【課題】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジスト用のアルカリ性現像液で現像できる反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物、及びその反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 テトラカルボン酸二無水物化合物と少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物から製造されるポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、及び溶剤を含む反射防止膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性を維持し、低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜、およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位を有する特定構造のポリアミドを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。また、前記絶縁膜用樹脂組成物と、該絶縁膜用樹脂組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒からなるコーティングワニス、及びこれらを用いて、加熱処理して縮合反応及び架橋反応せしめて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなる絶縁膜、並びに前記絶縁膜を用いた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】熱線膨張係数、誘電率が共に低い新規なポリイミド樹脂と、そのようなポリイミド樹脂を与えるポリアミド酸を提供する。
【解決手段】ポリアミド酸は、無水ピロメリット酸と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物成分と、第１の芳香族ジアミンとしての2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類と、2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン類と1,１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンと2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパンとα,α'−ビス（４−アミノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる第２の芳香族ジアミンのいずれかの芳香族ジアミン成分とを有機溶媒中で反応させることによって得ることができる。ポリイミド樹脂は、このようなポリアミド酸の溶液を加熱することによって得ることができる。 （もっと読む）