【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成時スループットやコスト悪化を回避する。
【解決手段】シリコン基板１に、貫通電極用のホール２６を形成する。さらにホール２６
上を含んで絶縁膜２２，２３をエッチングして溝３５を形成する。この後、バリアメタル
層４１とシード層４２を積層させてから、ＣＭＰ法による研磨でホール２６の内壁及び溝
３５内のみにシード層４２を残す。シリコン基板１をめっき槽に浸漬させ、溝３５を介し
てホール２６内に電流を供給すると、ホール２６内と溝３５のみにＣｕ膜４７が成長する
。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、半導体装置が短絡状態で動作する場合における、半導体装置全体の短絡耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書が開示する半導体装置２は、素子領域６０と、表面電極３６と、熱伝導部材４０と、保護膜３８とを備える。素子領域６０は、複数個のゲート電極２２を備える。表面電極３６は、素子領域６０の表面に形成されている。熱伝導部材４０は、表面電極３６の中心部の表面側に形成され、素子領域６０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。保護膜３８は、表面電極３６の表面側であって、中心部の周囲を取り囲む周辺部に形成されている。素子領域６０は、表面電極３６の中心部の裏面側に形成されるエミッタ中心領域７０では、表面電極３６の周辺部の裏面側に形成されるエミッタ周辺領域７２と比較して、オン状態となる時間が長い。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、多層グラフェンの配線及び多層グラフェン配線を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態にかかる配線は、基板と、基板上に設けられた金属膜と、記金属膜上に設けられた金属部と、金属部に形成されたグラフェン配線とを有し、前記グラフェン配線は、前記金属膜と電気的に接続し、金属膜と金属部は、異なる金属または合金であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通電極に、加工性と機能性の双方を高めた絶縁リングを設ける。
【解決手段】ドライエッチングにより形成された絶縁リング用環状溝ＣＧａ，ＣＧｂには絶縁物質が充填され、単独絶縁リング６２ａ，６２ｂが形成されている。また、ドライエッチングにより形成されたＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの側壁は、絶縁膜で覆われ、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１ａ，６１ｂが形成されている。また、ＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの残りの部分には、シード／バリア層７１を介して、例えば銅のような誘電体が充填されており、それによりＴＳＶ７が形成されている。ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、絶縁リング用環状溝ＣＧの幅、言い換えれば、単独絶縁リング６２の厚さの約半分である。従って、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、ＴＳＶ側壁絶縁リングを単独で設けた場合のその厚さの３分の１程度にすることができる。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）