【課題】 焦点深度ラチチュード（Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）が大きく、経時でのパーティクル発生が少ないという液物性を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｂ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物（Ａ）として、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−１）、又は、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−２）を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】（Ａ）ベース樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）熱架橋剤、（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ａ）成分が１００質量部、（Ｂ）成分が０．０５〜２０質量部、（Ｃ）成分が０．１〜５０質量部、（Ｄ）成分が５０〜５，０００質量部からなり、（Ａ）ベース樹脂が、重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】表面硬度と帯電防止性とを兼備し、更に透明性、耐カール性にも優れるハードコート層が得られる活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、該樹脂組成物を含む塗料、該塗料からなる塗膜、及び該塗膜層を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】
平均粒子径が９５〜２５０ｎｍの範囲である無機微粒子（Ａ）、アルカリ金属塩（Ｂ）、分子構造中にポリオキシアルキレン骨格を有するオルガノポリシロキサン（Ｃ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００〜８０，０００の範囲であり、分子構造中に（メタ）アクリロイル基を有するアクリル重合体（Ｘ）を必須の成分として含有し、その不揮発成分１００質量部中に前記無機微粒子（Ａ）を３５〜６０質量部の範囲で含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な形状を有するレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基等；ｍ及びｎは、それぞれ０又は１；Ｘ^１は、単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−＊（ｌは１〜６の整数、＊はＯとの結合手を表す。）等を表す］ （もっと読む）

【解決手段】本発明は、化学増幅型レジスト材料のベース樹脂が酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及びベンゾトリアゾール系化合物を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法に関する。
【効果】本発明によれば、基板上に塗布した膜厚が５〜１００μｍと厚い場合のパターン形成において、基板付近、パターン底部の抜け性（溶解性）に優れ、感度を向上させることができ、更には、５〜１００μｍと厚い場合、現像時間の短縮が可能になるといった特徴を有した化学増幅ポジ型レジスト材料を提供できる。 （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹はアルカンジイル基；Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；Ｒ^ｂ１及びＲ^ｂ２は、独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^ｂ１は、２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^ｂ１は複素環；Ｒ^ｂ３は、水素原子又は炭化水素基；Ｒ^ｂ４は炭化水素基；ｍは、０〜６の整数；Ｚ^１＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、且つ、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤、式（ＩＩ）で表される化合物を含むレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】電子線やＥＵＶを露光源とする光リソグラフィー技術により、優れたラインエッジラフネスを有するレジストパターンの製造できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物に含有される新規な化合物を提供すること。
【解決手段】以下の〔１〕及び〔２〕の提供。
〔１〕式（Ｉ）で表される化合物。


［式中、
Ｘは、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基などを表すが、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合して脂肪族炭化水素基を形成していると好ましい。］
〔２〕前記化合物と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れるフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される化合物、及び［Ｂ］下記式（２−１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物である。
（もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】液浸露光用レジスト組成物用の添加剤として有用な新規な含フッ素化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物である含フッ素化合物。含フッ素化合物の前記エチレン性二重結合が開裂した構造の構成単位を有する高分子化合物である含フッ素化合物。式中、Ｑは１価の親水基から水素原子１つを除いた基であり、Ｒ^２は、重合性基を含む置換基を有し、フッ素原子を有していてもよい芳香族環式基を含む有機基であり、前記重合性基が、エチレン性不飽和二重結合を有する基であり、Ｒ^３は−Ｒ^４１−Ｒ^４２で表される基である。Ｒ^４１は無置換の炭素数１〜９のアルキレン基であり、Ｒ^４２は炭素数１〜９のフッ素置換アルキル基である。ただし、Ｒ^４１とＲ^４２との炭素数の合計は１０以下である。
［化１］
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【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れると共に、現像後のディフェクトの発生を抑制でき、かつ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物、レジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガラス転移温度の均一性に優れ、変性率が高く、粘弾性特性が良好で、ビニル結合量が高い変性共役ジエン系共重合体が得られる、変性共役ジエン系共重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】共役ジエン系単量体とビニル芳香族単量体とを、有機リチウム化合物開始剤を用いて共重合させる重合工程と、前記重合工程により得られる共役ジエン系共重合体に、官能基含有化合物を反応させる変性工程と、を有し、 前記重合工程において、下記化合物（１）、（２）をモル比で（２）／（１）＝０．０１以上０．１未満とし、かつモル比で（２）／有機リチウム化合物＝０．０２〜０．２として共存させる変性共役ジエン系共重合体の製造方法。
（１）酸素原子を２個以上有し、少なくとも１個の酸素原子が環状エーテル構造を構成するエーテル系化合物。
（２）ナトリウムアルコキシド。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、重合性液晶組成物の硬化性の改善による生産性及び信頼性の向上、プレチルト角の安定性向上等の表示特性を改善した液晶表示素子を提供することであり、硬化速度が速く、液晶相温度範囲が広くかつ耐熱性が高い、偏向板、位相差板等の用途に有用な光学異方体を提供することである。
【解決手段】 一般式（I）
【化１】


で表わされる重合性化合物を提供し、併せて当該重合性化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）