【課題】ＳｉＣやＳｉの固体微粒子を含む液から比較的大粒径の固体微粒子を分離して回収するだけでなく、その固体微粒子より小粒径である超微細な固体微粒子を効率よく固液分離し、それら全ての固体微粒子を回収する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ及び/又はＳｉの固体微粒子回収方法は、ＳｉＣ及び/又はＳｉの固体微粒子を含む液を、遠心分離又は／及び液体サイクロンにより該固体微粒子中の比較的大粒径の固体微粒子を分離して回収し、比較的小粒径の固体微粒子が残存する液を排出する第一工程と、第一工程から排出された液に、有機凝集剤を添加して該比較的小粒径の固体微粒子が凝集して形成される凝集体が含まれる液を、遠心分離又は濾過して該凝集体を回収する第二工程とを有する方法である。 （もっと読む）

【課題】電磁放射、特にマイクロ波エネルギーに曝露された場合、アーク放電およびスパークが無く、迅速に効率的にかつ高温に加熱する材料を開発する。また、その材料を使用して調理する方法を提案する。
【解決手段】マトリクス材料において単結晶炭化ケイ素ホイスカおよび繊維を含む、電磁放射に曝露すると温度上昇する複合材料。この材料を利用し、食品が、電磁放射に曝露されず、複合材料が電磁放射によって加熱された後に複合材料から伝達された熱によって加熱され、且つ熱が、加熱された構成材料から、伝導、対流、または赤外放射の再放射によって伝達される、調理する。 （もっと読む）

【課題】高絶縁性の炭化ケイ素粉体、及び、耐熱性に優れると共に、高熱伝導性と高絶縁性を同時に有する複合組成物を提供すること。
【解決手段】表面が、焼成によって設けられた、厚みが10nm〜500nmの酸化物被膜によって被覆されてなることを特徴とする炭化ケイ素粉体。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣナノ粒子を高効率で製造すること。
【解決手段】 窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、アークプラズマを塊状ＳｉＣまたはＳｉとＣの混合粉末成形体に照射してＳｉＣのナノ粒子を生成させる。 （もっと読む）

本発明により、ナノ粒子含有新規多孔質材料、クロマトグラフィー分離への利用、この調製法、およびクロマトグラフィー材料を含む分離デバイスが記載される。詳細には、本開示は、以下の酸化物または窒化物から選択されるナノ粒子を包埋した多孔質無機／有機ハイブリッド粒子を記載する：炭化ケイ素、アルミニウム、ダイヤモンド、セリウム、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ジルコニウム、バリウム、セリウム、コバルト、銅、ユーロピウム、ガドリニウム、鉄、ニッケル、サマリウム、ケイ素、銀、チタン、亜鉛、ホウ素、およびこれらの混合物。
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【課題】本発明の主題は特に、多孔質アモルファス水素化シリコンカーバイド膜を製造可能にする方法である。
【解決手段】本発明は、
ａ）基板上に、酸化ケイ素貫通ナノワイヤが分散されたアモルファス水素化シリコンカーバイドマトリックスから成る膜を形成する段階と、
ｂ）ステップａ）において形成された膜に存在する酸化ケイ素ナノワイヤを、化学物質によって選択的に分解する段階と、を含む貫通孔を備えたアモルファス水素化シリコンカーバイド膜の製造方法に関する。
応用例：マイクロエレクトロニクスおよびマイクロテクノロジーにおけるエアギャップの形成、特に集積回路のエアギャップ相互接続の製造のための化学物質を透過する膜からの化学物質の拡散による犠牲材料の分解を含む全ての製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、凝集性を有する炭化ケイ素ナノ粒子１の表面に酸化処理を施して表面酸化層３を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子１の表面酸化層３を除去し、次いで、この表面酸化層３が除去された易分散性の炭化ケイ素ナノ粒子１１を分散媒４中に分散させる。 （もっと読む）

高密度化ＳｉＣ製品の製造方法が提供される。開発された方法によって、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品が製造され、高密度化される。多孔質近網形状シリコンカーバイド製品内の細孔の実質的な数を炭素前駆体、シリコンカーバイド前駆体またはその混合物で充填する。炭素前駆体は液体またはガスであることができる。充填ＳｉＣプレホームは加熱され、炭素またはシリコンカーバイド前駆体を、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品の細孔内で多孔質炭素またはＳｉＣプレホームに変換する。浸漬／熱分解のサイクルを炭素および／またはシリコンカーバイドの所望の量を達成するまで繰り返す。炭素またはシリコンカーバイド／炭素前駆体の混合物が用いられる場合は、熱分解近網形状シリコンカーバイド製品は不活性雰囲気中で、シリコンと接触される。シリコンは熱分解近網形状シリコンカーバイド製品を通って拡散し、多孔質ＳｉＣプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、近網形状シリコンカーバイド製品の細孔内にシリコンカーバイドの新しい相を形成する。製造されたシリコンカーバイドは近網形状高密度シリコンカーバイドである。 （もっと読む）