【課題】無電解めっき溶液中の金属溶液及び還元剤溶液の濃度を測定する方法が開示されている。
【解決手段】ラマン分光器法を用いて、混合した後の無電解めっき溶液中の各溶液の濃度を測定する。溶液をめっき浴に提供する前に各溶液の濃度を測定することにより、個々の溶液の濃度を調整して、各溶液の目標濃度を得ることができる。更に、各溶液は他の溶液と混合する前にラマン分光法を用いて個々に分析することができる。混合前の個々の溶液のラマン分光法測定値に基づいて、各溶液を形成する個々の成分を混合前に調整して目標の成分濃度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどの冷却用ヒートシンク局部の鍍金方法を提供する。
【解決手段】 鍍金液材料をヒートシンクの鍍金を必要とする領域１１１に対応する容器１２内に貯留し、鍍金を必要とする領域に接触させて、被鍍金領域に接触する容器壁により囲われた局部に鍍金層を形成する。
めっき液は、下地層としての亜鉛めっき、ニッケルめっきに適用することができると共に、不必要な箇所へのめっきがされないため、めっき材料の損失が無く、生産効率がよい。 （もっと読む）

【課題】たとえばチップ状電子部品のような小型の多数の被めっき物を無電解めっきする際、被めっき物の凝集が生じにくく、その結果、めっき膜の異常析出や浴分解が生じにくい、めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液１３内の被めっき物１４を底面形成部材１６によって受け、他方、めっき槽１２内に、上下方向に向く軸線１７のまわりで螺旋状に延びる搬送路１８を形成する搬送路形成部材１９を設け、底面形成部材１６と搬送路形成部材１９とを逆方向に回転駆動する。搬送路形成部材１９は、その下端部において、底面形成部材１６上の被めっき物１４を搬送路１８上にすくい、次いで、搬送路１８に沿って上方へ搬送した後、上端部において、被めっき物１４を底面形成部材１６に向かって落下させることを繰り返す。これによって、被めっき物１４の凝集が抑制されながら、被めっき物１４に無電解めっきが施される。 （もっと読む）

【課題】バレルが停止した場合にこれを報知し、報知があった場合にのみ対処すれば足りるよう構成することにより、バレルの回転維持に対する作業負担を軽減することの可能なめっき装置を提供することを目的としている。
【解決手段】電解または無電解によりめっき処理を行うためのめっき装置であって、被めっき材を内包して回転するバレル１０と、モータ１１と、モータ１１の駆動力をバレル１０に伝達するギヤ列１２と、バレル１０、モータ１１、およびギヤ列１２を支持する枠体１３と、バレル１０に取り付けられ該バレル１０が特定の回転姿勢にあるときに検知される突起部２０と、枠体１３に取り付けられ突起部２０を検知するスイッチ２１およびレバー２２と、スイッチ２１が突起部２０を一定間隔内に検知しなかった場合に報知する警報タイマー２３とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の形状により製品品質が低下することを抑止する。
【解決手段】 被処理物２の表面に銀鏡処理を施すための薬液を被処理物２に向けて噴出する薬液噴出手段３Ａ、３Ｂと、被処理物２を回転させる回転手段５とを設けてある銀鏡薄膜形成設備において、薬液噴出手段３Ａ、３Ｂによる薬液噴出で被処理物に付着する薬液を回転手段５による被処理物回転での遠心作用により被処理物２から飛散させる構成にするとともに、この飛散薬液の飛散域Ｐ１に位置して飛散薬液を受け止める薬液受止体１０Ａを設け、この薬液受止体１０Ａを、飛散薬液を受け止める作用位置と被処理物２の経路及びその経路の直上方から外れた待避位置とに切替移動させる受止体移動手段１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 めっき液を高品質に保つことが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】基板の表面にめっき液を供給して無電解めっきを施す無電解めっき装置は、基板を支持する支持部と、基板の表面に供給されるめっき液を貯留するめっき液貯留部と、めっき液貯留部からのめっき液を、支持部に支持された基板の表面に導くめっき液供給管と、めっき液供給管内を流通するめっき液の温度を調節するめっき液温調機構と、めっき液供給管による基板の表面へのめっき液の供給が停止された際に、めっき液供給管内のめっき液を前記めっき液貯留部に向けて吸引する吸引機構とを具備する。 （もっと読む）

【課題】メッキ時間を短縮すると共に異常析出及び析出不良を防止して、特性に影響の無い安定したメッキ層を得ることができるメッキ方法及びメッキ装置並びにシリコンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被メッキ部材１をメッキ液１１が充填されたメッキ槽１２に浸漬し、前記被メッキ部材１の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域３に最頻度気泡径がマイクロメートルオーダーの気泡の流れを発生させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハＷを支持する、導電性を有する押圧ピン６４と、めっき液に接触するように押圧ピン６４に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂとから構成し、金属部材６４ｂが溶解して発生した電子を、押圧ピン６４を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 （もっと読む）

【課題】埋込み配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成して回収・配線を保護することができるようにする。
【解決手段】フィルタ３０５では取りきれない無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物を磁気力によって除去する磁気除去部３５６，３６２を有し、これにより、無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物が、例えば絶縁膜等の表面に付着して異常析出物が生じることを防止し、しかも無電解めっき液の性質を一定にしてめっき反応を安定させる。 （もっと読む）

【課題】薬液の回収効率を向上させた成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記被処理体の一面に向けて、前記薄膜の原料溶液からなる薬液ミストを噴霧する吐出手段と、成膜に利用されなかった薬液ミストの熱を奪うための冷却手段と、前記被処理体の近傍に導入部を配してなる排気手段と、を少なくとも備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）

【課題】 めっき斑等の欠陥の発生を抑えつつ、金型本体の外周面の凹凸パターン上に比較的薄いニッケルめっき層を均一に形成できるニッケルめっき金型の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 外周面に凹凸パターンが形成された円筒形の金型本体３をめっき槽３１内のニッケルめっき液に浸漬して、金型本体３の外周面にニッケルめっき処理を施すニッケルめっき金型の製造方法において、金型本体３の中心軸を略水平にし、金型本体３の中心軸を回転軸として金型本体３を周速１．５〜５ｍ／分で回転させるとともに、金型本体３の外周面に沿って、金型本体３の回転方向と略同方向のニッケルめっき液の流れを形成する。 （もっと読む）

【課題】 最小限の欠陥しかない均一な層を堆積することのできる一体型無電界堆積装置を提供する。
【解決手段】 無電界堆積システム及び無電界堆積ステーションが提供される。このシステムは、処理メインフレームと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板洗浄ステーションと、メインフレームに位置された無電界堆積ステーションとを備えている。無電界堆積ステーションは、環境的に制御される処理エンクロージャーと、基板の面を洗浄し活性化するように構成された第１処理ステーションと、基板の面に層を無電界堆積するように構成された第２処理ステーションと、第１及び第２の処理ステーション間で基板を移送するように位置された基板シャトルとを備えている。また、無電界堆積ステーションは、汚染のない均一な無電界堆積プロセスを遂行するために種々の流体配送及び基板温度制御装置も備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板１２の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板１２の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段２６を具備する。 （もっと読む）

【課題】 シアンを含有したアルカリ性金剥離液を使用することなく、無電解金めっき槽への金析出ロスを低減し、繰り返し連続処理可能な無電解金めっき処理を行うことが可能な無電解金めっき槽の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 無電解金めっき液を使用するためのめっき槽を洗浄する方法において、希釈王水、水、アルカリ性無機塩の水溶液、水で順次めっき槽を洗浄する方法。 （もっと読む）

【課題】導電性金属部の細線状パターン形成を容易に行い、高い電磁波遮蔽性と高い透明性とを同時に有し、モアレのない光透過性電磁波遮蔽材料を、安価で大量に安定生産できる製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】露光装置１２、現像装置１４、及びめっき装置１６により、被めっき素材として、銀塩含有層が設けられた光透過性感光ウエブ１８を搬送しながら、所望の細線状パターン（例えば、格子状、ハニカム状などのパターン）露光・現像を施し、光透過性感光ウエブ１８に細線状金属銀部を形成し、これに、非接触搬送方式で搬送しつつめっき処理を施すことで、光透過性感光ウエブ１８の細線状金属銀部上に導電性金属部を形成する。このようにして光透過性導電性材料としての電磁波遮蔽材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させずに耐食性に優れたコーティング膜、コーティング膜で被覆された物品及び耐食性コーティング方法を提供する。
【解決手段】ＣＯ２及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行い、基板Ｗの表面にＮｉ膜を形成する。この電解めっきの完了後、Ａｕめっき液をめっき槽６１に供給して、無電解めっきを行う。すなわち、表面のＮｉと、Ａｕめっき液に含まれるＡｕとが置換されて、Ｎｉ膜上に、Ａｕ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 下地に最適化された処理液で触媒付与処理等の活性化処理を行うことで、特に、配線等の表面に、該配線の電気特性を劣化させることなく、高品質の金属膜（保護膜）を効率よく形成できるようにする。
【解決手段】 液温を１５℃以下に調整した処理液に、好ましくは１５℃以下の所定の温度に冷却した基板の表面を接触させて該表面を活性化させ、この活性化させた基板の表面をめっき液に接触させて該表面に金属膜を形成する。 （もっと読む）

無電解堆積システムが提供される。該システムは、処理メインフレームと、該メインフレーム上に位置決めされた少なくとも１つの洗浄ステーションと、該メインフレーム上に位置決めされた無電解堆積ステーションとを含む。該無電解堆積ステーションは、環境的に制御された処理エンクロージャと、基板の表面を洗浄及び活性化するように構成された第１の処理ステーションと、該基板の表面に層を無電解堆積するように構成された第２の処理ステーションと、該第１の処理ステーションと第２の処理ステーションとの間で基板を移送するように位置決めされた基板移送シャトルとを含む。また、該システムは、該メインフレーム上に位置決めされ、かつ該処理エンクロージャの内部にアクセスするように構成された基板移送ロボットも含む。また、該システムは、噴射プロセスにより、該処理エンクロージャ内に載置された基板に処理流体を送出するように構成されている流体送出システムも含む。 （もっと読む）

【課題】被めっき材の被めっき面により均一な膜厚のめっき膜を容易に形成できるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材Ｗを保持する保持部１０と、めっき液２２を保持するめっき槽２４とを有し、被めっき材Ｗをめっき槽２４内のめっき液２２に接液させてめっきを行うめっき装置において、保持部１０は加熱部１４を有する。 （もっと読む）