【課題】フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基体上に、第１の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第１の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、金属酸化物膜の表面側に、第１の比抵抗よりも高い第２の比抵抗を有する高抵抗領域を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第２の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、高抵抗領域の表面側に、第２の比抵抗よりも低い第３の比抵抗を有する導電体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】二酸化シリコン層及びシリコン基板を窒素イオンで過剰にダメージを生じさせることのないプラズマ窒化プロセスのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 （もっと読む）

【課題】複数のウェハをボートに乗せて熱処理を行う際に生じるウェハの反りによるウェハ間の接触傷等を防止する。
【解決手段】半導体製造方法は、複数枚のウェハ６０が乗せられたボート５０を熱処理炉４０内へ導入して、それらのウェハ６０を加熱する加熱工程と、熱処理炉４０からボート６０を導出し、センサ４３，４４により、複数枚のウェハ６０の反り方向を検出する反り方向検出工程と、反り方向が同一のウェハ６０を分別し、反り方向が同一のウェハ６０を別々のボートへ再収容する分別処理工程と、反り方向が同一のウェハ６０が収容されたボートを熱処理炉４０へ導入して、所定温度で熱処理を行う熱処理工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、取り扱い電荷量の増大や転送効率の改善ができると共に、読出し電圧の上昇を低減することにより、寿命を延ばす、あるいは、寿命が同一で、読出し電圧の低減を図ることが可能なＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に積層された第１酸化膜と、前記第１酸化膜上に配列されている複数の第１ゲート電極との間に第１窒化膜と第２酸化膜とを備え、隣接した前記第１ゲート電極間に形成されており、前記第１酸化膜と第２窒化膜あるいは第３酸化膜、あるいは第２窒化膜と第３酸化膜との複合膜により前記半導体基板と分離された複数の第２ゲート電極とを備え、前記第１窒化膜と前記第２窒化膜とは異なる厚さで、かつ前記第２酸化膜と第３酸化膜とも異なる厚さに形成した。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。
【解決手段】シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】空乏化を進めつつ、消去速度の劣化と閾値のばらつきを抑制する。
【解決手段】基板１と、導電路の始点となるソース領域２と、その終点となるドレイン領域３と、導電路が形成される領域上の第１絶縁膜４と、第１絶縁膜４上に形成され、所定値以下の濃度の不純物および所定値以上の濃度の水素原子が注入された浮遊ゲート５と、浮遊ゲート５を被覆する第２絶縁膜６と、第２絶縁膜６を介して浮遊ゲート５から分離して形成された制御ゲート８と、保護膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 成膜時間の短縮化及び、成膜装置の簡素化が図れ、原料ガスの利用効率を高めることのできる酸化薄膜の作成方法を提供する。
【解決手段】 酸化対象物(１)の表面に酸化薄膜を形成する酸化薄膜の作成方法であって、酸化対象物(１)を収容した気密チャンバー(２)に内に爆発限界濃度以上のオゾンガスを封入する。気密チャンバー(２)内に封入したオゾンガスに着火源(７)を作用させてオゾンガスを強制的に分解させる。分解により発生した酸素ラジカルと分解反応熱を酸化対象物表面に到達させることにより、酸化対象物(１)の表面に酸化薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面中に設けられた第１絶縁膜２１と、前記第１絶縁膜上に設けられ前記第１絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第１絶縁膜よりも比誘電率が高い第１高誘電体膜２２−１とを少なくとも備えたゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、ＣｕまたはＣｕを主成分とするゲート電極１３と、前記ゲート電極を挟むように前記半導体基板中に隔離して設けられたソースまたはドレイン１５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 格子間のシリコンによるキャリア移動度の劣化を抑制し、トランジスタ性能を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板５上にゲート絶縁膜３を形成する前の工程でＳｉ基板５の酸化を行わず、酸化膜が必要な場合はＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】不純物の突き抜けや拡散を防止できる高性能な絶縁膜を提案する。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されるＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３とを備える。ゲート絶縁膜１３は、酸化膜（ＳｉＯ_２）と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（ＢＮ）とから構成される。 （もっと読む）