホウ素粉末１００質量部に対しアクリル系樹脂１０〜４０質量部を含む混合物を成型後、アクリル系樹脂を除去して嵩密度が０．９〜１．２ｇ／ｃｍ^３の多孔質成形体とした後、常圧焼結することを特徴とする上記窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明の窒化ホウ素焼結体からなる半導体製造装置用の断熱部材。 （もっと読む）

【解決課題】耐食性が高く且つ強度及び耐久性が高い無機繊維質断熱材及び該無機繊維質断熱材を製造することができる無機繊維質断熱材組成物を提供すること。
【解決手段】溶融アルミニウム又はアルミニウム合金の溶湯との接触用途を目的とする断熱材を形成させるために用いられる無機繊維質断熱材組成物であって、無機繊維、窒化珪素粉末、シラノール基を有する無機バインダー及び水を含有することを特徴とする無機繊維質断熱材組成物。該無機繊維質断熱材組成物を乾燥又は焼成して得られることを特徴とする無機繊維質断熱材。 （もっと読む）

【課題】様々な形状及び寸法を有する炭素を含有する多孔質の中間品を、高品質で、また特に、明確な相組成と高度の均質性とを有する成形体として製造することのできる、ケイ素浸透方法を提案する。
【解決手段】ケイ素及びバインダ材料を含有する均質な被着物質から成る可撓性を有する薄層体を、圧延成形、型成形、または押出成形により製作するステップと、炭素を含有する成形体に、前記薄層体を被着するステップと、前記薄層体を被着した前記成形体を、真空下で、ケイ素浸透度の目標値に応じて制御される数分間から数時間の加熱処理時間に亘って、１４００℃以上の温度で加熱処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 低い温度で十分に原材料からの転換率が得られ、粒子サイズが小さく、不純物が少ない粉末状の炭化ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）Ｓｉ元素および一種以上の遷移金属元素を含む合金、金属ケイ素粉末および遷移金属粉末を含む混合物、金属ケイ素粉末および遷移金属化合物を含む混合物のいずれかと、（Ｂ）鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素、アルコールおよび芳香族炭化水素からなる群から選択される一種類以上の置換または未置換の炭化水素とを、３７０〜８００℃の温度範囲にて反応させる工程を含む炭化ケイ素の製造方法。 （もっと読む）