【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】３原色の副画素に白や補色系の副画素を加えて１つの画素（絵素）を構成するに当たって、白色の色度が補色系側にシフトするのを軽減できる表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】３原色を表示する３つの副画素から成る第１の画素と、３原色の中の２色及び３原色以外の所定色を表示する３つの副画素から成る第２の画素とを有する表示装置において、第１の画素について、第２の画素で欠落した３原色の中の１色を表示する副画素の表示面の大きさを他の２色を表示する副画素の表示面の大きさよりも大きくした画素配列とする。 （もっと読む）

【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層ＣＨと、第１方向に、酸化物半導体層ＣＨを介して延伸する第１の電極層（ソース又はドレイン）ＬＥおよび第２の電極層（ドレイン又はソース）ＵＥと、第１方向と交差する第２方向に延伸し、酸化物半導体層ＣＨと基板ＳＵに垂直な方向においてゲート絶縁層ＧＩを介して重なるゲート電極層ＧＥとを有し、酸化物半導体層ＣＨの膜厚がそのチャネル長となる。 （もっと読む）

【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電層と、前記第１導電層の少なくとも一部に対向して、前記第１導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第１導電層に接するパッチ部を含む第２導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子（１２０）と外周側に電源の配線層（１０７）とを有する基板（１００）と、表示素子の相互間を分離するバンク層（１１３）と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層（１２３）と、基板の外周部分と外周を一周する封止部（２０２）において接着剤などの接合手段（３０１）を介して接合して電極層を更に覆う封止基板（２００）と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部（ｂ＋ｃ）内にて電源の配線（１０７）と接続する。それにより、電極（１２３）と配線（１０７）との接続領域（ｃ）を基板と封止基板との接合領域（ｂ＋ｃ）として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】長期に亘って均一な輝度特性を維持することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】映像を表示する表示領域を規定する複数の表示画素と、前記複数の表示画素に電流を供給するＴＦＴ層と、を含む表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動部と、を備え、前記表示画素は、前記電流に応じて発光する発光層を含む機能層を含み、前記映像を表示するために前記表示パネルを駆動するときに生ずる熱によって、前記表示領域には、第１領域と該第１領域よりも高温の第２領域とを有する温度分布が生じ、前記第２領域に存する前記表示画素の前記機能層は、前記第１領域に存する前記表示画素の前記機能層よりも厚いことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素回路を微細化する一方で、発光素子に供給する電流を精度良く制御する。
【解決手段】画素回路１１０は、シリコン基板１５０に形成され、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２１、トランジスター１２１により供給された電流に応じて発行するＯＬＥＤ１３０、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されたトランジスター１２２、トランジスター１２１のゲート・ドレイン間に電気的に接続されたトランジスター１２３、および、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１３２を備え、トランジスター１２２のソースまたはドレインの一方と、トランジスター１２３のソースまたはドレインの一方とは、共通の拡散層により形成される。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）