【課題】ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間にギャップを設けた半導体素子によって良好な発光素子を提供する。
【解決手段】第１基板１０に下部電極２、ｎ型半導体層３を順次形成する。ｎ型半導体層３の表面に局所的に複数のスペーサ６をＭｇＯ薄膜で形成する。第２基板１０‘の表面に上部電極（透明電極）５とｐ型半導体層４を形成する。ｎ型半導体層３とｐ型半導体層４とを、スペーサ６を介して接合することで、両半導体層３、４の間にギャップｓｐを形成する。 （もっと読む）

【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のｐｎ接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、ｎ型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】低温で良好に薄膜形成でき且つホール注入効率の高いｐ型半導体層を有するｐｎ接合素子を提供する。
【解決手段】
基板１の上に、ＺｎＯ層２が形成され、ＺｎＯ層２の上に、ｐ型半導体層３及び電極層６が形成され、ｐ型半導体層３の上に、ＮｉＯ層４、電極層５が順に積層形成されてｐｎ接合素子が形成されている。ｐ型半導体層３は、ＮｉＯとＭｇＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることによってＮｉ_1-xＭｇ_xＯ系材料で形成されている。電流を低下させることなくダイオード特性を得るためには、Ｎｉ_1-xＭｇ_xＯにおけるＸの値は０．３２≦ｘ≦０．５７の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップを有し、波長が３８０ｎｍ以上の近紫外光、或いは可視光に対して透明であって、ｐ型導電性を示すＮａＣｌ型結晶構造の酸化物材料、およびこれを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
Ｚｎ_ｘＭｇ_ｙＣｕ_ｚＯ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物で、０＜ｘ／（ｘ＋ｙ）≦３５、かつ０＜（ｚ／（ｙ＋ｚ）≦２４である、ＮａＣｌ型結晶構造を有するｐ型導電性酸化物材料を形成する。この材料を用いてｐ型半導体層とし、ｎ型ＺｎＯ層からなる半導体層と接合させて紫外発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、Ｚｎ、必要に応じてＭｇ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅが共ドープされたＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と（ｂ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜上に、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも一方、Ｔｅ、及びＮを供給して、ＮがドープされたＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＴｅ（０≦ｙ≦１）単結晶膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】安定性が高く、バンドギャップの大きいｐ型透明酸化物導電性材料を提供する。
【解決手段】ＡＳｂＯ₄相として同定され（ここでＡは３価のＳｂ以外の３価の金属元素）、ｐ型導電性を示すｐ型透明酸化物導電性材料。あるいは、Ａ³⁺Ｓｂ⁵⁺Ｏ₄で表される複合酸化物（ここでＡは３価のＳｂ以外の３価の金属元素）のＳｂ⁵⁺を、部分的に４価の金属イオンＢ⁴⁺で置換したｐ型透明酸化物導電性材料。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体素子においてｐ型層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系化合物半導体素子は、基板と、基板上方に形成され、ＮがドープされたＺｎＯ系化合物半導体層と、ＮがドープされたＺｎＯ系化合物半導体層上に形成され、ＮとＶＩ族元素とがコドープされたｐ型ＺｎＯ系化合物半導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＮとＴｅがコドーピングされたＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供することである。
【解決手段】
ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、少なくともＺｎ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅがコドーピングされたＺｎＯ系半導体膜を形成する工程と、（ｂ）ＺｎＯ系半導体膜にＯラジカルを照射して、ＺｎＯ系半導体膜の結晶性を向上させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】紫外線発光材料のＺｎＯ薄膜のバッファ層として化学溶液析出法（ＣＢＤ法)によって形成したＺｎＯ膜を配設する事により、緑色発光を抑制し紫外域で強い発光を示す紫外発光素子を提供する。
【解決手段】低融点のガラス基板１上に、透明導電膜（ＩＴＯ膜）２を配設した後、化学溶液析出法（ＣＢＤ法)によってＺｎＯ膜３を形成する。さらにＺｎＯ膜３の上に、気相法（ＥＢ蒸着法）によりＺｎＯ層４を形成することによって、紫外発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの熱を効率よく簡単な構造で分散させる発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の発光装置は、基板と、基板上に第１の直線上に配置される複数の第１の発光ユニットと、基板上に第１の直線と離間し第１の直線に平行な第２の直線上に配置され、第１の発光ユニットと異なる発光色を有する複数の第２の発光ユニットと、基板上に第１および第２の直線と離間し第１および第２の直線に平行な第３の直線上に配置され、第１および第２の発光ユニットと異なる発光色を有する複数の第３の発光ユニットとを備える。そして、同一の発光色の発光ユニット間の距離が、異なる発光色の発光ユニット間の最小距離よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００において、リード１２は、土台部１２１ｃを有する。土台部１２１ｃは、パッケージ１０の底面１０Ｃにおいて、第１及び第２端子部１２１ｂ，１２２ｂの間であって第１及び第２端子部１２１ｂ，１２２ｂよりも光出射面１０Ａ側で成形体１１から露出する。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンスを用いることにより、発光素子を容易かつ迅速に識別するための発光素子の検査方法などを提供する。
【解決手段】検査工程は、発光素子１に通電を行わずに、通電により発光する波長（第１波長）より波長が短い光（第２波長の光）を励起光として照射する光照射工程（ステップ２０１）と、第２波長の光の照射により発光素子１が出射する光を検出する検出工程（ステップ２０２）と、発光素子１が出射する第１波長の光の強度に基づき、発光素子１の電流リークの状態を判別する判別工程（ステップ２０３）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させず、小型の発光装置でも、実装の安定性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光出射面１１ａ、光出射面１１ａに連なる下面１１ｃ及び光出射面１１ａと反対側の背面を有する成形体１１と、その一部が成形体１１に埋設され、下面１１ｃから突出し、光出射面１１ａ又は背面のいずれか一方側に屈曲する端部１２ａ、１３ａを有する一対のリード１２、１３とによって構成されたパッケージならびに一対のリード１２、１３の一方のリード１２上に配置された発光素子を備えた発光装置であって、成形体１１は、下面１１ｃのリード１２、１３間において、光出射面１１ｃ側で突出する前突出部１４ａと、背面側で突出する後突出部１４ｂとを有する発光装置。 （もっと読む）

【課題】Top Emitting型の深紫外発光ダイオードの効率を改善し、高効率で安価な深紫外発光ダイオードを提供する。
【解決手段】p型電極7の主成分をAgとし、膜厚を6nmとする。発光層4の発光波長を320±5nmに調整する。発光層4としては、InAlGaNなどの窒化物半導体層、MgZnOなどの酸化物半導体層を利用する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造でき、素子の形態に制約を受けず、十分な紫外発光強度を発揮することが可能な発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体であるＣｕＳＣＮ膜６と、ＺｎＯを主成分とし、副成分として、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた一種類以上とＰとを含む紫外発光材料（ｎ型ＺｎＯ焼結体）５を電析法で接合する製造方法を経ることで、発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるｐ型ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯとＮｉＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Ｚｎ_1-xＮｉ_ｘＯ薄膜を基板上に形成する。Ｚｎ_1-xＮｉ_xＯ（ｘは、ＺｎとＮｉの合計モル数に対するＮｉモル数の比率である）は、ＺｎＯとＮｉＯとが混合した酸化物であり、ｘの値は０．６５以下に設定してＺｎＯに対する価電子帯トップのオフセット量を１ｅＶ以内に抑えることが好ましく、ｘの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをｐ型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Ｚｎ_1-XＮｉ_XＯにおけるＸの値は０．１３以上であることが好ましい。 （もっと読む）