【課題】セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属−セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、セラミックスがＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４の何れかであり、マトリックス金属及び金属が同種でＳｉ、Ａｌ、Ｃｕの何れかであり、セラミックスの充填率が２０〜５０体積％である金属−セラミックス複合材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミニウム粉末とアルカリ土類系酸化物の焼結助剤とを特定の配合比で含む混合物からなる成形体を、還元雰囲気下の特定条件での焼成、特定条件でのアニールすることに特徴があり、この製造方法により、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、１８０ｐｓ(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が９０％以上であることを特徴とし、好ましくは２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体が得られる。 （もっと読む）

【課題】透光性と耐プラズマ性とを併せ持つセラミックス材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムと炭化ケイ素との比が少なくとも７５：２５であり、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを使用して作製されるセラミックス材料は、透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】透光性に優れると共に、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】内部に、厚み方向に延びる導電体が、局所的に設けられていることを特徴とする透光性セラミックス基板であって、セラミックス粉末を準備する工程と、内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製する工程と、セラミックス成形体を焼結して焼結体を作製する工程と、焼結体を導電体に対して直角方向に所定の幅で切断して板状体を作製する工程とを有する製造方法を用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】高透過率の窒化アルミニウム物品を製造する方法を提供する
【解決手段】以下の工程を含んでなる窒化アルミニウム物品を焼結する方法：（ａ）窒化アルミニウム物品を、約０．０５容量％〜約１容量％のメタンを含む窒素ガスを含んでなる焼結雰囲気の中に、置く工程；（ｂ）前記窒化アルミニウム物品の昇温を行なう工程；（ｃ）前記窒化アルミニウム物品を、第一の滞留時間の間、焼結温度に保持する工程；（ｄ）焼結雰囲気を窒素ガスに変更する工程；（ｅ）前記窒化アルミニウム物品を、第二の滞留時間の間、焼結温度に保持し続けて、焼結された窒化アルミニウム物品を形成する工程であって、前記第二の滞留時間が前記第一及び第二の滞留時間の合計の約２５％〜約９５％である工程、及び（ｆ）前記焼結された窒化アルミニウム物品を冷却する工程。 （もっと読む）

本発明は透明な多結晶酸窒化アルミニウムの製造方法に関するものである。従来の製造方法で製造された酸窒化アルミニウムは、内部に気孔が多く存在し、透明度が落ちるが、本発明はこのような問題を解消したものである。本発明の酸窒化アルミニウム製造方法においては、原料粉末に添加する焼結添加剤は０．５重量％未満のＭｇＯを含む。また、原料粉末を相対密度が９５％以上になるように１５５０℃〜１７５０℃で予備焼結させた後、予備焼結より高い相対密度を達成するように１９００℃以上で再焼結する。本発明によれば、内部の気孔が殆ど除去され、実質的な透明度が９５％以上である立方晶相の多結晶酸窒化アルミニウムセラミックを得ることができる。
（もっと読む）

【課題】 透明性を有し、かつ導電性及び熱線遮蔽性に優れる薄膜あるいは成形体を形成できる、金属ホウ化物微粉末の安定的な製造方法を提供する。
【解決手段】 希土類金属、IVａ族遷移金属、Ｖａ族遷移金属及びVIａ族遷移金属の中から選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物に、酸化ホウ素及び炭素を加え、該炭素は金属酸化物及び酸化ホウ素に由来する酸素の総和に対し原子比１.３以上の割合で加え、不活性ガス雰囲気下で焼成する第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程での温度Ｔ_１より低い温度Ｔ_２にて残存する炭素を酸化分解する第２の熱処理工程、さらにＴ_１未満でＴ_２を越える温度域にて不活性ガス雰囲気下で焼成する第３の熱処理工程からなる金属ホウ化物微粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の高純度ｃＢＮ焼結体の合成技術ではなし得なかった、構成粒子径が０．１μｍ以下の微細な構造を有し、かつｃＢＮ含有量が１００％の透光性を有する高純度超微粒子ｃＢＮ焼結体を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素を原料として、立方晶窒化ホウ素が熱力学的に安定な９．５万気圧、１７００℃以上１９００℃以下の圧力、温度条件で、立方晶への高圧相転移を伴いながら助剤無添加で焼結することにより、ｃＢＮ含有量が１００％で、かつ、焼結体の平均粒子径が０．１μｍ以下で、透光性を有する焼結体を得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】有用な透明酸化物薄膜を安定且つ高速に製造するためのスパッタリングターゲット用焼結体、透明酸化物薄膜、及びガスバリア性透明樹脂基板を提供すること。
【解決手段】焼結体は、導電性酸化物と炭化シリコンで構成されている。焼結体中のシリコン含有量が、焼結体中の全金属元素含有量に対して０．５〜９９．５原子％の割合であることを特徴とする。透明酸化物薄膜は、前記焼結体を原料として用いて、スパッタリング法で製造され、シリコンを含むことを特徴とする。ガスバリア性透明樹脂基板は、樹脂フィルム基材の少なくとも一方の面側に前記透明酸化物薄膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】焼結後の加工によって透光性が低下した窒化アルミニウム焼結体について、簡単な手段で、透光性を回復する手段を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る中空形状の窒化アルミニウム焼結体は、可視光領域における光線透過率が８７％以上であることを特徴としている。このような透光性の改善された窒化アルミニウム焼結体は、通常の窒化アルミニウム焼結体を、不活性雰囲気中１３００〜１４００℃で１時間以上熱処理することで得られる。 （もっと読む）

本発明は、発光素子であって、特に、550nm以上1000nm以下の波長範囲における光に関して10%以上且つ85%以下の透過性を有するSiAlON材料を含むＬＥＤである、発光素子に関する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 煩雑な予備的検証を少なくし、所望の実用物性を有する多結晶セラミック焼結体を高い確度で選択可能であり、その工業的製法の確立に寄与できる多結晶セラミック焼結体の評価方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る評価方法は、多結晶セラミック焼結体に陽電子を照射し、入射陽電子の消滅寿命を測定し、該測定結果に基づいて多結晶セラミック焼結体の実用物性を推算することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）