【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を製造することはできないから、高抵抗の拡散抵抗は実現できなかった。
【解決手段】一組の薄膜構造体の対向する間隔に、サイドウォール形成用の絶縁膜を形成する際に生じる空隙を利用して露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を形成する。薄膜構造体を配線抵抗として利用すれば、これらを接続して設けることにより温度特性に優れる抵抗素子を構成することもできる。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを抑制する電子素子用金属層を提供する。
【解決手段】被形成面１２に、金属インクを塗布し金属粒子層を形成しパターニングする。基板側からランプ照射し、金属粒子層の下層部分のみを溶融させ、下層部分の金属粒子どうしを融着させる。金属粒子の融着層１４Ａと金属粒子の非融着層１４Ｂとをこの順で有する積層体で構成されたゲート電極１４とする。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の先端を研磨する時間を短縮することと接触抵抗を低く安定させること。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路と、前記半導体基板上に形成され、前記電子回路と電気的に接続し、金属膜３４と前記金属膜より硬い材料の層３６とを備え、上視した場合前記層と前記金属膜とが配置された第１領域４０と、前記金属膜が配置され前記層が形成されない第２領域４２とを備えるパッド１６と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】データ線から発生する電気力線が画素電極に進入することを防止し、開口率を大きくすることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１００Ａは、データ線１２を覆う無機絶縁膜１５と、データ線１２の上方において無機絶縁膜１５上に設けられた突起状の有機絶縁膜２１と、有機絶縁膜２１を覆い、かつ、上方から見たときにデータ線１２を覆うシールド共通電極２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】必要な配線層を形成しつつ、製造コストを低減することが可能な不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリの製造方法は、選択トランジスタ４が形成される領域の第１の導電体膜７に選択トランジスタ４が形成される領域の第２の導電体膜９を電気的に接続する接続層１７を形成するための第１のコンタクト穴１５、および、層間絶縁膜１３に配線層１８を形成するための第２のコンタクト穴１６を、形成するためのレジストパターン１４をマスクとして、第１のコンタクト穴１５を形成するとともに、第２のコンタクト穴１６を形成し、第１のコンタクト穴１５および第２のコンタクト穴１６に第３の導電体膜を同時に埋め込んで接続層１７および配線層１８を形成する。 （もっと読む）

集積回路配置の電気的に接続を、カーボンナノチューブにより容易にする。様々な実施例により、カーボンナノチューブ材料（１２０、１３５）は、金属のような他の材料（１３０、１２５）と関連する。カーボンナノチューブ材料は、異なる回路素子間の電気的に接続を容易にする。
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【課題】半導体装装置を構成する半導体素子の微細化にともない、電極の間の距離も縮小され、電極の間に設ける層間絶縁膜の中にボイドが発生していた。このボイドは、半導体装置の信頼性を悪化するため、大きな問題であった。
【解決手段】半導体基板１１の上部に絶縁膜２１を設け、この上部に第１の導電性材料１４と第２の導電性材料１５とを積層して設ける。絶縁性を有する被服層１６を第1の導電性材料１４の側端部に設け、これらにより電極１０を構成する。第２の導電性材料１５の側端部は、第１の導電性材料１４の側端部より内側に設け、第１の導電性材料１４と第２の導電性材料１５とが接する面積は、第１の導電性材料１４の上面部の面積よりも小さい。 （もっと読む）