【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 （もっと読む）

【課題】連続的に多数の基板を成膜するのに適した基板搬送機構を真空槽内部に備えた下方蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内で基板を格納位置と成膜位置の間で移動させる搬送機構、及び真空槽内に配置され成膜位置の上方から蒸着材料を蒸発させる蒸発源を備え、搬送機構は、開口部を有し水平方向に延在する中空体からなる水平経路、水平経路内で、格納位置と開口部の直下である方向転換位置との間で基板を移動させる水平搬送手段、及び基板を方向転換位置と成膜位置の間で移動させる昇降可能な基板ステージを備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ皮膜などのカーボン皮膜の表面の欠陥が少なく、母材とカーボン皮膜との密着性が良好で、相手攻撃性が低く、摩擦係数が低い硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムターゲットを使用する処理装置の真空処理室内においてアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングすることによって母材上に厚さ１〜３０μｍの窒素含有クロム皮膜を形成した後、カーボンターゲットを使用する処理装置の真空処理室内にアルゴンガスと窒素ガスを導入して、アルゴンガスと窒素ガスの全圧に対する窒素ガスの分圧の比が０．２３以上、好ましくは０．３７以上の雰囲気中において、バイアス電圧−２５０Ｖ以下、好ましくは−２８０Ｖ以下でスパッタリングして、窒素含有クロム皮膜上にカーボン皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において、成膜中に基板へのイオン照射を十分に行うと共に、良好なイオン化率を得る。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、内側に配備された内極磁石９と、この内極磁石９の外側に配備され且つ内極磁石９より磁力線密度が大きな外極磁石１０とで形成された非平衡磁場形成手段６と、非平衡磁場形成手段６の前面に配備されたターゲット５とからなるスパッタリング蒸発源４を２基有し、２基のスパッタリング蒸発源４を１組として１０ｋＨｚ以上の周波数で極性が切り替わる交流電流を流すことにより、両スパッタリング蒸発源４の間に放電を起こして成膜を行う交流電源８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属またはセラミック材料の基材（ワークピース）上に少なくとも実質的に水素フリーのｔａ−Ｃ層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置１０は、ａ）不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ１４と、ｂ）真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材（ワークピース）１２のための支持装置と、ｃ）炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極１６と、ｄ）支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源３２と、ｅ）黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源１８と、を備えており、陰極電源１８は、（好ましくはプログラム可能な）時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のＤＣパルスの列から成る。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ（２）内に、ワークホルダ（１０）と、マグネトロン電極（１５）とを設ける。マグネトロン電極（１５）には、第１のターゲット材料（１６）を設け、これに重ね合わせるように第２のターゲット材料（１７）を設ける。第２のターゲット材料（１７、１７）は第１のターゲット材料（１６）をカバーする位置と、開放する位置の２位置を採ることができるようにする。ワークホルダ（１０）と、第１、２のターゲット材料（１６、１７）との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＺｒ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層を少なくとも含み、複合炭窒化物層または複合窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は硬質被覆層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）であることによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット７７と、回転可能な回転ドラム７１と、を備えたスパッタリング装置７０を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム７１の外周面７１ａにウエハＷを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を通過するように回転ドラム７１を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム７１を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】多数の基板上の特定部分のみに薄膜を形成する作業を簡素化して効率化することにより、薄膜形成時の作業時間を短縮し、成膜作業における費用の低減が可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１００に備えられた基板保持機構３は、基板の非成膜部分の一部が他の基板と重なり合い、成膜部分が露出するように複数の基板を保持する基板保持部材１０〜４０と、基板保持部材１０〜４０を支持する支持部材５０と、支持部材５０を回転させる回転部材６０と、を備え、基板保持部材１０〜４０は、複数の基板を保持し、成膜源４と複数の基板との間に配設される複数の保持面と、複数の保持面の間に形成され、複数の基板の端部とそれぞれ当接する複数の段差部と、複数の段差部に基板の端部が当接した状態にあるとき、成膜部分に相当する部分の保持面上に形成された複数の開口部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状ガラスの両面上に膜が形成されており、反りが抑制された膜付フィルム状ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム状ガラス１をターゲット２の表面２ａに対して垂直に保持した状態でターゲット２の上を通過させながらフィルム状ガラス１の両面１ａ、１ｂの上に成膜する。とくに、フィルム状ガラスを、スパッタリング法、ＣＶＤ法または真空蒸着法により成膜を行うことが好ましく、さらにターゲット上を通過する軌道に沿って旋回させながらフィルム状ガラスの両面の上に成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】成膜条件が異なる場合であっても多数の基材に対して一度に且つ均一に成膜を行うことにより生産性を向上させる。
【解決手段】本発明のＡＩＰ装置１０１は、真空チャンバ内を真空排気する真空排気手段と、成膜対象である基材を自転状態で保持する４つの自転保持部４と、自転保持部４をその自転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転テーブル５と、アーク蒸発源６と、４つのバイアス電源１０Ｂ１〜１０Ｂ４を備えた電源ユニット１０Ｂとを備え、自転保持部４の各々はスリップリング１５１を介して異なるバイアス電源に接続され、バイアス電位の差により異なる成膜条件を構成する。 （もっと読む）

【課題】カルーセルが大型である場合にも、成膜される薄膜の厚みや膜質がばらつきにくいスパッタリング成膜装置のカルーセル及びそれを備えるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】カルーセルは、カルーセルの回転軸を中心として回転するホルダ３０を備える。ホルダ３０は、取付部３２と押さえ部材３３とを備える。取付部３２は、開口部３１とフランジ部とを有する。開口部３１には、スパッタリング成膜される被成膜部材４が挿入される。フランジ部は、開口部３１の内壁から内側に向かって突出している。フランジ部は、開口部３１に挿入される被成膜部材４に当接する。押さえ部材３３は、開口部３１に、開口部３１の軸方向に変位可能に挿入されている。押さえ部材３３は、ホルダ３０と共に回転することにより、遠心力によりフランジ部に対して被成膜部材４を径方向外側に向けて押圧する。 （もっと読む）

【課題】 真空アーク蒸着法により、基材に付着するマクロパーティクルを抑制することの可能な真空アーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】 真空アーク式蒸発源は、蒸発させる物質からなる棒状又は板状の陰極３と、該陰極の蒸発面の反対面に設けられるスペーサー部１６と、該スペーサー部１６が取り付けられるバッキングプレート１０とを含み、前記スペーサー部１６の軸方向に垂直な断面積が前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さくする。 （もっと読む）

【課題】繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング成膜装置１は、チャンバ１０ｂと、ホルダ１１と、加熱装置とを備えている。ホルダ１１は、チャンバ１０ｂ内に配されている。ホルダ１１には、被成膜部材が取り付けられる。加熱装置は、ホルダ１１を加熱する。加熱装置は、遠赤外線をホルダ１１に照射する遠赤外線ヒーター２０と、近赤外線をホルダ１１に照射する近赤外線ヒーター２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】一般鋼、高硬度鋼等の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記硬質被覆層が、０．５〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_{１−α−β}Ｃｒ_αＲｅ_β）Ｎ（但し、αはＣｒの含有割合を示し、原子比で、０．２５≦α≦０．５５、βはＲｅの含有割合を示し、原子比で、０．００１≦β≦０．１０である）を満足するＡｌとＣｒとＲｅの複合窒化物層からなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）