【課題】耐環境性に優れた酸化亜鉛系ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）の両元素を含有し、両元素がチタン１．１ａｔ％以上又はガリウム４．５ａｔ％以上の範囲で含有されている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な耐薬品性に優れた非晶質酸化錫系透明導電膜を提供する。
【解決手段】（ａ）原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程；（ｂ）前記混合物を成形して成形体を調製する工程；及び（ｃ）前記成形体を１１００℃以上１３８０℃以下で２時間以上焼成する工程を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れた固体電解質を製造するための複合原料粉末を提供する。
【解決手段】（Ｌａ_１−ｘＳｒ_ｘ）（Ｇａ_{１−ｙ−ｚ}Ｍｇ_ｙＣｏ_ｚ）Ｏ_３（ただし、ｘ：０．０５〜０．３、ｙ：０．０２５〜０．２９、ｚ：０．０１〜０．１、ｙ＋ｚ：０．０３５〜０．３）からなる組成を有しペロブスカイト結晶構造を有する酸化物（ＡＢＯ_３酸化物）を主相とし、（Ｌａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２（Ｇａ_{１−ｙ−ｚ}Ｍｇ_ｙＣｏ_ｚ）_３Ｏ_７（ただし、ｘ：０．０５〜０．３、ｙ：０．０２５〜０．２９、ｚ：０．０１〜０．１、ｙ＋ｚ：０．０３５〜０．３）で表される結晶構造の酸化物（Ａ_２Ｂ_３Ｏ_７酸化物）を第二相とし、主相であるＡＢＯ_３酸化物のＸ線回折図のメインピーク強度をＩ_１、第二相のＡ_２Ｂ_３Ｏ_７酸化物のＸ線回折図のメインピーク強度をＩ_２とすると、Ｉ_２／Ｉ_１＝０．１〜０．５の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットとして用いた場合に、スパッタリング中の異常放電現象を著しく抑制することが可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸化亜鉛を含有し平均粒径が１０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、および（Ｂ）金属元素Ｍ（Ｍはアルミニウム等を示す）を含有し最大粒径が５μｍ以下のスピネル構造を有する粒子からなる複合酸化物焼結体であって、当該焼結体を構成する亜鉛と金属元素Ｍが原子比で表したときにＭ／（Ｚｎ＋Ｍ）＝０．００６〜０．０７であり、かつ、当該焼結体中のスピネル構造を有する粒子同士の粒子間距離は０．５μｍ以上のものが個数頻度で１０％以上である複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜に使用する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ放電ができる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造する方法を提供する。
【解決手段】亜鉛原子及び酸素原子を含有する亜鉛化合物と、スズ原子及び酸素原子を含有するスズ化合物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エマルション溶液の製造段階において、エマルション溶液中のオイル相にコーティング物質の前駆体を導入し、エマルション火炎噴霧熱分解装置を利用して、コアセラミック粒子を作製するとともに、前記コアセラミック粒子の表面がコーティングされる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エマルション火炎噴霧熱分解法を利用してコアセラミック粒子をコーティングする方法であって、エマルション溶液を製造する段階と、前記エマルション溶液を火炎中に噴霧する火炎噴霧熱分解法を利用する段階とによって、コアセラミック粒子の形成とともに、前記コアセラミック粒子の表面がコーティングされる段階が単一の工程によってなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鉛とアルカリ金属を含まない化合物からなる、圧電性の良い圧電材料を提供する。
【解決手段】鉛とアルカリ金属を含まないＡ_ｘＢ_１０Ｏ_３０とＡ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を組み合わせて、組成相境界を形成した、圧電性の良い圧電材料。前記Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０はＢａ_４Ｂｉ_２／３Ｎｂ_１０Ｏ_３０で、前記Ａ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０はＳｒ_３Ｂａ_２Ｎｂ_１０Ｏ_３０であるタングステンブロンズ構造酸化物からなる圧電材料。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ等の電気特性を任意の値に制御できる酸化物及び電気特性を任意の値に制御する方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表され、式（１）中のＲの一部が正二価以下の元素又は正四価以上の元素により固溶置換されている酸化物。
（ＲＭ_２Ｏ_４）_ｍ（ＲＭＯ_３）_ｎ （１）
（式中、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｈｏ及びＩｎからなる群より選択される１又は２以上の元素であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ及びＧａからなる群より選択される１又は２以上の元素であり、ｍは１又は２であり、ｎは０以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時に、ノジュールを発生しないターゲットを提供する。また、エッチング性に優れ、且つ、特に４００〜４５０ｎｍ域の透明性に優れた非晶質透明導電膜を提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含むスパッタリングターゲットであり、このスパッタリングターゲットは、スパッタリング時に、ノジュールを発生しない。また、酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含む非晶質透明導電膜であり、この非晶質透明導電膜は、エッチング性に優れ、且つ４００〜４５０ｎｍ域の光線透過率が高い。 （もっと読む）

【課題】
Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_{（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）}薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。
【解決手段】スパッタリングターゲットの結晶組織をＩｎ_ｘＯ_３とＺｎ_ｚＧａ_ｙＯ_４との２相にすることにより低抵抗が得られる。該２相組織は１１００℃以上、１２５０℃未満の温度で、還元性雰囲気あるいは実質的に酸素が流入しない閉空間で焼成することにより達成できる。相対密度が９０％を超えるような高密度範囲でも、密度の値に関わりなく安定して２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の比抵抗が得られる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、下記化学式で表される新規な化合物半導体を提供する：Ｂｉ_1-xＭ_xＣｕ_wＯ_a-yＱ１_yＴｅ_b-zＱ２_z。化学式において、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、Ｑ１及びＱ２はＳ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、０≦ｘ＜１、０＜ｗ≦１、０．２＜ａ＜４、０≦ｙ＜４、０．２＜ｂ＜４及び０≦ｚ＜４である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するか又は従来の化合物半導体に加え、太陽電池、熱電変換素子など多様な用途に用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。（Ａ_ａ，Ｂ_ｂ）（Ｃ_ｃ，Ｄ_ｄ，Ｘ_ｘ）Ｏ_３（Ａ：Ａサイト元素である。Ａ＝Ｂｉ、０＜ａ。Ｂ：１種又は複数種のＡサイト元素である。０≦ｂ＜１．０。Ｃ：Ｂサイト元素である。Ｃ＝Ｆｅ、０＜ｃ＜１．０。Ｄ：１種又は複数種のＢサイト元素である。０≦ｄ＜１．０。０＜ｂ＋ｄ。Ｘ：１種又は複数種のＢサイト元素である。ＣとＤの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。０＜ｘ＜１．０。（Ａサイトの化学式上の平均価数）＋（Ｂサイトの化学式上の平均価数）＞６．０。Ｏ：酸素。Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】煩雑および高コストなプロセスを必要とせずに作製可能な結晶配向性構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】２価の金属イオンを含む層状金属水酸化物、あるいは２価および３価の金属イオンを含む層状金属水酸化物の板状粒子を配向処理し、さらに加熱処理することにより得られる多結晶性の結晶配向性構造体。この結晶配向性構造体は、高い熱電変換能を示す材料として利用できる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】高温域の検出を可能にする複合温度センサ素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体酸化物ＡＯxと絶縁体酸化物ＢＯxとにより構成される複合焼結体ＡＯx・ＢＯxからなる複合温度センサ素子１である。絶縁体酸化物ＢＯxの焼結体の結晶粒内及び／又は結晶粒界中には焼結助材が分散している。焼結助材は、平均結晶粒径が１．０μｍ以下であることが好ましい。焼結助材は、ＣａＣＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、及びＣａＳｉＯ₃のうち少なくとも１種以上であることが好ましい。焼結助材の添加量は、半導体酸化物ＡＯxとマトリックス酸化物ＢＯxとの合計に対して、０．２モル％〜５モル％であることが好ましい。半導体酸化物ＡＯxは、Ａが元素周期律表第２Ａ族及びＬａを除く第３Ａ族、第２Ｂ族、第３Ｂ族、第４Ａ族、第５Ａ族、第６Ａ族、第７Ａ族、及び第８Ａ族の元素から選択される少なくとも１種以上の元素であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】特定構造の結晶対称性を有する下記一般式（ａ１）で表される組成を有する強誘電性酸化物においてＡサイト元素となり得るイオン半径及びイオン価数を有するＡサイト元素Ａと、Ｂサイト元素となりうるイオン半径及びイオン価数を有するＢサイト元素Ｂを選択して構成元素を決定し、特定構造の結晶対称性を有する強誘電性酸化物に対して、自発分極方向に電界を印加して自発分極方向へ変位させた時のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷が、同じ特定構造のＢｉＦｅＯ_３のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷より大きくなるように組成を決定し、この組成の強誘電性酸化物を製造する。
ＡＢＯ_３・・・（ａ１）
（式（ａ１）中、ＡはＢｉを主成分とする1種又は複数種のＡサイト元素、Ｂは１種又は複数種のＢサイト元素、Ｏは酸素。） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】少なくともインジウム化合物及び亜鉛化合物を含む原料を混合する工程（Ａ）と、
工程（Ａ）で得られる混合物を成形する工程（Ｂ）と、
工程（Ｂ）で得られる成形体を、８００℃以上１２００℃未満の温度帯域まで加熱した後、１時間以上保持する工程（Ｃ）と、
工程（Ｃ）後の成形体を１２００℃以上で焼結させる工程（Ｄ）を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、ＴＦＴ等の半導体活性層として良好な特性を有するＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜４０は、基板１０上に成膜され、主成分金属元素がＩｎ及びＺｎであるアモルファス構造の金属酸化物膜である。金属酸化物膜４０は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記式（１）を充足する組成分布を有している。
Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）≧４．０×Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）・・・（１）
（式中、Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）は基板側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比、Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）は基板側と反対側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比をそれぞれ示す。） （もっと読む）

【課題】バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル化合物の格子定数とＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するＡＢ_２Ｏ_４型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。 （もっと読む）