【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、めっき膜が形成された半導体基板の吸着不良及び搬送ミスを抑制可能であると共に、コンタクトシール部材の交換頻度を少なくすることの可能な半導体装置の製造方法、及びめっき装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１の表面１１ａ（主面）に形成されためっき用レジスト膜２５の表面のうち、外周部分と接触し、該めっき用レジスト２５の表面側にめっき液３２を保持するコンタクトシール部材３５を用いて、めっき膜４７を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、コンタクトシール部材３５のうち、めっき用レジスト膜２５と接触する第１の部分４１の材料として、コンタクトシール部材３５を洗浄する薬液及びめっき液３２に対して耐性を有した材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を搬送、給電などを行う複数のロールにめっき液が付着することを効果的に防止できるめっき装置を提供する。
【解決手段】複数のロールにより略水平方向に搬送される処理対象物を受け入れる入口部１２１と、処理対象物の被めっき面へ下方からめっき液を噴出するめっき液供給部と、処理対象物にめっき電流を供給する給電ロール１１３，１１４と、めっき処理された処理対象物を排出する出口部１２２とを設けためっき槽を備えるめっき装置１００において、めっき液供給部は、被めっき面に対して、入り口部側の斜め下方からめっき液を噴出する第一供給ノズル１３２と、出口部側の斜め下方からめっき液を噴出する、第一供給ノズルに対向して設けられた第二供給ノズル１３３とからなり、第一供給ノズル１３２から噴射されためっき液と、第二供給ノズル１３３から噴射されたメッキ液とが、被めっき面で衝突して落下するようにした。 （もっと読む）

【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１ａに半導体素子の表面電極２が形成され、裏面１ｂに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ１を用意する工程と、半導体ウェハ１の表面電極２にめっき層３を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極２と半導体ウェハ１の側面１ｃとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面１ｂの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ１をめっき液に浸してめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気めっき装置のハードウェアトラブルを低減しながら、銅めっき膜の均一性を保つ。
【解決手段】自動分析器１４は、電極１６，１７間に印加されている電圧を検出し、その電圧値が設定電圧範囲内であるか否かを判断する。検出した電圧値が、設定電圧範囲の下限値よりも低い場合、自動分析器１４は、検出した電圧値に基づいて、基本液の不足量を算出し、バルブ１１を制御して不足分の基本液を補充した後、めっき液タンク６内のめっき液が規定量を保つようにバルブ１３の動作制御を行い、めっき液を廃液する。また、検出した電圧値が設定電圧範囲の上限値よりも高い場合、検出した電圧値に基づいて基本液の超過量を算出し、バルブ１２を制御して基本液の濃度が規定範囲内となるように純水をめっき液タンク６に補充してめっき液を薄めた後、バルブ１３を制御して規定量を保つようめっき液を廃液する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式（１）で表わされる構造単位及び下記一般式（２）で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は単結合又は２価の連結基、Ｒ³は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基、Ｒ⁵は極性基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】めっき表面の状態変化を抑えつつも高いウィスカ抑制効果を得ることができ、且つコスト削減および省エネを達成することが可能なウィスカ抑制方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるウィスカ抑制方法の構成は、基体１０２の表面に錫または錫合金の皮膜（表層めっき皮膜１０４ｂ）をめっきされた金属部品１００におけるウィスカの発生を抑制するウィスカ抑制方法であって、電磁コイル１２４が設置された水槽１２２内に金属部品を配置し、電磁コイルの誘導加熱を利用して水中で金属部品を加熱することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽３０２と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード３１８と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置３０６を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線位相コントラストイメージング用の高アスペクト比グリッドの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０６に高アスペクト比の凹部３０２を形成すると共に、凹部底表面にメッキ金属の初期成長サイトの生成を凹部側表面よりも促進するための表面プロファイル特徴部を形成する。その後、メッキにより金属を凹部に充填する。金属が充填された高アスペクト比の凹部を、Ｘ線位相コントラストイメージング装置においてＸ線格子として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】角形基板のめっき処理にカップ方式のめっき法を使っても、均一なめっき厚さを得ることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置１００は、底面にめっき液噴出口１３０が形成されためっき槽１１０と、めっき液噴出口１３０の上部に位置し、スリット１５５が形成された陽極部１５０と、めっき槽１１０の上部に位置する陰極部１２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面との間で封止を形成して、基板の外周領域に電解質が入らないようにするエラストマーリップシール、および封止および電気接続のためのコンタクト部を備える電気メッキ用クラムシェルを提供する。
【解決手段】可撓性のコンタクト部４０４は、エラストマーリップシール４０２に一体化されており、エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに配置されており、屈曲して、基板４０６と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成する。エラストマーリップシールの一部は、クラムシェルにおいて基板を支持、位置合わせおよび封止する。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表わされる銅メッキ光沢剤を０．１〜１００質量ＰＰＭと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^１及びＲ^２がともに水素原子となるものは除く。Ｍは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは１価の有機アンモニウム基を示す。） （もっと読む）

【課題】めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、基板の被めっき面にめっきを施すためのめっき装置であって、前記めっき装置は、めっき液が保持される複数のめっき槽１３３と、前記複数のめっき槽のそれぞれに対応して配置され、前記複数のめっき槽内のめっき液を循環させる複数のポンプ１１２と、前記複数のポンプの吸込側をそれぞれ対応する前記複数のめっき槽に連結する複数の吸込配管２０２、２０３、２０４と、前記複数のポンプの吐出側をそれぞれの前記吸込側に連結される前記めっき槽とは異なる他のめっき槽にそれぞれ連結する複数の吐出配管と、を備え、前記複数のめっき槽と前記複数のポンプは直列に連結される。 （もっと読む）

【課題】比較的薄い銅めっき皮膜を形成した場合でも、均一かつ平滑な、良好な鏡面光沢を有する銅めっき皮膜を析出する銅めっき方法を提供する。
【解決手段】銅めっき方法において、被めっき物と臭化物イオンを含有する前処理液とを接触させ、銅めっき液を用いて電気めっきにより銅を析出する。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が１００ｍ／分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】酸又は酸性めっき液への溶解性が極めて高く、大気中における保存安定性に優れた酸化第一錫粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｎ合金めっき液へのＳｎ成分補給用酸化第一錫粉末であって、酸化防止剤が粉末中に質量比で１００〜５０００ｐｐｍ含まれ、温度２５℃の１００ｇ／Ｌアルキルスルホン酸水溶液１００ｍｌに酸化第一錫粉末０．１ｇを添加して攪拌したとき、１８０秒以内で溶解する溶解速度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）