【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１表面に形成された多層反射層２１と、多層反射層２１より上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク１４０の製造工程において、吸収層５１に設ける転写回路パターン領域５よりも外側に位置する少なくとも多層反射層２１の部分に、基板１１の裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させて中間層による複合層３１を備えた遮光枠１を形成する。この遮光枠１において、多層反射層２１における反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠１を作製する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板１１の表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造工程において、遮光枠となる領域に電子線を照射して多層反射層２１にミキシング層を発生させる。これによって、反射型マスクとして使用する際に、位相効果によって多層反射層２１から発生する反射強度が下がり、遮光性の高い遮光枠を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】吸収層や多層反射層の加工によるダメージや光学的性質の変化なく、高い遮光性を有する、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられる反射型マスクを提供する。
【解決手段】反射型マスクの回路パターン領域の外周部に、別体の部材からなる遮光領域を設けることにより、複雑な加工や処理をすることなく簡単な工程により、高い遮光性の遮光枠を有する反射型マスクを提供することを可能にした。 （もっと読む）

【課題】 的確に遮光枠を形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程Ｓ１２と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程Ｓ１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクの裏面に形成された導電膜と、マスク固定用の静電チャックとの接合の結果、発生する異物や接合面の劣化を防止できる反射型マスクおよび露光装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶマスク１２は、基材上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜及び吸収膜を形成し、基材の裏面に導電膜及び保護被膜を均一に塗布したもので、ＥＵＶ露光装置のマスクステージ１３に吸着させる。ＥＵＶマスク１２と露光装置内の静電チャックが、炭素原子を基本骨格とする保護被膜を介して接触することで、ＥＵＶマスク裏面の導電膜と静電チャック双方の表面劣化、異物の発生、固着を防ぐ。同時に、静電チャック側に残留した異物は装置内で洗浄用光源１７からエネルギー線１８を照射することで除去する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、この基板表面に形成された多層反射層２１と、この多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造構成において、マスクブランク製造前の基板１１に微細な凹凸パターンを設けることで、反射型マスクとして使用する際に、位相効果により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 反射型マスクに形成するアライメントマークを、レーザ描画装置のアライメント光の波長に対し、解像限界以下の微細な線幅および間隔を有するスリット状の構造体で構成して、アライメント光照射における反射信号の強度を小さくすることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な単結晶シリコン膜をペリクル膜として有する、EUV用ペリクルを提供すること。
【解決手段】厚さが20nm〜1μmの単結晶シリコン薄膜及び該薄膜を強化する補助構造からなるペリクル膜であって、前記単結晶シリコン薄膜と補助構造とが、酸化ケイ素層によって強固に結合されていることを特徴とするペリクル膜、及び、単結晶シリコン層、酸化ケイ素層及びシリコンハンドリング基板からなり、前記単結晶層及び酸化ケイ素層の厚さがそれぞれ20nm〜1μm、前記シリコンハンドリング基板の厚さが30μｍ〜300μｍであるＳＯＩ基板の前記シリコンハンドリング基板表面に補助構造用パターンを設けた後、酸化ケイ素膜が露出するまでドライエッチングをし、次いで露出した酸化ケイ素層を除去する工程を含むことを特徴とする、前記ペリクル膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクブランクの製造時におけるガラス基板保持手段および、それを用いたＥＵＶマスクブランクスの製造方法。
【解決手段】ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造時におけるガラス基板（以下基板）の保持手段であって、保持手段は、基板の裏面の一部を吸着保持する静電チャック部１１０と、押圧部１２０を有し、該押圧部で基板の成膜面側の一部を押圧することにより、基板を成膜面側および裏面側から挟持して保持する機械的チャックを行う。静電チャックによる基板の被吸着保持部、および、前記機械的チャックによる基板の被押圧部が、基板の表面および裏面の品質保証領域より外側にあり、静電チャックによる基板の吸着保持力と、機械的チャックによる基板の保持力との和が、２００ｋｇｆ以上であり、機械的チャックによる基板の単位面積当たりの押圧力が、２５ｋｇｆ／ｃｍ²以下であることを特徴とする基板保持手段。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクの製造コストを低減可能なＥＵＶマスク用ブランクの良否判定方法及びＥＵＶマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るＥＵＶマスク用ブランクの良否判定方法は、ＥＵＶマスク用ブランクに含まれる欠陥の情報及び前記ブランク上に形成されるマスクパターンのデザイン情報に基づいて、前記ブランク上に前記マスクパターンを形成して作製されるＥＵＶマスクを用いて集積回路装置を製造したときに、前記集積回路装置が不良品となるか否かを評価する工程を備える。そして、前記集積回路装置が不良品とならない場合に、前記ブランクを良品と判定する。 （もっと読む）

【課題】簡便にＥＵＶマスクの汚染を防止することができる汚染防止装置、汚染防止方法、並びにそれを用いた露光装置、パターン付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる汚染防止装置は、波長１６６ｎｍ以下の真空紫外光を発生する光源と、光源からの真空紫外光のビームをＥＵＶ露光装置１０１内に収容されたＥＵＶマスク１０８に対して照射させる光学系（ミラー１０４ａ、１０４ｂ等）と、を備えるものである。光源としては、フッ素分子レーザを出射するレーザ発振器１１０や、アルゴンダイマー、クリプトンダイマー、あるいはフッ素分子からの自然放出増幅光を出射するＶＵＶ−ＡＳＥ発生装置２１０を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンの重ね合わせずれを低減する。
【解決手段】反射型マスクの製造方法は、基板１２と、基板１２の表面に設けられかつ露光光を反射する反射層１３と、反射層１３上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層１６と、基板１２の裏面に設けられかつ露光装置の静電チャックに保持される導電層１１とを具備する反射型マスクを作製する工程と、反射型マスクのマスクパターンをウエハに転写する工程と、ウエハの下地パターンと、ウエハに転写された転写パターンとの重ね合わせずれを計測する工程と、重ね合わせずれが小さくなるように、導電層１１を膜厚未満の範囲で凹凸加工する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積膜形成により白欠陥が修正された反射型マスクであって、転写特性の良好な反射型マスク、およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを備えたレベンソン型の反射型位相シフトマスクの製造方法において、アライメントマークの作成が容易で、露光光の反射率を低下させず、パターンの位置精度の高い高品質で製造コストを抑えた製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜を形成する前に、基板をエッチングして所定の位置に基板の凹部または凸部よりなるアライメントマークを設ける工程と、前記アライメントマークを基準にして、基板の所定の位置に位相シフト手段用の凹部または凸部の段差領域を設ける工程を含み、前記段差領域の多層反射膜面から反射した反射光が、前記段差領域を設けていない多層反射膜面から反射した反射光との間で１８０度の位相差を生じるように凹部または凸部の段差を設定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングを行っても転写特性を維持することが可能であり、白欠陥を良好に修正することが可能な反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスク欠陥修正装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層の膜厚不足に起因する白欠陥部に位置する上記多層膜の周期構造の規則性が乱された修正部を有し、上記白欠陥部に位置する上記吸収層が当初から設けられているものであることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いた、高感度な検査を行うことができるＥＵＶマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光源１０１、照明光学系、シュバルツシルト光学系１０８及びＴＤＩセンサー１０９を有する。照明光学系は、シュバルツシルト光学系１０８を含む検査光学系内に配置された多層膜凹面鏡１０２を有する。多層膜凹面鏡１０２は、ＥＵＶ光源１０１からのＥＵＶ光ＥＵＶ１１をＥＵＶマスク１１０へ向けて反射する。シュバルツシルト光学系１０８は、正反射光Ｓ１を集光する。ＴＤＩセンサー１０９は、シュバルツシルト光学系１０８が集光した正反射光Ｓ１を検出することにより、ＥＵＶマスク１１０の明視野像を取得する。多層膜凹面鏡１０２は、シュバルツシルト光学系１０８への正反射光Ｓ１の入射を遮らない位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いた、高感度な検査を行うことができるＥＵＶマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光源１０１、照明光学系、シュバルツシルト光学系１０８及びＴＤＩカメラ１０９を有する。照明光学系はＥＵＶ光源１０１からのＥＵＶ光ＥＵＶ１１によりＥＵＶマスクブランクス１１０を照明する。シュバルツシルト光学系１０８はＥＵＶ光ＥＵＶ１１がＥＵＶマスクブランクス１１０上の欠陥に照射されることにより生じる散乱光Ｓ１及びＳ２を集光する。ＴＤＩカメラ１０９は集光された散乱光Ｓ１及びＳ２を検出して、ＥＵＶマスクブランクス１１０上の欠陥の暗視野像を取得する。なお、ＥＵＶ光ＥＵＶ１１は１０．５ｎｍ以上１３．１ｎｍ以下の波長範囲のＥＵＶ光を含む。ＥＵＶ光ＥＵＶ１１のＥＵＶマスクブランクス１１０に対する入射角は１５．２°以上３９．３°以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクを製造する場合のような、吸収体パターンの膜厚に対する厳しい精度の要求を満たすことのできる反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、形成された吸収体パターンの膜厚を測定し、この測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）