【課題】 重合性液晶組成物を構成した場合に高い保存安定性、高いコレステリック配向性及び短いピッチを示す重合性化合物及び当該重合性化合物を含有する重合性液晶組成物を提供する。更に、当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。
【解決手段】 一般式（Ｉ）
【化１】


で表される重合性化合物を提供する。更に、当該重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物、並びに当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、（ａ５−０）で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式（ａ５−０）中、Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。）
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【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの裾引き形状改善に効果が有り、ＬＥＲ性能が良好なパターンを形成することが可能である感活性光線又は感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１０〜３０質量％含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）〜（３）から選ばれる酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト膜を形成可能なフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有し、フッ素原子を含む重合体、［Ｃ］酸発生体、及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物である。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４とＲ^５とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数３〜２０の環構造を形成してもよい。
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【課題】パターン倒れの抑制およびラインエッジラフネスの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位および酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する


一般式（１）中、Ｌは、２価の連結基を表し；Ｒ_１は、水素原子またはアルキル基を表し；Ｚは、環状酸無水物構造を表す。 （もっと読む）

【課題】溶出が抑制された高解像性のネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、液浸媒体を介して浸漬露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、未露光部において、レジスト膜に予め供給された酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、レジスト膜の水に対する後退角が６５°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｃ）の含有量が１．０質量％以上であり、かつ前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４０以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、
特定の一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで表される化合物（Ｂ）、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）