【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

本発明は、基板にめっき処理を行ったり、基板を処理液に浸漬させて処理を行ったりするのに好適な基板処理装置に関する。本発明の処理装置（１）は、基板（Ｗ）の出し入れを行うロード・アンロードエリア（１００）と、基板を洗浄する洗浄エリア（２００）と、基板のめっき処理を行うめっき処理エリア（３００）とを有し、ロード・アンロードエリア（１００）には、ドライ仕様の複数のハンド（１３７，１３９）を有する基板搬送ロボット（１３０）と、基板収納カセットを搭載するロードポート（１１０）と、基板をフェースアップからフェースダウンに切換るドライ仕様の反転機（１５０）が配置されている。
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【課題】 半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。
【解決手段】 基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。 （もっと読む）

金属、半導体、又は誘電体であってもよい被覆材料を無電解堆積するための方法を提供する。この方法は、比較的低い温度の使用液で実施され、この低い温度は、基板チャックの中に組み込まれた加熱器によって制御される基板上の上昇した温度により補償される。使用液の温度低下は溶液の熱分解を防止し、通常は上昇した温度において発生する気泡の形成を減少させる。基板の面上の気泡蓄積は、基板の処理された面の上向きになる方向付けによってさらに防止される。基板ホルダは、基板の表面を急速に加熱又は冷却するために交替で使用することができる基板加熱器と基板冷却器とを備えている。
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基板をメッキするための方法及び装置であって、該装置が、中に位置決めされた少なくとも１つの基板移送ロボットを有する中央基板移送エンクロージャを含む、方法及び装置。該中央基板移送エンクロージャと連通している基板活性化チャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっている。該中央基板移送エンクロージャと連通している基板スピン・リンス・ドライ・チャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっており、また、該中央基板移送エンクロージャと連通しているアニールチャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっている。また、基板移送チャンバと連通し、かつ少なくとも１つの基板移送ロボットに接近可能な、少なくとも１つの基板ポッドローダも設けられている。
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本発明は金属メッキ装置と金属メッキ方法とを提供する。特に自己触媒（すなわち無電解）メッキに適しており、メッキ対象基板を収容し、メッキ液を循環させる加圧密閉容器を利用する。密閉容器内の温度と圧力は厳密に制御される。
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【課題】無電解堆積システムを提供する。
【解決手段】システムは処理メインフレームと、そのメインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄部と、そのメインフレーム上に位置する無電解堆積部を含む。無電解堆積部は、環境が制御された処理筐体と、基板の表面を洗浄及び活性化するために配置された第１処理部と、基板表面に層を無電解で堆積するために配置された第２処理部と、第１処理部と第２処理部の間で基板を搬送するために位置する基板搬送シャトルを含む。システムは、メインフレーム上に位置し処理筐体の内部にアクセスするために配置された基板搬送ロボットも含む。システムは、処理筐体に搭載された基板へ噴霧プロセスを使用することにより、プロセス流体を搬送するように配置された流体搬送システムも含む。

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【課題】 材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。 （もっと読む）