【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３，Ｇａ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとＧａとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。好ましくは、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，Ｉｎ：Ｂ％，Ｇａ：Ｃ％およびＺｎ：Ｄ％とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４５．５、９．１≦Ｂ≦３１．０、９．１≦Ｃ≦３１．０、Ｂ＋Ｃ≦２Ｄ、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０ （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化亜鉛と；Ｓｉ、Ｎｉ、およびＨｆよりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、（１）ＩｎＧａＺｎＯ₄を主相とし、Ｍ金属の少なくとも一部は前記ＩｎＧａＺｎＯ₄に固溶しており、且つ、（２）ＺｎＭ_xＯ_y相およびＭ_xＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】焼結体のターゲットであっても、ランニングコストを低減することが可能なターゲット、およびこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】クランプ２７によって冷却板２２に固定されるターゲット２５は、金属粉体としてのＺｎの粉体と、Ｚｎの融点よりも融点が高い金属酸化物としてのＺｎＯの粉体とを含む混合物が、ｔ_０＜Ｔ＜ｔ_１（ただし、上記式中、ｔ_０はＺｎの融点、ｔ_１はＺｎＯの融点または昇華点である）で表される焼結温度Ｔで焼結された亜酸化物の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】安定放電可能な酸化物焼結体ターゲット、および低抵抗かつ可視光域から近赤外域の広範囲で高い透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】亜鉛、元素Ｌ（Ｌはアルミニウムおよび／またはガリウム）、スカンジウム並びに酸素から成る複合酸化物焼結体であって、原子比が、
Ｌ／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００１〜０．１００
スカンジウム／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００１〜０．１００
である酸化物焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜し、原子比が
Ｌ／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００２〜０．１００
スカンジウム／（亜鉛＋Ｌ＋スカンジウム）＝０．００２〜０．１００
である透明導電膜を得て、それを受光素子に使用する。 （もっと読む）

【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも１つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも１つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば船底塗料に添加して使用されて静電気を帯電、放電等することにより、海棲生物が船底に付着するのを防止できる静電気吸収帯電放電剤及びその製造方法を提供する。
【解決手段】静電気吸収帯電放電剤は粉体のセラミックス体と、このセラミックス体の表面及び微細孔の内面に結合された炭素から構成されている。前記セラミックス体はマグネシウム、アルミニウム、珪素、鉄等を含有している。前記セラミックス体は直径が３００μｍ〜６００μｍの粉体状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高密度でバルク均一性が高く、製造時のみならずスパッタリング時にも、クラック、割れ、変形などが発生しない、円筒形スパッタリングターゲット用酸化物焼結体を得る。
【解決手段】２枚のメッシュ状の敷板(2)を隙間(9)を介して配置し、その上に、中空部分(8)の下方を隙間(9)が通過するように、成形体(1)を載置し、配管(3-1)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の下部付近となるように、配管(3-3)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の上部付近となるように、配管(3-2)を、敷板(2)の隙間(9)を介して成形体(1)の中空部分(8)に雰囲気ガスが流れるように、それぞれ配管の長さを調整して、雰囲気ガスを炉内に流通させて焼成を行う。得られる酸化物焼結体のバルクの各点での、密度の相対標準偏差は１％以下、比抵抗値の相対標準偏差は10％以下、平均結晶粒径の相対標準偏差は５％以下、密度は理論密度の90％以上である。 （もっと読む）

【課題】高結晶性のＩＴＯ薄膜を成膜できる、低い酸化スズ含有量のＩＴＯ焼結体からなり、かつ、長時間にわたり安定した成膜を可能とする、高密度のＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】原料粉末として、比表面積値が３〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜０．５μｍである酸化インジウム粉末と、比表面積値が１０〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜１．５μｍである酸化スズ粉末とを用い、酸化スズの含有量を２．５〜５．２質量％に調整し、混合および粉砕し、１９６ＭＰａ以上の圧力で加圧成形し、常圧の酸素雰囲気中で、１０００℃以上の領域における昇温速度を１．０℃／分以上５．０℃／分以下、保持温度を１５００℃以上１６００℃以下、保持時間を２０時間以上３０時間以下として焼成して、得られるＩＴＯスパッタリングターゲットの平均密度を７．１ｇ／ｃｍ³以上、平均結晶粒径を３μｍ以上１０μｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】焼成により生じる表面変質層が極力少ないＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉体を成形し、得られた成形体を焼成することによりＩＧＺＯ焼結体を製造するに際し、成形体の焼成は、成形体を、所定の開口部以外の部分は密閉された容器内に配置して行うようにする。さらには、該容器内に、酸化亜鉛粉末を敷いて焼成を行うようにする。これにより、焼成時において表面に生じるＩｎ_２Ｇａ_２Ｚｎ_１Ｏ_７を含む表面変質層の厚さが１ｍｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満の割合で含有し、且つスズをＳｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有する。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好なＢｉ系圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。


（式中、ＡはＢｉ元素または３価の金属元素から選択される少なくともＢｉ元素を含む１種類以上の元素を表す。ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素を表す。０．９≦ｘ≦１．２５、０．４≦ｊ≦０．６、０．４≦ｋ≦０．６、０．０９≦ｌ≦０．４９、０．１９≦ｍ≦０．６４、０．１３≦ｎ≦０．４８、ｌ＋ｍ＋ｎ＝１である。） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】微粒であり、均一な粒度を有し、誘電体層の薄層化に寄与しうる六方晶系チタン酸バリウム粉末を提供すること。
【解決手段】本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、最大粒径が１．０μｍ以下であり、９０％累積粒子径（Ｄ９０）と５０％累積粒子径（Ｄ５０）との比（Ｄ９０／Ｄ５０）が３．０以下であり、六方晶化率が５０％以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）