【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置１は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部３０と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部４０と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部４０により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部２７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像取得時間を短縮することが可能な欠陥観察方法および欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】複数の画像取得条件から選択した任意の画像取得条件を用いて検査対象である試料の表面を撮像して欠陥画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程にて取得した欠陥画像を処理して、該試料の表面上の欠陥位置を算出する欠陥位置算出工程と、前記欠陥位置算出工程にて算出した欠陥位置の確からしさである欠陥検出確度を求める欠陥検出確度算出工程と、前記欠陥検出確度算出工程にて求めた欠陥検出確度が予め定めた条件を満たすかどうかを判定する終了判定工程と、を備え、前記終了判定工程にて該条件を満たすと判断するまで、前記複数の画像取得条件から画像取得条件を選択し直し、前記画像取得工程と前記欠陥位置算出工程と前記欠陥検出確度算出工程と前記終了判定工程とを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】回路設計データ１１６０から検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する（１１９２）。作成された形状群３０２と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第１のパターンと、チップ外領域に形成され第１のパターンとは異なる第２のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第１のパターンとの比較から第２のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第２のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 （もっと読む）

【課題】測定対象に応じて適切な測定条件で抵抗率測定を行うこと。
【解決手段】４探針抵抗率測定装置により試料の電気抵抗を測定する抵抗率測定方法であって、前記試料における複数の測定ポイント毎に印加電流を供給して電圧値を測定し、前記測定した電圧値が前回の測定ポイントの電圧値の所定範囲を超えると判定した場合に、前記印加電流の電流値を再設定する。 （もっと読む）

【課題】日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。
【解決手段】評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。
【解決手段】
基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程Ｓ１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全面において高精度に評価が可能な、Ｐ型シリコンウェーハ中の金属不純物濃度を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
（Ａ）Ｐ型モニター用シリコンウェーハを用いてＦｅ以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
（Ｂ）ＳＰＶ法により評価対象のＰ型シリコンウェーハのＦｅ以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）において測定したＦｅ以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ（Ａ）において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のＰ型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするＰ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。 （もっと読む）

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。
【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第１の期間と第１の期間よりも後の第２の期間に分割した場合において、第２の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】故障解析システムの結果をもとに、故障位置の原因の特定に至るために、レビュー装置などの画像の撮像に必要なレシピを効率的に作成する。
【解決手段】パターン観察装置、または前記パターン観察装置に接続されたレシピ作成装置は、前記パターン観察装置にネットワークを介して接続された故障解析システムから入力された故障位置を含む配線情報に基づいて、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定するレシピ作成部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】ウエハの平坦度検査を高精度かつスループットの高い方法で実現する。
【解決手段】回転運動および直線運動機構の運動誤差を補正することの可能な３点法を、ウエハ１０１と検出器９の相対的な回転運動によるウエハ外周の形状測定と、ウエハ１０１と検出器９の相対的な直線運動によるウエハ直径方向の形状測定に適用し、両者の組み合わせによりウエハ全体の形状を測定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第１サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第１サーチダイの右隣のダイを第２サーチダイとし、第２サーチダイの上隣のダイを第３サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第２サーチダイ及び第３サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第２サーチダイのパターンマッチ座標と第３サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第１サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡を用いたグローバルアライメント（ウェーハの位置ずれ・回転検出）を安定かつ自動に行う技術を提供する。
【解決手段】グローバルアライメント用のパターンとして、複数のアライメントパターン候補を算出し（１０７）、アライメントパターン毎に複数のマッチング用データを作成し（１０８）、光学顕微鏡からの画像信号に基づく画像（１１３）とアライメントパターンとして適正度の高いアライメントパターン候補順にアライメントパターン毎にマッチング用データとマッチングを行い（１１４）、マッチングの結果に基づき（１１５）ウェーハの位置ずれ量・回転量を算出する（１１６）。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンにおいて発生する欠陥であるレジスト倒れの発生頻度を正確に計測する、レジストパターンの評価方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの評価方法において、レジストパターン１内に、スペースを挟んで隣接する二つのパターン部分２を含む測定領域を設定し、測定領域内でＣＤ-ＳＥＭを用いた測定を行い、その二つのパターン部分２の二次電子像３を取得し、その二次電子像に含まれる、二つのパターン部分それぞれの二次電子像の分離の程度を評価して、レジストパターン中の欠陥の有無を評価するようにする。 （もっと読む）

【課題】同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置において、膜厚の違いなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する。
【解決手段】同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、複数の検出系とそれに対応する複数の画像比較処理方式を備えて構成し、又、異なる複数の処理単位で比較画像間の画像信号の階調を変換する手段を備えて構成し、画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）