【課題】透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染（コンタミ）を無視できるターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と、マグネシウム（Ｍｇ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｔｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなり、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．８、０．１≦［Ｍｇ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５、及び、０．１≦［Ｘ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）と、２価のＸイオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＣｕ、Ｚｎ、及びＦｅから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなる酸化物焼結体であって、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）、及び２価のＸイオン（Ｘ²⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦（Ｉｎ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．８、０．１≦（Ｆｅ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５、及び０．１≦（Ｘ²⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５を満たす酸化物焼結体及びこれと同一組成をもつ酸化物半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_２Ｏ_３粉とＧａ_２Ｏ_３粉とＺｎＯ粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を加圧焼結する工程と、を有し、前記Ｉｎ_２Ｏ_３粉の比表面積をＡ（ｍ^２／ｇ）とし、前記Ｇａ_２Ｏ_３粉の比表面積をＢ（ｍ^２／ｇ）とし、前記ＺｎＯ粉の比表面積をＣ（ｍ^２／ｇ）としたとき、各比表面積を、Ａ≧１０，Ｂ≧１３，Ｃ≧５かつＡ／Ｃ≧２，Ｂ／Ｃ≧２の範囲に設定し、前記混合粉末の金属成分組成比を原子比で、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：Ｘ（０．８≦Ｘ≦５）に設定する。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】可視光の波長領域のみならず、赤外光の波長領域において高透明性を示す導電膜を形成するための酸化インジウム系粒子を提供すること。
【解決手段】本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Ｓｎ／Ｉｎのモル比が０．１〜０．３で、Ｓｂ／Ｉｎのモル比が０．０３〜０．４である。この粒子は、インジウム塩及びスズ塩を含む水溶液にアルカリを添加し、次いでこの液に、アンチモン塩及び酸を含む水溶液を添加し、それによって生成した沈殿物を大気中で焼成して得られたものである。 （もっと読む）

【課題】 さらに高い導電性を有する透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌの酸化物とＭｇの酸化物とＧａの酸化物とＺｎの酸化物とを、金属成分元素の含有割合が、Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｍｇ：５〜３０原子％、Ｇａ：０．０１〜０．１５原子％、残部：Ｚｎからなるように配合し、前記酸化物を粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、前記混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が60〜94である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに用いられる焼結体の板厚が従来より厚くなった場合においても、ノジュールの発生量が少なく、ライフエンドまで安定して成膜することが可能なＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^２あたり１個以下であり、かつ厚さが１０ｍｍ以上である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ｐｒ／Ｉｎ原子数比で０．０２０〜０．０５０のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ^＊値が６０〜９５であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が６０〜９５である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【解決手段】ＳｎをＳｎＯ₂換算で５質量％以下含有し、残留応力が−６５０〜−２００ＭＰａであることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットである。前記残留応力は、ＩＴＯスパッタリングターゲットがボンディングされるバッキングプレートの熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃以下である場合には−６００〜−２００ＭＰａ、熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃より大きい場合には−６５０〜−２５０ＭＰａであることが好ましい。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ₂の含有量が５質量％以下であっても割れにくく、銅製のバッキングプレート等にボンディングするときであっても割れを生じにくい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】従来の製造方法に比較し所望の物性又は優れた性能を有するセラミックス粉末などを得ることができる、より効果的なマイクロ波加熱を使用した固相反応による粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末を充填してなる粉体層にマイクロ波を照射し固相反応により粉末を製造する方法において、粉体層を流動化させ、かつ流動時の粉体層の充填率が所定の充填率になるように流動化ガスを供給しながらマイクロ波加熱する。流動化ガスを送り粉体層を流動化させることで粉体層の充填率が低下しかつ粉体層が混合され、結果、マイクロ波の吸収効率が高まり粉体層の温度が上昇する。これにより反応が促進され短時間内に所望の物性又は性能を有する粉末を得ることができる。このような製造方法は、酸化インジウムスズなど金属酸化物又は複合酸化物の製造に好適に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒ_２Ｏ_３を含有した酸化物スパッタリングターゲットであっても、防着板からのｄｅｐｏ膜の剥がれ落ちを抑制可能な酸化物スパッタリングターゲットおよびこれを用いて成膜された光記録媒体用酸化物膜を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、第１酸化物粉末がＧａ₂Ｏ₃粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ、ＭｇＯ及びＣａＯからなる群より選ばれた１種の粉末又は２種以上の混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）